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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Hold (ih) (max) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | RAUSCHFIGUR | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | BUK662R7-55C | - - - | ![]() | 6957 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN005-55p, 127 | - - - | ![]() | 7457 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | PSMN0 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 55 v | 75a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.8mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | 103 NC @ 5 V. | ± 15 V | 6500 PF @ 25 V. | - - - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV199/ZLVL | - - - | ![]() | 9166 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAV199 | Standard | SOT-23 (to-236ab) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 75 V | 160 mA (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 3 µs | 5 Na @ 75 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54S/6215 | 0,0300 | ![]() | 61 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bat54 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX2V4B, 133 | 0,0200 | ![]() | 134 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN015-110P, 127 | - - - | ![]() | 5936 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PSMN0 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Z0107NA, 116 | 0,1000 | ![]() | 99 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | To-92-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 2,404 | Einzel | 10 ma | Logik - Sensitive Gate | 800 V | 1 a | 1,3 v | 8a, 8,5a | 5 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pzu22b, 115 | - - - | ![]() | 7008 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu22 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRFE6VS25GNR1 | 37.1900 | ![]() | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 133 v | Oberflächenhalterung | To-270ba | Mrfe6 | 512MHz | Ldmos | To-270-2 Möwe | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 5a991g | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 10 ma | 25W | 25.4db | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS116QA147 | 0,0300 | ![]() | 329 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA123TMB, 315 | 0,0200 | ![]() | 110 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | PDTA123 | 250 MW | DFN1006B-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 20 Ma, 5V | 180 MHz | 2.2 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2pb710as, 115 | - - - | ![]() | 7330 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2pb71 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 12.000 | 50 v | 500 mA | 10NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 170 @ 150 mA, 10V | 140 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-40/S500215 | - - - | ![]() | 4227 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pmzb350upe, 315 | - - - | ![]() | 1157 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | MOSFET (Metalloxid) | DFN1006B-3 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | P-Kanal | 20 v | 1a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 450MOHM @ 300 mA, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 1,9 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 127 PF @ 10 V | - - - | 360 MW (TA), 3.125 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC640,126 | - - - | ![]() | 7198 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC64 | 830 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 145 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4731a, 113 | - - - | ![]() | 4244 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | 1N47 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF8G10LS-160V, 112 | 66.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | 65 V | Flanschhalterung | SOT-502B | BLF8 | 920 MHz ~ 960 MHz | Ldmos | SOT502B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 a | 35W | 19.7db | - - - | 30 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLS7G2933S-150.112 | 515.3300 | ![]() | 32 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | 60 v | Chassis -berg | SOT-922-1 | 2,9 GHz ~ 3,3 GHz | Ldmos | CDFM2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 4,2 µA | 100 ma | 150W | 13,5 dB | - - - | 32 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B4V3/LF1R | - - - | ![]() | 6285 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-B4V3 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069407215 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 1 V | 4.3 v | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Php54N06T, 127 | - - - | ![]() | 5698 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Php54 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 55 v | 54a (TC) | 10V | 20mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 36 NC @ 10 V | ± 20 V | 1592 PF @ 25 V. | - - - | 118W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN8R5-108ES127 | - - - | ![]() | 4809 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMB4,115 | 0,0400 | ![]() | 56 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | Pemb4 | 300 MW | SOT-666 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100 ma | 1 µA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 200 @ 1ma, 5V | - - - | 10kohm | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF7S24250N-3STG | - - - | ![]() | 2591 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | MRF7S24250 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 935345449598 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C3V6,113 | 0,0200 | ![]() | 220 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 400 MW | ALF2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 1 V | 3.6 V | 90 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C4V7,215 | 0,0200 | ![]() | 5409 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,147 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 2 V | 4,7 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBLS2023D, 115 | 0,1200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PBLS20 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA143EMB, 315 | 0,0300 | ![]() | 200 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | 250 MW | DFN1006B-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 180 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMSTA3904,115 | 0,0200 | ![]() | 8177 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PMSTA | 200 MW | SC-70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 ma | 50na (ICBO) | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV90-C39115 | - - - | ![]() | 4179 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 1,5 w | SOT-223 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 27.3 v | 39 v | 130 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMRF1009HR5 | 594.7988 | ![]() | 8031 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 110 v | Chassis -berg | SOT-957A | MMRF1009 | 1,03 GHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 200 ma | 500W | 19.7db | - - - | 50 v |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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