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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Spannung - Anode - Kathode (VAK) (max) | Reglerstrom (max) | Spannung - Begrenzung (max) |
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CDLL3822 | 10.1250 | ![]() | 2442 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL3822 | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 75 µa @ 1 V | 3.6 V | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N3139 | 245.8350 | ![]() | 3833 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | Standard | DO-205AA (DO-8) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n3139 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,2 V @ 200 a | 50 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - - - | |||||||||||||||||||||
1N4619-1 | 2.6400 | ![]() | 658 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4619 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 400 na @ 1 v | 3 v | 1600 Ohm | |||||||||||||||||||||
1N4584A-1 | 26.9100 | ![]() | 6522 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4584 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 25 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5238 | 13.8453 | ![]() | 5357 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N5238 | 1 w | To-5aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 170 v | 10 a | 10 µA | Npn | 2,5 V @ 1a, 10a | 50 @ 1a, 5V | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | Jan2N3507Al | 12.1695 | ![]() | 6774 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/349 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N3507 | 1 w | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 v | 3 a | - - - | Npn | 1,5 V @ 250 mA, 2,5a | 30 @ 1,5a, 2v | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | JantX1N4993d | 45.1950 | ![]() | 3839 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 228 V | 300 V | 950 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4590 | 103.2300 | ![]() | 1866 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | Standard | DO-205AA (DO-8) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4590 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 200 a | 50 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - - - | |||||||||||||||||||||
JantX1N4962DUS | 29.4600 | ![]() | 5701 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N4962 | 5 w | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 5 µa @ 11,4 V | 15 v | 3,5 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | CDLL6348/Tr | 13.1404 | ![]() | 6551 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 500 MW | Do-213ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll6348/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 na @ 76 V | 100 v | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5370BE3/TR12 | 2.6850 | ![]() | 4500 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5370 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 40.3 V. | 56 v | 35 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N6639us/Tr | 9.3100 | ![]() | 3200 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/609 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, d | Standard | D-5d | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n6639us/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 75 V | 1,2 V @ 300 mA | 4 ns | 100 na @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 300 ma | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | JantX1N6332CUS | 39.7950 | ![]() | 3532 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JantX1N6332CUS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 17 v | 22 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||
1N5264 | 2.1000 | ![]() | 3406 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5264 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 44 v | 60 v | 170 Ohm | |||||||||||||||||||||||
1N5070SM | 27.0900 | ![]() | 7092 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 3 w | A, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5070SM | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 10,6 V | 14 v | 6 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
1n5227a | 2.7150 | ![]() | 3580 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 15 µA @ 950 mV | 3.6 V | 24 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5534D/Tr | 16.3950 | ![]() | 3802 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5534d/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 12,6 V. | 14 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | Janhca1n4618 | 12.1695 | ![]() | 5396 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1N4618 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 1 V | 2,7 v | 1500 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N3823AUR-1/Tr | 12.4355 | ![]() | 7708 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N3823aur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 25 µa @ 1 V | 3,9 v | 9 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4110ur-1 | 11.2500 | ![]() | 3323 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4110 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 12,2 V. | 16 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | CDll4582a | 9.0151 | ![]() | 4191 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | CDLL4582 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 25 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N756AUR-1 | 4.2600 | ![]() | 7146 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | JantX1N756aur-1ms | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 6 V | 8.2 v | 5 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | CD4131 | 1.3699 | ![]() | 8678 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD4131 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 10 Na @ 57 V | 75 V | 700 Ohm | |||||||||||||||||||||
1N6351 | 8.4150 | ![]() | 6769 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6351 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 99 V | 130 v | 850 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N5291UR-1 | 130.1550 | ![]() | 5608 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N5291 | 500 MW | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616 µA | 1.1V | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4462CUS | 264.9118 | ![]() | 2100 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N4462CUS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
Jan1N964D-1 | 6.0900 | ![]() | 3776 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N964 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 9.9 V. | 13 v | 13 Ohm | |||||||||||||||||||||
JantX1N983CUR-1/Tr | 13.9384 | ![]() | 3953 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N983 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n983cur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 62 V. | 82 v | 330 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N6003C/Tr | 4.0698 | ![]() | 8752 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6003c/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 NA @ 9.9 V. | 13 v | 25 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | JantXV1N4127CUR-1 | 28.8000 | ![]() | 7433 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4127 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 42.6 V. | 56 v | 300 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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