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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD18504KCS | 1.6200 |  | 103 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | CSD18504 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 53A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 40a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 1800 PF @ 20 V | - - - | 115W (TC) | ||||||||||||||||||
 | CSD16556Q5B | 2.3200 | | 2 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD16556 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,07MOHM @ 30a, 10V | 1,7 V @ 250 ähm | 47 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 6180 PF @ 15 V | - - - | 3.2W (TA), 191W (TC) | ||||||||||||||||||
| CSD18532Q5B | 2.4800 | | 753 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD18532 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 100a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 3,2 Mohm @ 25a, 10 V | 2,2 V @ 250 ähm | 58 NC @ 10 V | ± 20 V | 5070 PF @ 30 V | - - - | 3,2 W (TA), 156W (TC) | ||||||||||||||||||
 | UC1610L/883B | 29.4300 | | 108 | 0.00000000 | Texas Instrumente | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TPS2013APWR | 0,5500 | | 630 | 0.00000000 | Texas Instrumente | * | Schüttgut | Aktiv | TPS2013 | - - - | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 630 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN910214N-P | - - - | | 7203 | 0.00000000 | Texas Instrumente | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bat54s | 1.0000 | | 6358 | 0.00000000 | Texas Instrumente | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 30 v | 200 ma | 1 V @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||
 | FDP032N08 | 1.0000 | | 9754 | 0.00000000 | Texas Instrumente | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FDP032 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1 | N-Kanal | 75 V | 120a (TC) | 10V | 3,2 MOHM @ 75A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 220 NC @ 10 V | ± 20 V | 15160 PF @ 25 V. | - - - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||
| TPIC1533DW | 2.4900 | | 1 | 0.00000000 | Texas Instrumente | * | Schüttgut | Veraltet | Tpic15 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 5962-90538012a | 40.8600 | | 35 | 0.00000000 | Texas Instrumente | * | Schüttgut | Aktiv | 5962-905 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ULN2004ANE4 | - - - | | 4205 | 0.00000000 | Texas Instrumente | * | Schüttgut | Aktiv | ULN2004 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UC1611J883B | 26.1200 | | 13 | 0.00000000 | Texas Instrumente | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SN74S1052NS | 1.4200 | | 5 | 0.00000000 | Texas Instrumente | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FJT44KTF | - - - | | 9510 | 0.00000000 | Texas Instrumente | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 2 w | SOT-223-4 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 400 V | 300 ma | 500NA | Npn | 750 mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 10 ma, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
 | CSD25501F3 | 0,4300 | | 11 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Femtofet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Xflga | CSD25501 | MOSFET (Metalloxid) | 3-LGA (0,73x0,64) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.6a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 76MOHM @ 400 mA, 4,5 V. | 1,05 V @ 250 ähm | 1,33 NC @ 4,5 V. | -20V | 385 PF @ 10 V. | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||||||||||
| CSD25501F3T | 0,8900 | | 22 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Femtofet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Xflga | CSD25501F3 | MOSFET (Metalloxid) | 3-LGA (0,73x0,64) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 250 | P-Kanal | 20 v | 3.6a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 76MOHM @ 400 mA, 4,5 V. | 1,05 V @ 250 ähm | 1,33 NC @ 4,5 V. | -20V | 385 PF @ 10 V. | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||||||||||
 | CSD13380F3T | 0,9400 | | 29 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Femtofet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | CSD13380 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 250 | N-Kanal | 12 v | 3.6a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 76MOHM @ 400 mA, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 1,2 NC @ 4,5 V. | 8v | 156 PF @ 6 V | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||||||||||
 | CSD85312Q3E | 1.2800 | | 2011 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | CSD85312 | MOSFET (Metalloxid) | 2.5W | 8-VSON (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) Gemeinsame Quelle | 20V | 39a | 12.4mohm @ 10a, 8v | 1,4 V @ 250 ähm | 15.2nc @ 4,5 V | 2390pf @ 10v | Logikpegel -Tor, 5 V Auftwerk | ||||||||||||||||||||
| CSD19502Q5B | 2.6500 | | 14 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD19502 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Vson-Clip (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 80 v | 100a (ta) | 6 V, 10V | 4.1MOHM @ 19A, 10V | 3,3 V @ 250 ähm | 62 NC @ 10 V | ± 20 V | 4870 PF @ 40 V | - - - | 3.1W (TA), 195W (TC) | ||||||||||||||||||
| CSD19533Q5A | 1.5600 | | 579 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD19533 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 100a (ta) | 6 V, 10V | 9.4mohm @ 13a, 10V | 3,4 V @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | 2670 PF @ 50 V | - - - | 3.2W (TA), 96W (TC) | ||||||||||||||||||
 | CSD13381F4T | 0,9300 | | 6 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Femtofet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | CSD13381F4 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 250 | N-Kanal | 12 v | 2.1a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 180 MOHM @ 500 Ma, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | 1,4 NC @ 4,5 V. | 8v | 200 PF @ 6 V | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||||||||||
 | CSD23202W10 | 0,4200 | | 4 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-UFBGA, DSBGA | CSD23202 | MOSFET (Metalloxid) | 4-dsbga (1x1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 2.2a (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 53mohm @ 500 mA, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 3,8 NC @ 4,5 V. | -6v | 512 PF @ 6 V. | - - - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||
 | CSD87333q3d | 1.3000 | | 2 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD87333Q3 | MOSFET (Metalloxid) | 6W | 8-VSON (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch | 30V | 15a | 14.3mohm @ 4a, 8v | 1,2 V @ 250 ähm | 4.6nc @ 4.5V | 662pf @ 15V | Logikpegel -Tor, 5 V Auftwerk | ||||||||||||||||||||
| CSD17573Q5B | 1.6200 | | 10 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD17573Q5 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Vson-Clip (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 100a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 1mohm @ 35a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 64 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 9000 PF @ 15 V | - - - | 3.2W (TA), 195W (TC) | ||||||||||||||||||
 | SN75469DR | 0,8800 | | 3 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | SN75469 | - - - | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 100V | 500 mA | - - - | 7 NPN Darlington | 1,6 V @ 500 µA, 350 mA | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||
| CSD18503Q5AT | 1.7100 | | 733 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD18503 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | 40 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,3 MOHM @ 22A, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 16 NC @ 4,5 V | ± 20 V | 2640 PF @ 20 V | - - - | 3.1W (TA), 120W (TC) | ||||||||||||||||||
| CSD17573Q5BT | 1.9900 | | 3 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD17573Q5 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Vson-Clip (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | 30 v | 100a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 1mohm @ 35a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 64 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 9000 PF @ 15 V | - - - | 3.2W (TA), 195W (TC) | ||||||||||||||||||
| CSD18532NQ5BT | 2.9700 | | 4 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD18532 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Vson-Clip (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | 60 v | 100a (ta) | 6 V, 10V | 3.4mohm @ 25a, 10V | 3,4 V @ 250 ähm | 64 NC @ 10 V | ± 20 V | 5340 PF @ 30 V | - - - | 3.1W (TA), 156W (TC) | ||||||||||||||||||
 | CSD19537Q3T | 1.6000 | | 1947 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | CSD19537Q3 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSON (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | 100 v | 50a (ta) | 6 V, 10V | 14,5 MOHM @ 10a, 10V | 3,6 V @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 1680 PF @ 50 V | - - - | 2,8 W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||||
 | CSD22202W15 | 0,7300 | | 53 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 9-UFBGA, DSBGA | CSD22202 | MOSFET (Metalloxid) | 9-dsbga | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 10a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 12,2 MOHM @ 2A, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | 8,4 NC @ 4,5 V. | -6v | 1390 PF @ 4 V. | - - - | 1,5 W (TA) |
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