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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | BZX284-B39,115 | - - - | ![]() | 1406 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-110 | Bzx284 | 400 MW | SOD-110 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 27.3 v | 39 v | 75 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMD9003d, 115 | - - - | ![]() | 3497 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 50 V NPN, 45 V NPN | MOSFET -TRIBER | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | PMD90 | SC-74 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | 100 Ma npn, 100 Ma npn | 2 NPN (Totempol) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4745a, 113 | 0,0400 | ![]() | 277 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | 1N47 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC144EU/ZL115 | 0,0200 | ![]() | 2171 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.750 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54S/6235 | 0,0300 | ![]() | 172 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bat54 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN1R5-40PS, 127 | - - - | ![]() | 2907 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PSMN1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40-05,215 | - - - | ![]() | 9238 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bas40 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMD20,115 | 0,0600 | ![]() | 9180 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | PEMD20 | 300 MW | SOT-666 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0095 | 411 | 50V | 100 ma | 1 µA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 20 Ma, 5V | - - - | 2.2ko | 2.2ko | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZM12NB2A, 115 | - - - | ![]() | 3895 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM12 | 220 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 100 na @ 9 V | 12 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCV62B, 235 | 0,1400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 30V | Stromspiegel | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BCV62 | SOT-143b | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.092 | 100 ma | 2 PNP (Dual) Stromspiegel | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMRF1315NR1 | - - - | ![]() | 4260 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 66 v | Oberflächenhalterung | To-270-2 | MMRF1 | 880 MHz | Ldmos | To-270-2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 450 Ma | 14W | 21.1DB | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX52-10,115 | - - - | ![]() | 2818 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BCX52 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ph1225al, 115 | 0,2200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | SOT-1023, 4-LFPAK | MOSFET (Metalloxid) | Lfpak56; Power-so8 | - - - | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,374 | N-Kanal | 25 v | 100a (TC) | 1,2 Mohm @ 15a, 10 V | 2,15 V @ 1ma | 105 NC @ 10 V | 6380 PF @ 12 V | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bas16t, 115 | - - - | ![]() | 9289 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Bas16 | Standard | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 100 v | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (max) | 155 Ma | 1,5PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN2R1-40PLQ | 1.3700 | ![]() | 1292 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | N-Kanal | 40 v | 150a (TC) | 10V | 2,2 MOHM @ 25a, 10V | 2,1 V @ 1ma | 87,8 NC @ 5 V | ± 20 V | 9584 PF @ 25 V. | - - - | 293W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C36,115 | - - - | ![]() | 9181 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZv55 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4734a, 133 | - - - | ![]() | 3992 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | 1N47 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C24,113 | 0,0300 | ![]() | 80 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,3 w | Do-41 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 17 v | 24 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847AW | - - - | ![]() | 4678 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMPB12UN, 115 | - - - | ![]() | 9143 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | PMPB12 | MOSFET (Metalloxid) | 6-DFN2020MD (2x2) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 7.9a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 18Mohm @ 7,9a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 13 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 886 PF @ 10 V. | - - - | 1,7W (TA), 12,5 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8P26080HSR5 | - - - | ![]() | 9892 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 65 V | Oberflächenhalterung | NI-780S-4L | MRF8 | 2,62 GHz | Ldmos | NI-780S-4L | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - - - | 300 ma | 14W | 15 dB | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLC8G24LS-240AVJ | - - - | ![]() | 7701 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 65 V | Chassis -berg | SOT-1252-1 | BLC8 | 2,3 GHz ~ 2,4 GHz | Ldmos | SOT1252-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 934067995118 | Ear99 | 8541.29.0075 | 100 | Dual | - - - | 800 mA | 63W | 15 dB | - - - | 30 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX284-B16,115 | - - - | ![]() | 6021 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-110 | Bzx284 | 400 MW | SOD-110 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 NA @ 11.2 V. | 16 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF7S38010HR5 | - - - | ![]() | 6683 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-400-240 | MRF7 | 3,4 GHz ~ 3,6 GHz | Ldmos | NI-400-240 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 160 ma | 2W | 15 dB | - - - | 30 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C2V7,215 | - - - | ![]() | 8838 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 900 mv @ 10 mA | 20 µa @ 1 V | 2,7 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-C13,115 | - - - | ![]() | 2279 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 100 µa @ 8 V | 13 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A5G35S004N-3400 | 105.4700 | ![]() | 7639 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 v | Oberflächenhalterung | 6-ldfn exponiert Pad | 3,3 GHz ~ 4,3 GHz | - - - | 6-PDFN (4x4,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | - - - | 12 Ma | 24,5 dbm | 16.9db | - - - | 48 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG3005AEV, 115 | 0,0500 | ![]() | 47 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMEG3005 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZM12NB3,115 | - - - | ![]() | 6631 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM12 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 100 na @ 9 V | 12 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMRF1312HR5 | 652.3000 | ![]() | 38 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 112 v | Chassis -berg | SOT-979A | MMRF1312 | 1,03 GHz | Ldmos | NI-1230-4H | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | Dual | - - - | 100 ma | 1000W | 19.6db | - - - | 50 v |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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