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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | A3T21H455W23SR6 | 89.5761 |  | 8014 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 65 V | Chassis -berg | ACP-1230S-4L2S | A3T21 | 2,11 GHz ~ 2,2 GHz | Ldmos | ACP-1230S-4L2S | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935368316128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 150 | Dual | 10 µA | 400 ma | 87W | 15 dB | - - - | 30 v | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C15/LF1VL | - - - | | 3636 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-C15 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069441235 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 10,5 V. | 15 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN3R8-30LL, 115 | - - - | | 7681 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | PSMN3 | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn3333 (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.400 | N-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 10V | 3,7 MOHM @ 10a, 10V | 2,15 V @ 1ma | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 2085 PF @ 15 V | - - - | 69W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | OT407412 | 0,1500 | | 141 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX284-C15,115 | - - - | | 6649 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-110 | Bzx284 | 400 MW | SOD-110 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 10,5 V. | 15 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8S9100HR5 | - - - | | 2498 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 70 V | Chassis -berg | SOT-957A | MRF8 | 920 MHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935314124178 | 5a991g | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 500 mA | 72W | 19.3db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMRF1013HSR5 | - - - | | 6439 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | Ni-1230-4s | MMRF1013 | 2,9 GHz | Ldmos | Ni-1230-4s | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935318222178 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - - - | 100 ma | 320W | 13.3db | - - - | 30 v | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK751R6-30E, 127 | - - - | | 6333 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BUK75 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 30 v | 120a (TC) | 10V | 1,6 MOHM @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 154 NC @ 10 V. | ± 20 V | 11960 PF @ 25 V. | - - - | 349W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| PMCXB900UE147 | - - - | | 1821 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC847AM, 315 | - - - | | 5830 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BC84 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHP47NQ10T, 127 | - - - | | 8975 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-220-3 | Php47 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 47a (TC) | 28mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 66 NC @ 10 V | 3100 PF @ 25 V. | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | AFT23S160W02SR3 | - - - | | 4697 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780s | AFT23 | 2,4 GHz | Ldmos | NI-780s | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | - - - | 1.1 a | 45W | 17.9db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA124EMB, 315 | 0,0300 | | 109 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | PDTA124 | 250 MW | DFN1006B-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 ma | 100na | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 5V | 180 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF24G300HS-2UP | 900.0000 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 v | Oberflächenhalterung | NI-780S-4L | 2,4 GHz ~ 2,5 GHz | Gan | NI-780S-4L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 568-MRF24G300HS-2UP | Ear99 | 8543.70.9860 | 1 | - - - | 336W | 15.3db | - - - | 48 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu3.3b1,115 | 0,0400 | | 250 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu3.3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTB123YQA147 | 0,0300 | | 44 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2pd602arl, 215 | 0,0300 | | 534 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | 2pd60 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK9520-100B, 127 | 0,5300 | | 8 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Rohr | Aktiv | BUK95 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF578XR, 112 | 384.5800 | | 24 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 110 v | Chassis -berg | SOT-539A | 225 MHz | Ldmos | SOT539A | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | Dual Gemeinsame Quelle | - - - | 40 ma | 1400W | 23.5db | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84J-C51,115 | - - - | | 3860 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC143EK, 115 | - - - | | 8433 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTC143 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMCM650VNE | 1.0000 | | 5650 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMBT4403/Migvl | - - - | | 5783 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | PMBT4403 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934068469235 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4729a, 113 | 0,0400 | | 115 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | 1N47 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC337,126 | - - - | | 5337 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC33 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PSMN035-100LS, 115 | - - - | | 5411 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | PSMN0 | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn3333 (3,3x3,3) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.400 | N-Kanal | 100 v | 27a (TC) | 10V | 32mohm @ 10a, 10V | 4v @ 1ma | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | 1350 PF @ 50 V | - - - | 65W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-A2V4,215 | 0,1100 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 µa @ 1 V | 2,4 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK761R4-30E, 118 | - - - | | 9390 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | BUK76 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 30 v | 120a (TC) | 10V | 1,45 MOHM @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 9580 PF @ 25 V. | - - - | 324W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| PDTC115es, 126 | - - - | | 7490 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PDTC115 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 20 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 5ma, 5V | 100 Kohms | 100 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Bfu530ar | 0,5800 | | 6 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BFU530 | 450 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 18db | 12V | 40 ma | Npn | 60 @ 10ma, 8v | 11GHz | 0,6 dB @ 900MHz |
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