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Diskette HalblerProdukte (6133)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Hold (ih) (max) Strom - Test Leistung - Ausgang Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Triactyp Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) RAUSCHFIGUR Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) Kapazitätsverhöltnis Kapazitätsverhöltnis Q @ vr, f
BT1308-600D,412 NXP USA Inc. BT1308-600D, 412 - - -
RFQ
 ECAD 7408 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Veraltet 125 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BT130 To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 1.000 Einzel 10 ma Logik - Sensitive Gate 600 V 800 mA 2 v 9a, 10a 5 Ma
BAS40/ZLVL NXP USA Inc. BAS40/ZLVL - - -
RFQ
 ECAD 2930 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bas40 Schottky SOT-23 (to-236ab) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 40 v 1 V @ 40 mA 10 µa @ 40 V 150 ° C (max) 120 Ma 5PF @ 0V, 1MHz
PDTA143XK,115 NXP USA Inc. PDTA143XK, 115 - - -
RFQ
 ECAD 1945 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PDTA143 250 MW SMT3; Mpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 1 µA PNP - VoreInensmen 150 mV @ 500 µA, 10 mA 50 @ 10ma, 5v 4.7 Kohms 10 Kohms
PDTC143EEF,115 NXP USA Inc. PDTC143EEF, 115 - - -
RFQ
 ECAD 4745 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-89, SOT-490 PDTC143 250 MW SC-89 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 4.000 50 v 100 ma 1 µA NPN - VORGEPANNT 150 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 10ma, 5v 4.7 Kohms 4.7 Kohms
BZT52H-C33,115 NXP USA Inc. BZT52H-C33,115 - - -
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 ECAD 2920 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BZT52 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
PH5830DL,115 NXP USA Inc. Ph5830dl, 115 0,2200
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 ECAD 106 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv - - - 0000.00.0000 1
PDTB113EK,115 NXP USA Inc. PDTB113EK, 115 - - -
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 ECAD 5961 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PDTB113 250 MW SMT3; Mpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 500 mA 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA 33 @ 50 Ma, 5V 1 Kohms 1 Kohms
BB131,135 NXP USA Inc. BB131,135 - - -
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 ECAD 8349 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 BB131 SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 10.000 1.055PF @ 28V, 1 MHz Einzel 30 v 16 C0.5/C28 - - -
BUK7628-55A/C1118 NXP USA Inc. BUK7628-55A/C1118 0,4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 800
PLVA653A,215 NXP USA Inc. PLVA653A, 215 0,0500
RFQ
 ECAD 7286 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PLVA6 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
PBHV9515QA147 NXP USA Inc. PBHV9515QA147 0,0800
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 3.974
BZX84J-C5V6,115 NXP USA Inc. BZX84J-C5V6,115 - - -
RFQ
 ECAD 3433 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Bzx84 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
MRF6S9160HR5 NXP USA Inc. MRF6S9160HR5 - - -
RFQ
 ECAD 9536 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 68 v Chassis -berg SOT-957A MRF6 880 MHz Ldmos NI-780H-2L Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 50 - - - 1.2 a 35W 20.9db - - - 28 v
BUK9520-100A,127 NXP USA Inc. BUK9520-100A, 127 0,6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * Rohr Aktiv BUK95 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000
BAT54SW,115 NXP USA Inc. BAT54SW, 115 - - -
RFQ
 ECAD 7472 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Bat54 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000
BCW61C/DG/B2215 NXP USA Inc. BCW61C/DG/B2215 0,0200
RFQ
 ECAD 117 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 3.000
PZU15BL,315 NXP USA Inc. Pzu15bl, 315 1.0000
RFQ
 ECAD 7780 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-882 250 MW DFN1006-2 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 100 mA 50 na @ 11 v 15 v 15 Ohm
2PC4081R/ZL115 NXP USA Inc. 2pc4081r/zl115 0,0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 3.000
NX7002AK.R NXP USA Inc. Nx7002ak.r - - -
RFQ
 ECAD 7279 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Veraltet NX70 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1
PZM3.0NB1,115 NXP USA Inc. PZM3.0NB1,115 - - -
RFQ
 ECAD 3742 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Pzm3.0 300 MW SMT3; Mpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 10 µa @ 1 V 3 v 95 Ohm
PZU6.2B1,115 NXP USA Inc. Pzu6.2b1,115 0,0400
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Pzu6.2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
BUK654R6-55C,127 NXP USA Inc. BUK654R6-55C, 127 - - -
RFQ
 ECAD 5882 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 BUK65 MOSFET (Metalloxid) To-220ab - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 55 v 100a (TC) 4,5 V, 10 V. 5.4mohm @ 25a, 10V 2,8 V @ 1ma 124 NC @ 10 V ± 16 v 7750 PF @ 25 V. - - - 204W (TC)
PZTA14,135 NXP USA Inc. PZTA14,135 0,0900
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 ECAD 9722 0.00000000 NXP USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa 1,25 w SOT-223 Herunterladen Ear99 8541.29.0075 200 30 v 500 mA 100na NPN - Darlington 1,5 V @ 100 µA, 100 mA 20000 @ 100ma, 5V 125 MHz
PSMN1R6-30PL,127 NXP USA Inc. PSMN1R6-30PL, 127 1.1600
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 ECAD 12 0.00000000 NXP USA Inc. * Rohr Aktiv PSMN1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000
BZX79-B47,113 NXP USA Inc. BZX79-B47,113 0,0200
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 ECAD 50 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 400 MW ALF2 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 32.9 V. 47 v 170 Ohm
BF862,215 NXP USA Inc. BF862,215 - - -
RFQ
 ECAD 5036 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 20 v Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BF862 - - - Jfet SOT-23 (to-236ab) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 25ma - - - - - - - - -
AFT18HW355SR5,178 NXP USA Inc. AFT18HW355SR5,178 1.0000
RFQ
 ECAD 2872 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen 0000.00.0000 1
MRF6V2150NBR1 NXP USA Inc. MRF6V2150NBR1 - - -
RFQ
 ECAD 4618 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 110 v Chassis -berg To-272bb MRF6 220 MHz Ldmos To-272 WB-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 500 - - - 450 Ma 150W 25 dB - - - 50 v
BLF6G22LS-180RN112 NXP USA Inc. BLF6G22LS-180RN112 78.4300
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0075 1
MRF9030LSR1 NXP USA Inc. MRF9030LSR1 - - -
RFQ
 ECAD 5222 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 68 v Ni-360s MRF90 945 MHz Ldmos Ni-360s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 500 - - - 250 Ma 30W 19db - - - 26 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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