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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
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![]() | Pzu12ba115 | - - - | ![]() | 5219 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9623-75A, 118 | - - - | ![]() | 6142 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | BUK96 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 75 V | 53a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 22mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | ± 10 V | 3120 PF @ 25 V. | - - - | 138W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAW56T, 115 | - - - | ![]() | 1387 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | BAW56 | Standard | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 90 v | 150 mA (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMST5401,115 | - - - | ![]() | 5336 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PMST5 | 200 MW | SC-70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 150 v | 300 ma | 50na (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 60 @ 10ma, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV70S/DG/B3135 | 0,0400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BAV70 | Standard | 6-tssop | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Paar Gemeinsame Kathode Passen | 100 v | 250 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBT4403,235 | - - - | ![]() | 5612 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMBT4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-B33,115 | 0,0200 | ![]() | 99 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 23.1 v | 33 v | 40 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG2010EV, 115 | 0,0500 | ![]() | 80 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMEG2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF9060LSR5 | - - - | ![]() | 6702 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | Ni-360s | MRF90 | 945 MHz | Ldmos | Ni-360s | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 5a991g | 8541.21.0075 | 50 | - - - | 450 Ma | 60W | 17db | - - - | 26 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV90-C56115 | 0,1500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.990 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC143TK, 115 | - - - | ![]() | 9182 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTC143 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 200 @ 1ma, 5V | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK769R6-80E, 118 | - - - | ![]() | 9578 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 80 v | 75a (TC) | 10V | 9,6 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 1ma | 59,8 NC @ 10 V. | ± 20 V | 4682 PF @ 25 V. | - - - | 182W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8P20140WHR3 | - - - | ![]() | 2326 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780-4 | MRF8P20140 | 1,88 GHz ~ 1,91 GHz | Ldmos | NI-780-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935310716128 | 5a991g | 8541.29.0075 | 250 | Dual | - - - | 500 mA | 24W | 16 dB | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pzu27b, 135 | - - - | ![]() | 7237 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu27 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PH7030ALS, 115 | - - - | ![]() | 2954 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Ph70 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934065186115 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6S9060MBR1 | - - - | ![]() | 1009 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | To-272-2 | MRF6 | 880 MHz | Ldmos | To-272-2 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 450 Ma | 14W | 21.4db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRFG35003M6R5 | - - - | ![]() | 5589 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 8 v | Oberflächenhalterung | PLD-1.5 | MRFG35 | 3,55 GHz | Phemt Fet | PLD-1.5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 180 ma | 3W | 9db | - - - | 6 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8S9200NR3 | - - - | ![]() | 8327 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 70 V | Oberflächenhalterung | OM-780-2 | MRF8S9200 | 940 MHz | Ldmos | OM-780-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935314116528 | 5a991g | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 1.4 a | 58W | 19.9db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB182,335 | - - - | ![]() | 5606 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BB18 | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934047500335 | Ear99 | 8541.10.0070 | 20.000 | 2,89PF @ 28V, 1 MHz | Einzel | 32 v | 22 | C1/C28 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B9V1,215 | 0,0200 | ![]() | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 500 na @ 6 v | 9.1 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B5V1/LF1R | - - - | ![]() | 2598 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-B5V1 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069409215 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 2 V | 5.1 v | 60 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN7R0-100XS, 127 | - - - | ![]() | 5185 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | PSMN7 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 55a (TC) | 10V | 6,8 MOHM @ 15a, 10V | 4v @ 1ma | 121 NC @ 10 V | ± 20 V | 6686 PF @ 50 V | - - - | 57.7W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX8V2C, 133 | 0,0200 | ![]() | 54 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU520x235 | 0,1300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS16L/S500315 | - - - | ![]() | 5185 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bas16 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMP4201G, 115 | - - - | ![]() | 7289 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | PMP4201 | 300 MW | 5-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bas21/mi, 235 | 0,0200 | ![]() | 160 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bas21 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX284-B3V9,115 | - - - | ![]() | 7402 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-110 | Bzx284 | 400 MW | SOD-110 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µa @ 1 V | 3,9 v | 90 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX9V1E, 133 | 0,0200 | ![]() | 82 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX9 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHB145NQ06T, 118 | - - - | ![]() | 9436 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | PHB14 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 55 v | 75a (TC) | 10V | 6mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 64.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 3825 PF @ 25 V. | - - - | 250 W (TC) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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