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Diskette HalblerProdukte (6133)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Hold (ih) (max) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | Spannung - Im Zustand (VTM) (max) | Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) | Aktuell - Aus dem Zustand (max) | SCR -Typ | RAUSCHFIGUR | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | A3T09S100NR1 | 22.0500 |  | 6684 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 65 V | Oberflächenhalterung | To-270-2 | 136 MHz ~ 941 MHz | Ldmos | To-270-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 10 µA | 450 Ma | 100W | 22.8db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCW61C, 215 | 0,0300 | | 12 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BCW61 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TDZ9V1J, 115 | 0,0300 | | 1406 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Tdz9v1 | 500 MW | SOD-323F | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 500 na @ 6 v | 9.1 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZX11D133 | 0,0200 | | 86 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN6R0-25YLD115 | 0,2200 | | 39 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.340 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT54C/DG, 215 | - - - | | 4836 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101, BAT54 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 200 Ma (DC) | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFQ149,115 | - - - | | 4659 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BFQ14 | 1W | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | - - - | 15 v | 100 ma | PNP | 20 @ 70 mA, 10V | 5GHz | 3,3 dB @ 500 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCP68,115 | 0,0700 | | 30 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 1,4 w | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.683 | 20 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 100 mA, 1a | 85 @ 500 mA, 1V | 170 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLF2425M8LS140112 | - - - | | 8265 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 65 V | 2,45 GHz | Ldmos | - - - | 0000.00.0000 | 1 | - - - | 1.3 a | 140W | 19db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9E04-30B, 127 | - - - | | 6137 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | BUK9 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 30 v | 75a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | 56 NC @ 5 V. | ± 15 V | 6526 PF @ 25 V. | - - - | 254W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX6V8A, 133 | 0,0200 | | 6782 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX6 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA144et, 215 | - - - | | 3808 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTA14 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX384-C15/ZLX | - - - | | 5013 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069128115 | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 700 mv | 15 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHPT60410NY115 | 1.0000 | | 4719 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLF7G24L-160P, 112 | 123.3100 | | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-539A | 2,3 GHz ~ 2,4 GHz | Ldmos | SOT539A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 5a991g | 8541.29.0075 | 20 | Dual Gemeinsame Quelle | - - - | 1.2 a | 30W | 18.5db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB751V40,115 | 0,0200 | | 5386 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | RB751 | Schottky | SOD-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 370 mv @ 1 mA | 500 na @ 30 v | 150 ° C (max) | 120 Ma | 2PF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB189,315 | - - - | | 3235 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BB18 | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934054825315 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | 2.18PF @ 25V, 1 MHz | Einzel | 32 v | 6.3 | C2/C25 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N7002BKT, 115 | - - - | | 2974 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | 2N70 | MOSFET (Metalloxid) | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 290 mA (TA) | 5v, 10V | 1,6OHM @ 500 mA, 10 V. | 2,1 V @ 250 ähm | 0,6 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 50 PF @ 10 V | - - - | 260 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52H-C8V2,115 | 0,0200 | | 8414 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZT52 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BT149B, 126 | - - - | | 1266 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | - - - | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BT149 | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 10.000 | 5 Ma | 200 v | 800 mA | 800 mV | 8a, 9a | 200 µA | 1,7 v | 500 mA | 100 µA | Sensibler tor | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bta201-800er, 412 | - - - | | 1755 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | To-92-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 287 | Einzel | 12 Ma | Logik - Sensitive Gate | 800 V | 1 a | 1,5 v | 12,5a, 13,7a | 10 ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG540W/XR, 135 | - - - | | 2252 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | BFG54 | 500 MW | Cmpak-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | - - - | 15 v | 120 Ma | Npn | 100 @ 40 mA, 8v | 9GHz | 1,3 dB ~ 2,4 dB bei 900 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCW71,215 | 0,0300 | | 5625 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BCW71 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFR520,235 | - - - | | 9712 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BFR52 | 300 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934018790235 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | - - - | 15 v | 70 Ma | Npn | 60 @ 20 ma, 6v | 9GHz | 1,1 dB ~ 2,1 dB @ 900 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMP4201V, 115 | - - - | | 9047 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMP4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 4.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMN55LN, 135 | - - - | | 3784 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | PMN5 | MOSFET (Metalloxid) | SC-74 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-Kanal | 20 v | 4.1a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 65mohm @ 2,5a, 10V | 2V @ 1ma | 13.1 NC @ 10 V. | ± 15 V | 500 PF @ 20 V | - - - | 1,75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ON5250/A, 135 | - - - | | 5248 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | On52 | - - - | - - - | SC-73 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934061143135 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA114YK, 115 | - - - | | 1040 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTA114 | 250 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 5ma, 5v | 10 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu 5.1b2,115 | - - - | | 7198 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu5.1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A2T18S166W12SR3 | 70.4700 | | 7757 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 28 v | Chassis -berg | NI-780-2S2L | A2T18 | 1.805 GHz ~ 1.995 GHz | Ldmos | NI-780-2S2L | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935363021128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 38W | - - - | - - - |
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