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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
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![]() | PZM10NB2A, 115 | - - - | ![]() | 3089 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM10 | 220 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 200 na @ 7 V | 10 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX3008NBKV/S500115 | - - - | ![]() | 1022 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF7S18125BHR3 | - - - | ![]() | 6660 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-957A | MRF7 | 1,93 GHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 1.1 a | 125W | 16.5db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV70SRA147 | - - - | ![]() | 6775 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-xfdfn exponiert Pad | BAV70 | Standard | DFN1412-6 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Paar Gemeinsame Kathode Passen | 100 v | 355 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK664R8-75C, 118 | - - - | ![]() | 4368 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BUK66 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Prll5818,115 | - - - | ![]() | 8466 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOD-87 | Prll58 | Schottky | Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 550 mV @ 1 a | 1 ma @ 30 v | 125 ° C (max) | 1a | 50pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS8110As, 126 | - - - | ![]() | 9947 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PBSS8 | 830 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 100 v | 1 a | 100na | Npn | 200mv @ 100ma, 1a | 150 @ 250 mA, 10V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU520XVL | 0,1208 | ![]() | 3491 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BFU520 | 450 MW | SOT-143b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934067706235 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 18db | 12V | 30 ma | Npn | 60 @ 5ma, 8v | 10,5 GHz | 1,1 dB @ 1,8GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA123TT, 215 | - - - | ![]() | 9748 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTA12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BBY40,235 | 0,5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BBY40 | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 6PF @ 25V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 6.5 | C3/C25 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847at, 115 | - - - | ![]() | 9295 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | BC84 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF904WR, 115 | - - - | ![]() | 3441 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 7 v | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | BF904 | 200 MHz | Mosfet | Cmpak-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal Dual Gate | 30 ma | 10 ma | - - - | - - - | 1 dB | 5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pzu 10b3,115 | - - - | ![]() | 7771 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu10 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Php9nq20t, 127 | - - - | ![]() | 8928 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Php9 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF861C, 215 | - - - | ![]() | 2542 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 25 v | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BF861 | - - - | Jfet | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25ma | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC557C, 112 | - - - | ![]() | 1705 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC55 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF6V2010NBR1 | - - - | ![]() | 2954 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 110 v | Chassis -berg | To-272BC | MRF6 | 220 MHz | Ldmos | To-272-2 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 500 | - - - | 30 ma | 10W | 23.9db | - - - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC114ye, 135 | - - - | ![]() | 3729 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTC114 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 5ma, 5v | 10 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMV65un, 215 | - - - | ![]() | 3930 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PMV6 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 2.2a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 76mohm @ 2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 3,9 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 183 PF @ 10 V. | - - - | 310 MW (TA), 2,17W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PMST6428,115 | 0,0200 | ![]() | 90 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 ma | 10NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 250 @ 100 µA, 5V | 700 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA114ET/DG/B2215 | 0,0200 | ![]() | 1650 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 6.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9M6R6-30EX | - - - | ![]() | 9083 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) | MOSFET (Metalloxid) | Lfpak33 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 30 v | 70a (TC) | 5v | 5.3mohm @ 20a, 10V | 2,1 V @ 1ma | 18 NC @ 5 V. | ± 10 V | 2001 PF @ 25 V. | - - - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZM9.1NB3,115 | - - - | ![]() | 6934 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM9.1 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 500 na @ 6 v | 9.1 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857QAS147 | - - - | ![]() | 8449 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BC857 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9508-55A, 127 | - - - | ![]() | 7557 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BUK95 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 55 v | 75a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7.5Mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | 92 NC @ 5 V | ± 15 V | 6021 PF @ 25 V. | - - - | 253W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX2301P215 | - - - | ![]() | 7829 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA144TT, 215 | 0,0200 | ![]() | 102 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTA14 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5350X, 115 | - - - | ![]() | 7825 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PBSS5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C13/DG/B3215 | 0,0200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 18.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 8 v | 13.25 V. | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF6G27LS-75,112 | 83.4300 | ![]() | 47 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-502B | - - - | Ldmos | SOT502B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 5a991g | 8541.29.0075 | 20 | 18a | 600 mA | 9W | - - - | - - - | 28 v |
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