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Diskette HalblerProdukte (471)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD18542KTT | 2.6600 |  | 153 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-4, d²pak (3 Leitete + Tab), to-263aaaa | CSD18542 | MOSFET (Metalloxid) | Ddpak/to-263-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 60 v | 200a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 100a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 57 NC @ 10 V | ± 20 V | 5070 PF @ 30 V | - - - | 250 W (TC) | ||||||||||||
 | CSD18537NQ5AT | 1.1000 | | 4 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD18537 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 6 V, 10V | 13mohm @ 12a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1480 PF @ 30 V | - - - | 3,2 W (TA), 75 W (TC) | ||||||||||||
| CSD17510Q5A | 1.2100 | | 4 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD17510 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 20A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.2mohm @ 20a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 8,3 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1250 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA) | ||||||||||||
 | LM3046MX/NOPB | - - - | | 6651 | 0.00000000 | Texas Instrumente | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | LM3046 | 750 MW | 14-soic | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | - - - | 15 v | 50 ma | 5 npn | 40 @ 1ma, 3v | - - - | 3.25db @ 1kHz | ||||||||||||||||
 | CSD23382F4 | 0,4700 | | 74 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Femtofet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | CSD23382 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 3,5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 76MOHM @ 500 mA, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | 1,35 NC @ 6 V | ± 8 v | 235 PF @ 6 V | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||||
 | CSD13306W | 0,5400 | | 3 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-UFBGA, DSBGA | CSD13306 | MOSFET (Metalloxid) | 6-dsbga (1x1.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 3,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 10,2 MOHM @ 1,5A, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 11.2 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 1370 PF @ 6 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||||||||
 | CSD23280F3T | 0,9400 | | 15 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Femtofet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | CSD23280 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 250 | P-Kanal | 12 v | 1,8a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 116mohm @ 400 mA, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 1,23 NC @ 4,5 V. | -6v | 234 PF @ 6 V. | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||||
 | CSD25485F5T | 0,9800 | | 2 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Femtofet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | CSD25485 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | P-Kanal | 20 v | 5.3a (ta) | 1,8 V, 8 V. | 35mohm @ 900 mA, 8v | 1,3 V @ 250 ähm | 3,5 NC @ 4,5 V. | -12V | 533 PF @ 10 V | - - - | 1.4W (TA) | ||||||||||||
| CSD17310Q5A | 0,9500 | | 30 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD17310 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 21a (ta), 100a (TC) | 3v, 8v | 5.1MOHM @ 20A, 8V | 1,8 V @ 250 ähm | 11.6 NC @ 4,5 V. | +10 V, -8v | 1560 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA) | ||||||||||||
 | CSD18511KTTT | 2.0100 | | 657 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | CSD18511 | MOSFET (Metalloxid) | Ddpak/to-263-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 110a (TA), 194a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,6 MOHM @ 100A, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 64 NC @ 10 V | ± 20 V | 5940 PF @ 20 V | - - - | 188W (TA) | ||||||||||||
| CSD18531Q5A | 1.7000 | | 8878 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD18531 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 19A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,6 MOHM @ 22A, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 43 NC @ 10 V | ± 20 V | 3840 PF @ 30 V | - - - | 3.1W (TA), 156W (TC) | ||||||||||||
 | LM395T | 5.2500 | | 42 | 0.00000000 | Texas Instrumente | - - - | Rohr | Nicht für Designs | 0 ° C ~ 125 ° C (TA) | K. Loch | To-220-3 | LM395 | To-220-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 45 | 36 v | 2.2 a | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||
 | CSD19538q3at | 1.8700 | | 4221 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | CSD19538 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (3x3.3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | 100 v | 15a (ta) | 6 V, 10V | 59mohm @ 5a, 10V | 3,8 V @ 250 ähm | 4,3 nc @ 10 v | ± 20 V | 454 PF @ 50 V | - - - | 2,8 W (TA), 23 W (TC) | ||||||||||||
| LM3046M/NOPB | - - - | | 6076 | 0.00000000 | Texas Instrumente | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | LM3046 | 750 MW | 14-soic | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 55 | - - - | 15 v | 50 ma | 5 npn | 40 @ 1ma, 3v | - - - | 3.25db @ 1kHz | ||||||||||||||||
 | LP395Z/NOPB | 1,8000 | | 4 | 0.00000000 | Texas Instrumente | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 125 ° C (TA) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | LP395 | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.800 | 36 v | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||
| CSD17551Q5A | 1.0000 | | 13 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD17551 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 48a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8,8 MOHM @ 11A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 7,2 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1272 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA) | ||||||||||||
 | CSD18541F5 | 0,4500 | | 8 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Femtofet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | CSD18541 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 2.2a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 65mohm @ 1a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 777 PF @ 30 V | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||||
 | CSD87313DMS | 0,8236 | | 9807 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | CSD87313 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Wson (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 30V | - - - | - - - | 1,25 V @ 250 ähm | 28nc @ 4,5V | 4290PF @ 15V | - - - | |||||||||||||||
| CSD18501Q5A | 1.8100 | | 15 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD18501 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 22A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,2 Mohm @ 25a, 10 V | 2,3 V @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 3840 PF @ 20 V | - - - | 3.1W (TA), 150W (TC) | ||||||||||||
| CSD18533Q5A | 1.5100 | | 9 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD18533 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 17A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5,9mohm @ 18a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 36 NC @ 10 V | ± 20 V | 2750 PF @ 30 V | - - - | 3.2W (TA), 116W (TC) | ||||||||||||
 | CSD13381F4 | 0,4400 | | 503 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | CSD13381 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 2.1a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 180 MOHM @ 500 Ma, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | 1,4 NC @ 4,5 V. | 8v | 200 PF @ 6 V | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||||
| CSD75208W1015 | 0,5600 | | 11 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-UFBGA, DSBGA | CSD75208 | MOSFET (Metalloxid) | 750 MW | 6-dsbga (1x1.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) Gemeinsame Quelle | 20V | 1.6a | 68mohm @ 1a, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | 2,5nc @ 4,5 V | 410pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||
 | Tpic5223ld | 1.0400 | | 1 | 0.00000000 | Texas Instrumente | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | CSD18536KCS | 4.7600 | | 478 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | CSD18536 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 200a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 1,6 MOHM @ 100A, 10 V | 2,2 V @ 250 ähm | 108 NC @ 10 V | ± 20 V | 11430 PF @ 30 V | - - - | 375W (TC) | ||||||||||||
| CSD18535KTT | 3.2800 | | 482 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-4, d²pak (3 Leitete + Tab), to-263aaaa | CSD18535 | MOSFET (Metalloxid) | Ddpak/to-263-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 60 v | 200a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 2mohm @ 100a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 81 NC @ 10 V | ± 20 V | 6620 PF @ 30 V | - - - | 300 W (TC) | ||||||||||||
| CSD16323Q3C | - - - | | 1183 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD16323 | MOSFET (Metalloxid) | 8-son-ep (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 21a (ta), 60a (TC) | 3v, 8v | 4,5 MOHM @ 24A, 8V | 1,4 V @ 250 ähm | 8,4 NC @ 4,5 V. | +10 V, -8v | 1300 PF @ 12.5 V. | - - - | 3W (TA) | ||||||||||||
 | CSD25402Q3A | 0,9200 | | 53 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | CSD25402Q3 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (3x3.15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 76a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 8,9mohm @ 10a, 4,5 V. | 1,15 V @ 250 ähm | 9,7 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 1790 PF @ 10 V. | - - - | 2,8 W (TA), 69W (TC) | ||||||||||||
 | Tpic1501adwr | 2.5100 | | 18 | 0.00000000 | Texas Instrumente | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| CSD25304W1015 | 0,5000 | | 3 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-UFBGA, DSBGA | CSD25304 | MOSFET (Metalloxid) | 6-dsbga (1x1.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 32,5 MOHM @ 1,5A, 4,5 V. | 1,15 V @ 250 ähm | 4,4 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 595 PF @ 10 V. | - - - | 750 MW (TA) | ||||||||||||
 | CSD17309Q3 | 1.1900 | | 1 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD17309 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSON-Clip (3.3x3.3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 20A (TA), 60A (TC) | 3v, 8v | 5.4mohm @ 18a, 8v | 1,7 V @ 250 ähm | 10 NC @ 4,5 V. | +10 V, -8v | 1440 PF @ 15 V | - - - | 2,8 W (TA) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
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