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Diskette HalblerProdukte (6133)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Test Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) Strom Abfluss (ID) - Maximal
2PB709AQ,115 NXP USA Inc. 2pb709aq, 115 - - -
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 ECAD 2353 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 2pb70 250 MW SMT3; Mpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 45 V 100 ma 10NA (ICBO) PNP 500mv @ 10 mA, 100 mA 160 @ 2MA, 10V 60 MHz
PMV130ENEA/DG/B2215 NXP USA Inc. Pmv130enea/dg/b2215 0,0700
RFQ
 ECAD 7283 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 1,121
BUK7624-55A,118 NXP USA Inc. BUK7624-55A, 118 - - -
RFQ
 ECAD 5281 0.00000000 NXP USA Inc. Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab BUK76 MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 55 v 47a (TC) 10V 24MOHM @ 25a, 10V 4v @ 1ma ± 20 V 1310 PF @ 25 V. - - - 106W (TC)
BC54-10PAS115 NXP USA Inc. BC54-10PAS115 - - -
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 ECAD 3070 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 3.000
MHT1004GNR3 NXP USA Inc. MHT1004GNR3 - - -
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 ECAD 4532 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Chassis -berg OM-780-2G MHT10 2,45 GHz Ldmos OM-780-2 Möwe - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 935322425528 Ear99 8541.29.0075 250 10 µA 100 ma 280W 15.2db - - - 32 v
PMV40UN2215 NXP USA Inc. PMV40Un2215 - - -
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 ECAD 4352 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen 0000.00.0000 1
PZM11NB1,115 NXP USA Inc. PZM11NB1,115 - - -
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 ECAD 9324 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PZM11 300 MW SMT3; Mpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 100 na @ 8 v 11 v 10 Ohm
PDTA113ZT,215 NXP USA Inc. PDTA113ZT, 215 0,0200
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 ECAD 3995 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PDTA11 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000
PUMB20,115 NXP USA Inc. Pumb20,115 - - -
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 ECAD 9840 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pumb20 300 MW SOT-363 Herunterladen Ear99 8541.21.0095 5.800 50V 100 ma 1 µA 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 150 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 20 Ma, 5V - - - 2.2ko 2.2ko
BZX585-C5V1115 NXP USA Inc. BZX585-C5V1115 1.0000
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 ECAD 5848 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 300 MW SOD-523 - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 3.000 1,1 V @ 100 mA 2 µa @ 2 V 5.1 v 60 Ohm
PDTA124EU,135 NXP USA Inc. PDTA124EU, 135 0,0200
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 ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PDTA124 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000
PHL5830AL,115 NXP USA Inc. PHL5830al, 115 - - -
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 ECAD 2283 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - - - - - - - PHL58 MOSFET (Metalloxid) - - - - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.400 N-Kanal 30 v - - - - - - - - - - - - - - -
MRF5S19150HR3 NXP USA Inc. MRF5S19150HR3 - - -
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 ECAD 4104 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Chassis -berg SOT-957A MRF5 1,99 GHz Ldmos NI-880H-2L Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 5a991g 8541.29.0075 250 - - - 1.4 a 32W 14db - - - 28 v
BC807-25,215 NXP USA Inc. BC807-25,215 - - -
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 ECAD 9432 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BC80 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000
MRF6V14300HSR3 NXP USA Inc. MRF6V14300HSR3 - - -
RFQ
 ECAD 3008 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic 100 v Chassis -berg NI-780s MRF6 1,4 GHz Ldmos NI-780s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 250 - - - 150 Ma 330W 18db - - - 50 v
PH5030ALS,115 NXP USA Inc. PH5030ALS, 115 - - -
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 ECAD 5660 0.00000000 NXP USA Inc. * Band & Rollen (TR) Veraltet Ph50 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934065185115 Ear99 8541.29.0095 1.500
MRFE6VP8600HR5 NXP USA Inc. MRFE6VP8600HR5 298.1700
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 ECAD 28 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 130 v Chassis -berg Ni-1230 Mrfe6 860 MHz Ldmos Ni-1230 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 5a991g 8541.29.0075 50 Dual - - - 1.4 a 125W 19.3db - - - 50 v
BZX384-B36,115 NXP USA Inc. BZX384-B36,115 - - -
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 ECAD 6214 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BZX384 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
PSMN7R0-30YL115/BKN NXP USA Inc. PSMN7R0-30YL115/BKN 1.0000
RFQ
 ECAD 1171 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1
BF909WR,115 NXP USA Inc. BF909WR, 115 - - -
RFQ
 ECAD 5141 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 7 v Oberflächenhalterung SC-82A, SOT-343 BF909 800 MHz Mosfet Cmpak-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal Dual Gate 40 ma 15 Ma - - - - - - 2 dB 5 v
BUK7575-55,127 NXP USA Inc. BUK7575-55,127 - - -
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 ECAD 9821 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 BUK75 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 55 v 19,7a (TC) 10V 75mohm @ 10a, 10V 4v @ 1ma ± 16 v 500 PF @ 25 V. - - - 61W (TC)
PDTC143XU,115 NXP USA Inc. PDTC143XU, 115 0,0200
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 ECAD 21 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PDTC14 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000
BFR30,235 NXP USA Inc. BFR30,235 - - -
RFQ
 ECAD 3694 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BFR30 250 MW SOT-23 (to-236ab) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 933163480235 Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 25 v 4pf @ 10v 4 ma @ 10 v 5 V @ 0,5 na 10 ma
MRF6VP3450HR5 NXP USA Inc. MRF6VP3450HR5 199.1900
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 ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 110 v Chassis -berg Ni-1230 MRF6 860 MHz Ldmos Ni-1230 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 50 Dual - - - 1.4 a 90W 22.5db - - - 50 v
BZX84-C3V3,235 NXP USA Inc. BZX84-C3V3,235 0,0200
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 ECAD 140 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Bzx84 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000
BC56-16PASX NXP USA Inc. BC56-16PASX - - -
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 ECAD 5230 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-udfn exponiert pad 420 MW DFN2020D-3 Herunterladen Ear99 8541.29.0075 1 80 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150 mA, 2V 180 MHz
A5G35S004NT6 NXP USA Inc. A5G35S004NT6 11.5830
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 ECAD 8258 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 125 v Oberflächenhalterung 6-ldfn exponiert Pad 3,3 GHz ~ 4,3 GHz - - - 6-PDFN (4x4,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0075 5.000 - - - - - - 12 Ma 24,5 dbm 16.9db - - - 48 v
BCX55,135 NXP USA Inc. BCX55,135 - - -
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 ECAD 6148 0.00000000 NXP USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa SOT-89 Herunterladen Ear99 8541.29.0075 1 60 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 2V 100 MHz
PMEG3005EL,315 NXP USA Inc. PMEG3005el, 315 - - -
RFQ
 ECAD 4451 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PMEG3005 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 10.000
PMN40UPE,115 NXP USA Inc. PMN40UPE, 115 - - -
RFQ
 ECAD 2936 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-74, SOT-457 MOSFET (Metalloxid) 6-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 20 v 4.7a (TA) 1,8 V, 4,5 V. 43mohm @ 3a, 4,5 V. 950 MV @ 250 ähm 23 NC @ 4,5 V. ± 8 v 1820 PF @ 10 V. - - - 500 MW (TA), 8,33W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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