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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD17581Q3AT | 0,9700 |  | 2 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | CSD17581 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (3x3.3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,8 MOHM @ 16A, 10V | 1,7 V @ 250 ähm | 54 NC @ 10 V | ± 20 V | 3640 PF @ 15 V | - - - | 2,8 W (TA), 63W (TC) | ||||
 | CSD18510Q5B | 2.3200 | | 7 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD18510 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Vson-Clip (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 300A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,96 MOHM @ 32A, 10 V. | 2,3 V @ 250 ähm | 153 NC @ 10 V | ± 20 V | 11400 PF @ 20 V | - - - | 156W (TC) | ||||
| CSD19531Q5A | 1.7700 | | 2626 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD19531 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 100a (TC) | 6 V, 10V | 6.4mohm @ 16a, 10V | 3,3 V @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 20 V | 3870 PF @ 50 V | - - - | 3,3 W (TA), 125W (TC) | ||||
 | TPIC1502DWR | 1.2400 | | 38 | 0.00000000 | Texas Instrumente | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | CSD23203W | 0,5100 | | 3 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-UFBGA, DSBGA | CSD23203 | MOSFET (Metalloxid) | 6-dsbga (1x1.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 3a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 19,4 MOHM @ 1,5A, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | 6,3 NC @ 4,5 V. | -6v | 914 PF @ 4 V. | - - - | 750 MW (TA) | ||||
 | CSD17381F4T | 0,9800 | | 88 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Femtofet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | CSD17381 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 250 | N-Kanal | 30 v | 3.1a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 109mohm @ 500 mA, 8v | 1,1 V @ 250 ähm | 1,35 NC @ 4,5 V. | 12V | 195 PF @ 15 V | - - - | 500 MW (TA) | ||||
| CSD16404Q5A | 1.0900 | | 4 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD16404 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 21a (Ta), 81a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.1MOHM @ 20A, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 8,5 NC @ 4,5 V | +16 V, -12v | 1220 PF @ 12,5 V. | - - - | 3W (TA) | ||||
| CSD17303Q5 | 1.7500 | | 3 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD17303 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Vson-Clip (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 32A (TA), 100A (TC) | 3v, 8v | 2,4 Mohm @ 25a, 8v | 1,6 V @ 250 ähm | 23 NC @ 4,5 V. | +10 V, -8v | 3420 PF @ 15 V | - - - | 3.2W (TA) | ||||
 | CSD87334Q3DT | 1.6600 | | 7151 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD87334Q3 | MOSFET (Metalloxid) | 6W | 8-VSON (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch | 30V | - - - | 6mohm @ 12a, 8v | 1,2 V @ 250 ähm | 8,3nc @ 4,5V | 1260PF @ 15V | - - - | ||||||
 | CSD88584Q5DC | 3.7700 | | 4 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 22-powertfdfn | CSD88584Q5 | MOSFET (Metalloxid) | 12W | 22-Vson-Clip (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 40V | - - - | 0,95 MOHM @ 30a, 10 V. | 2,3 V @ 250 ähm | 88nc @ 4,5V | 12400PF @ 20V | - - - | ||||||
 | CSD16342Q5AT | - - - | | 8264 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD16342 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSON (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 296-CSD16342q5at | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 25 v | 21a (ta), 100a (TC) | 2,5 V, 8 V | 4,7mohm @ 20a, 8v | 1,1 V @ 250 ähm | 7.1 NC @ 4.5 V. | +10 V, -8v | 1350 PF @ 12.5 V. | - - - | 3W (TA) | ||||
| CSD25402Q3AT | 1.1200 | | 9 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | CSD25402Q3 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (3x3.3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 296-CSD25402Q3ATCT | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | P-Kanal | 20 v | 15a (ta), 76a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 8,9mohm @ 10a, 4,5 V. | 1,15 V @ 250 ähm | 9,7 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 1790 PF @ 10 V. | - - - | 2,8 W (TA), 69W (TC) | |||
 | CSD18534KCS | 1.5300 | | 2 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | CSD18534 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 45A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 40A, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 1880 PF @ 30 V | - - - | 107W (TC) | ||||
| CSD19537Q3 | 1.3300 | | 8 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | CSD19537 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSON (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 50a (ta) | 6 V, 10V | 14,5 MOHM @ 10a, 10V | 3,6 V @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 1680 PF @ 50 V | - - - | 2,8 W (TA), 83W (TC) | ||||
 | CSD15380F3T | 0,9400 | | 9 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Femtofet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | CSD15380 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 250 | N-Kanal | 20 v | 500 mA (TA) | 2,5 V, 8 V | 1190MOHM @ 100 Ma, 8V | 1,35 V @ 2,5 µA | 0,281 NC @ 10 V | 10V | 10.5 PF @ 10 V | - - - | 500 MW (TA) | ||||
| CSD18563Q5A | 1.4900 | | 12 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD18563 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 100a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 6,8 MOHM @ 18A, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 1500 PF @ 30 V | - - - | 3.2W (TA), 116W (TC) | ||||
| CSD18537NKCS | 1.3500 | | 3 | 0.00000000 | Texas Instrumente | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | CSD18537 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 6 V, 10V | 14mohm @ 25a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1480 PF @ 30 V | - - - | 94W (TC) | ||||
 | CSD19535KTT | 3.4200 | | 1192 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-4, d²pak (3 Leitete + Tab), to-263aaaa | CSD19535 | MOSFET (Metalloxid) | Ddpak/to-263-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 v | 200a (TA) | 6 V, 10V | 3.4mohm @ 100a, 10 V. | 3,4 V @ 250 ähm | 98 NC @ 10 V. | ± 20 V | 7930 PF @ 50 V | - - - | 300 W (TC) | ||||
| CSD18535KCS | 3.1400 | | 1074 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | CSD18535 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 200a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 2mohm @ 100a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 81 NC @ 10 V | ± 20 V | 6620 PF @ 30 V | - - - | 300 W (TC) | ||||
| CSD87334q3d | 0,6547 | | 5491 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD87334Q3 | MOSFET (Metalloxid) | 6W | 8-VSON (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch | 30V | 20a | 6mohm @ 12a, 8v | 1,2 V @ 250 ähm | 8,3nc @ 4,5V | 1260PF @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||
 | CSD25202W15 | 0,6300 | | 3 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 9-UFBGA, DSBGA | CSD25202 | MOSFET (Metalloxid) | 9-dsbga | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 26mohm @ 2a, 4,5 V. | 1,05 V @ 250 ähm | 7,5 NC @ 4,5 V | -6v | 1010 PF @ 10 V. | - - - | 500 MW (TA) | ||||
| CSD18513Q5AT | 1.3900 | | 280 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD18513 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | 40 v | 124a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.3mohm @ 19a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 61 NC @ 10 V | ± 20 V | 4280 PF @ 20 V | - - - | 96W (TC) | ||||
| CSD18509Q5BT | 2.8100 | | 14 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD18509 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Vson-Clip (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | 40 v | 100a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 1,2 MOHM @ 32A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 195 NC @ 10 V. | ± 20 V | 13900 PF @ 20 V | - - - | 3.1W (TA), 195W (TC) | ||||
 | CSD13302W | 0,4900 | | 9 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-UFBGA, DSBGA | CSD13302 | MOSFET (Metalloxid) | 4-dsbga (1x1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 1,6a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 17.1mohm @ 1a, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 7,8 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 862 PF @ 6 V | - - - | 1,8W (TA) | ||||
| CSD16415Q5T | 2.8200 | | 325 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD16415 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Vson-Clip (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | 25 v | 100a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 1,15 MOHM @ 40A, 10V | 1,9 V @ 250 ähm | 29 NC @ 4,5 V. | +16 V, -12v | 4100 PF @ 12.5 V. | - - - | 3.2W (TA) | ||||
 | CSD86350q5d | 2.7700 | | 5 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerldfn | CSD86350Q5 | MOSFET (Metalloxid) | 13W | 8-lson (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 25 v | 40a | 6mohm @ 20a, 8v | 2,1 V @ 250 ähm | 10.7nc @ 4.5v | 1870pf @ 12.5V | Logikpegel -tor | ||||||
| CSD19533KCS | 1.7500 | | 2 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | CSD19533 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 100a (ta) | 6 V, 10V | 10,5 MOHM @ 55A, 10V | 3,4 V @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | 2670 PF @ 50 V | - - - | 188W (TC) | ||||
| CSD18511Q5A | 1.3900 | | 9346 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD18511 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 159a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,5 MOHM @ 24a, 4,5 V. | 2.45 V @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 5850 PF @ 10 V | - - - | 104W (TC) | ||||
| CSD17578q3at | 1.2700 | | 1 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | CSD17578 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (3x3.3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | 30 v | 20a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7.3mohm @ 10a, 10V | 1,9 V @ 250 ähm | 22.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 1590 PF @ 15 V | - - - | 3.2W (TA), 37W (TC) | ||||
| CSD19532KTT | 2.6600 | | 3 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-4, d²pak (3 Leitete + Tab), to-263aaaa | CSD19532 | MOSFET (Metalloxid) | Ddpak/to-263-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 v | 200a (TA) | 6 V, 10V | 5.6mohm @ 90a, 10V | 3,2 V @ 250 ähm | 57 NC @ 10 V | ± 20 V | 5060 PF @ 50 V | - - - | 250 W (TC) |
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