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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMP4201G, 115 | - - - |  | 7289 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | PMP4201 | 300 MW | 5-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZX8V2C, 133 | 0,0200 | | 54 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C7V5,113 | 0,0200 | | 458 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX79 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4743a, 133 | 0,0400 | | 110 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 9,9 V | 13 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBLS4002d, 115 | - - - | | 6469 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PBLS40 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AFT09S220-02NR3 | - - - | | 5427 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 70 V | Oberflächenhalterung | OM-780-2 | Achtern | 920 MHz | Ldmos | OM-780-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935312921528 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 1.4 a | 54W | 19.5db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZT52H-C36,115 | - - - | | 5594 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZT52 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMT200en, 115 | - - - | | 1743 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | PMT2 | MOSFET (Metalloxid) | SC-73 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 1,8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 235mohm @ 1,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 475 PF @ 80 V | - - - | 800 MW (TA), 8,3W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9213-30A, 118 | - - - | | 8552 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | BUK92 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934057315118 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 55a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | 37 NC @ 5 V. | ± 15 V | 2852 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF9045GNR1 | - - - | | 2257 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-270ba | MRF90 | - - - | Ldmos | To-270-2 Möwe | - - - | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 5a991g | 8541.21.0075 | 500 | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A2V09H400-04SR3 | 93.2316 | | 1533 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 105 V | Oberflächenhalterung | NI-780S-4L | 720 MHz ~ 960 MHz | Ldmos | NI-780S-4L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | Dual | 10 µA | 750 Ma | 102W | 18.7db | - - - | 48 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C62,133 | 0,0200 | | 281 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 400 MW | ALF2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 43.4 v | 62 v | 215 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF7S38040HR3 | - - - | | 4128 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-400-240 | MRF7 | 3,4 GHz ~ 3,6 GHz | Ldmos | NI-400-240 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 450 Ma | 8W | 14db | - - - | 30 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBLS6022d, 115 | 0,1200 | | 223 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PBLS60 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC556a, 112 | - - - | | 4479 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC55 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 125 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHP45N03LTA, 127 | - - - | | 7718 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Php45 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 25 v | 40a (TC) | 3,5 V, 10 V. | 21mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | 19 NC @ 5 V. | ± 20 V | 700 PF @ 25 V. | - - - | 65W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF7S35120HSR5 | - - - | | 7823 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780s | MRF7 | 3,1 GHz ~ 3,5 GHz | Ldmos | NI-780s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 150 Ma | 120W | 12 dB | - - - | 32 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF556a, 215 | - - - | | 2188 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 30 v | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BF556 | - - - | Jfet | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 7ma | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK965R4-40E, 118 | 0,6800 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 442 | N-Kanal | 40 v | 75a (TC) | 5v | 4.4mohm @ 25a, 10V | 2,1 V @ 1ma | 33,9 NC @ 5 V. | ± 10 V | 4483 PF @ 25 V. | - - - | 137W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX884-B5V6315 | 1.0000 | | 4941 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAS40-06,215 | - - - | | 3687 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bas40 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8S9100HR3 | - - - | | 5105 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 70 V | Chassis -berg | SOT-957A | MRF8 | 920 MHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935314124128 | 5a991g | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 500 mA | 72W | 19.3db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMRF1304NR1 | 23.9828 | | 7864 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 133 v | Oberflächenhalterung | To-270aa | MMRF1304 | 512MHz | Ldmos | To-270-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 10 ma | 25W | 25.4db | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A2T08VD021NT1 | - - - | | 3525 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | A2T08 | - - - | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935361777528 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pimd3115 | - - - | | 8421 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAW62,113 | - - - | | 7730 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BAW62 | Standard | ALF2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 75 V | 1 V @ 100 mA | 4 ns | 5 µa @ 75 V | 200 ° C (max) | 250 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX3V6B, 133 | 0,0200 | | 96 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6V12500HR3 | - - - | | 7483 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 110 v | Chassis -berg | SOT-957A | MRF6 | 1,03 GHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 200 ma | 500W | 19.7db | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9511-55A, 127 | 0,4700 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 55 v | 75A (TA) | 10Mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | ± 10 V | 4230 PF @ 25 V. | - - - | 166W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-C27,215 | 0,0200 | | 6165 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.392 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 18,9 v | 27 v | 80 Ohm |
2000+
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