Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Hold (ih) (max) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | Spannung - Im Zustand (VTM) (max) | Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) | Aktuell - Aus dem Zustand (max) | SCR -Typ | RAUSCHFIGUR | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BFR92AW, 135 | - - - | ![]() | 1304 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BFR92 | 300 MW | SC-70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | - - - | 15 v | 25ma | Npn | 65 @ 15ma, 10V | 5GHz | 2 dB ~ 3 dB @ 1GHz ~ 2GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6VP121KHSR6 | - - - | ![]() | 2148 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 110 v | Chassis -berg | Ni-1230s | MRF6 | 1,03 GHz | Ldmos | Ni-1230s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 150 | Dual | - - - | 150 Ma | 1000W | 20db | - - - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDZ9V1J, 115 | 0,0300 | ![]() | 1406 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Tdz9v1 | 500 MW | SOD-323F | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 500 na @ 6 v | 9.1 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9222-55A/C1,118 | - - - | ![]() | 5293 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | BUK9222 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 55 v | 48a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | ± 15 V | 2210 PF @ 25 V | - - - | 103W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A3T09S100NR1 | 22.0500 | ![]() | 6684 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 65 V | Oberflächenhalterung | To-270-2 | 136 MHz ~ 941 MHz | Ldmos | To-270-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 10 µA | 450 Ma | 100W | 22.8db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PMWD16un, 518 | - - - | ![]() | 6159 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | PMWD16 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 9.9a | 19Mohm @ 3,5a, 4,5 V. | 700 MV @ 1ma | 23.6nc @ 4,5 V | 1366PF @ 16V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW61C, 215 | 0,0300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BCW61 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFQ149,115 | - - - | ![]() | 4659 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BFQ14 | 1W | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | - - - | 15 v | 100 ma | PNP | 20 @ 70 mA, 10V | 5GHz | 3,3 dB @ 500 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFE6S9046NR1 | - - - | ![]() | 8864 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 66 v | Oberflächenhalterung | To-270ab | Mrfe6 | 960 MHz | Ldmos | To-270 WB-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 5a991g | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 300 ma | 35.5W | 19db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX11D133 | 0,0200 | ![]() | 86 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384-C15/ZLX | - - - | ![]() | 5013 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069128115 | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 700 mv | 15 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHP101NQ04T, 127 | - - - | ![]() | 1046 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Php10 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 75a (TC) | 10V | 8mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 36.6 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2020 PF @ 25 V | - - - | 157W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX6V8A, 133 | 0,0200 | ![]() | 6782 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX6 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA144et, 215 | - - - | ![]() | 3808 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTA14 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB189,315 | - - - | ![]() | 3235 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BB18 | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934054825315 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | 2.18PF @ 25V, 1 MHz | Einzel | 32 v | 6.3 | C2/C25 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C15,133 | - - - | ![]() | 9859 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZV85 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT60410NY115 | 1.0000 | ![]() | 4719 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C8V2,115 | 0,0200 | ![]() | 8414 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZT52 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7002BKT, 115 | - - - | ![]() | 2974 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | 2N70 | MOSFET (Metalloxid) | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 290 mA (TA) | 5v, 10V | 1,6OHM @ 500 mA, 10 V. | 2,1 V @ 250 ähm | 0,6 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 50 PF @ 10 V | - - - | 260 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG540W/XR, 135 | - - - | ![]() | 2252 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | BFG54 | 500 MW | Cmpak-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | - - - | 15 v | 120 Ma | Npn | 100 @ 40 mA, 8v | 9GHz | 1,3 dB ~ 2,4 dB bei 900 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bta201-800er, 412 | - - - | ![]() | 1755 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | To-92-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 287 | Einzel | 12 Ma | Logik - Sensitive Gate | 800 V | 1 a | 1,5 v | 12,5a, 13,7a | 10 ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT149B, 126 | - - - | ![]() | 1266 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | - - - | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BT149 | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 10.000 | 5 Ma | 200 v | 800 mA | 800 mV | 8a, 9a | 200 µA | 1,7 v | 500 mA | 100 µA | Sensibler tor | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF578XR, 112 | 384.5800 | ![]() | 24 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 110 v | Chassis -berg | SOT-539A | 225 MHz | Ldmos | SOT539A | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | Dual Gemeinsame Quelle | - - - | 40 ma | 1400W | 23.5db | - - - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBT4403/Migvl | - - - | ![]() | 5783 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | PMBT4403 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934068469235 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2pd602arl, 215 | 0,0300 | ![]() | 534 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | 2pd60 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-C51,115 | - - - | ![]() | 3860 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC143EK, 115 | - - - | ![]() | 8433 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTC143 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pzu3.3b1,115 | 0,0400 | ![]() | 250 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu3.3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMCM650VNE | 1.0000 | ![]() | 5650 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU630f, 115 | 0,7200 | ![]() | 17 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-343F | BFU630 | 200 MW | 4-dfp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 13 dB ~ 22,5 dB | 5,5 v | 30 ma | Npn | 90 @ 5ma, 2v | 21GHz | 0,75 db ~ 1,3 db @ 1,5 GHz ~ 5,8 GHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus