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Diskette HalblerProdukte (41164)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Eingabekapazität (cies) @ vce Ausfluss @ if, f Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
JANS1N4627-1/TR Microchip Technology JANS1N4627-1/Tr 28.5300
RFQ
 ECAD 5544 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jans1N4627-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 1 µa @ 5,7 V 6.2 v 1,2 Ohm
SBR6030LE3 Microchip Technology SBR6030LE3 123.0900
RFQ
 ECAD 5427 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv Bolzenhalterung DO-203AB, DO-5, Stud Schottky Do-5 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-SBR6030LE3 Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 480 mv @ 60 a 5 ma @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C. 60a - - -
CD0.5A20 Microchip Technology CD0.5A20 3.1200
RFQ
 ECAD 6438 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Sterben Schottky Sterben - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-CD0.5A20 Ear99 8541.10.0070 1 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 20 v 500 mV @ 100 mA 10 µa @ 20 V -65 ° C ~ 125 ° C. 200 ma 50pf @ 0v, 1 MHz
SMBJ5935AE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5935AE3/TR13 0,8850
RFQ
 ECAD 9442 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB SMBJ5935 2 w Smbj (do-214aa) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 1 µA @ 20,6 V 27 v 23 Ohm
JANTXV1N5520CUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n5520cur-1/Tr 44.0363
RFQ
 ECAD 8183 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/437 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) 500 MW Do-213aa - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv1n5520cur-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 1 µa @ 1 V 3,9 v 22 Ohm
2N5793AU/TR Microchip Technology 2n5793au/tr 71.0700
RFQ
 ECAD 4195 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-smd, Keine Frotung 2N5793 600 MW U - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N5793AU/Tr Ear99 8541.21.0095 100 40V 600 mA 10 µA (ICBO) 2 NPN (Dual) 900mv @ 30 mA, 300 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANTX1N4981DUS/TR Microchip Technology Jantx1n4981dus/tr 30.9000
RFQ
 ECAD 4701 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/356 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, b 5 w E-Melf - - - 150-Jantx1n4981dus/tr Ear99 8541.10.0050 100 1,5 V @ 1 a 2 µA @ 69.2 V. 91 V 90 Ohm
JANTX1N6635 Microchip Technology JantX1N6635 - - -
RFQ
 ECAD 8392 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/356 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch B, axial 5 w B, axial - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 a 25 µa @ 1 V 4.3 v 2 Ohm
JANS1N5809 Microchip Technology JANS1N5809 47.1800
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/477 Schüttgut Aktiv K. Loch B, axial 1N5809 Standard B, axial Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 875 mv @ 4 a 30 ns 5 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 175 ° C. 3a 60pf @ 10v, 1 MHz
JAN1N970B-1 Microchip Technology Jan1N970B-1 2.1150
RFQ
 ECAD 4322 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/117 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N970 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 500 NA @ 18 V. 24 v 33 Ohm
1N4128UR/TR Microchip Technology 1N4128ur/tr 3.9450
RFQ
 ECAD 9975 0.00000000 Mikrochip -technologie Mil-std-750 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213aa 500 MW Do-213aa - - - 150-1n4128ur/tr Ear99 8541.10.0050 249 1,1 V @ 200 Ma 10 NA @ 45.6 V. 60 v 400 Ohm
APT75DQ60SG Microchip Technology APT75DQ60SG 4.0650
RFQ
 ECAD 1459 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa APT75DQ60 Standard D3pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-apt75dq60Sg Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2,5 V @ 75 a 31 ns 25 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 75a - - -
1PMT4108CE3/TR7 Microchip Technology 1 PMT4108CE3/TR7 0,4950
RFQ
 ECAD 5251 0.00000000 Mikrochip -technologie PowerMite® Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-216aa 13.00 UHR 4108 1 w Do-216 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 200 Ma 50 NA @ 10.65 V. 14 v 200 Ohm
1N5277BUR-1 Microchip Technology 1N5277bur-1 5.1900
RFQ
 ECAD 5555 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213aa 1N5277 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 100 NA @ 122 V. 160 v 1700 Ohm
APTM120H140FT1G Microchip Technology APTM120H140ft1G 73.6800
RFQ
 ECAD 8821 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp1 APTM120 MOSFET (Metalloxid) 208W Sp1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 4 N-Kanal (Halbe Brücke) 1200 V (1,2 kV) 8a 1,68ohm @ 7a, 10V 5v @ 1ma 145nc @ 10v 3812pf @ 25v - - -
APT50GT120B2RG Microchip Technology APT50GT120B2RG 16.4400
RFQ
 ECAD 228 0.00000000 Mikrochip -technologie Thunderbolt IGBT® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT50GT120 Standard 625 w Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 800 V, 50A, 4,7OHM, 15 V. Npt 1200 V 94 a 150 a 3,7 V @ 15V, 50A 2330 µj (AUS) 340 NC 24ns/230ns
APT54GA60BD30 Microchip Technology APT54GA60BD30 7.7000
RFQ
 ECAD 5341 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT54GA60 Standard 416 w To-247 [b] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 400 V, 32A, 4,7OHM, 15 V. Pt 600 V 96 a 161 a 2,5 V @ 15V, 32a 534 µj (EIN), 466 µJ (AUS) 28 NC 17ns/112ns
1N4973US/TR Microchip Technology 1N4973us/tr 9.3400
RFQ
 ECAD 9565 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, b 5 w E-Melf - - - Ear99 8541.10.0050 103 1,5 V @ 1 a 2 µA @ 32,7 V. 43 v 20 Ohm
JANHCA1N5534D Microchip Technology Janhca1n5534d - - -
RFQ
 ECAD 3211 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/437 Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Janhca1n5534d Ear99 8541.10.0050 100 1,1 V @ 200 Ma 10 NA @ 12,6 V. 14 v 100 Ohm
APT100GT120JR Microchip Technology APT100GT120JR 51.6200
RFQ
 ECAD 1476 0.00000000 Mikrochip -technologie Thunderbolt IGBT® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc APT100 570 w Standard ISOTOP® Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel Npt 1200 V 123 a 3,7 V @ 15V, 100a 100 µA NEIN 6.7 NF @ 25 V.
BZV55C68/TR Microchip Technology BZV55C68/Tr 2.7664
RFQ
 ECAD 1836 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) Do-213aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-BZV55C68/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 50 NA @ 47.6 V. 68 v
JANTX1N986CUR-1/TR Microchip Technology JantX1N986CUR-1/Tr 13.9384
RFQ
 ECAD 4289 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/117 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N986 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantx1n986cur-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,3 V @ 200 Ma 500 NA @ 84 V 110 v 750 Ohm
APT75GN120LG Microchip Technology APT75GN120LG 16.3600
RFQ
 ECAD 172 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa APT75GN120 Standard 833 w To-264 [l] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 800 V, 75A, 1OHM, 15 V. TRABENFELD STOPP 1200 V 200 a 225 a 2,1 V @ 15V, 75a 8620 µJ (EIN), 11400 µJ (AUS) 425 NC 60ns/620ns
1N4756AUR Microchip Technology 1N4756aur 3.4650
RFQ
 ECAD 1437 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf 1N4756 1 w Do-213ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 5 µA @ 35,8 V. 47 v 80 Ohm
SMBG5369BE3/TR13 Microchip Technology SMBG5369BE3/TR13 1.1400
RFQ
 ECAD 9604 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung DO-215AA, SMB Möwenflügel SMBG5369 5 w SMBG (Do-215AA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 1 a 500 NA @ 36.7 V. 51 v 27 Ohm
JANTXV1N4963US/TR Microchip Technology Jantxv1n4963us/tr 16.1250
RFQ
 ECAD 3599 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/356 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, b 5 w E-Melf - - - 150-Jantxv1n4963us/tr Ear99 8541.10.0050 100 1,5 V @ 1 a 5 µA @ 12,2 V. 16 v 3,5 Ohm
JANTXV1N6348DUS Microchip Technology Jantxv1n6348dus 68.5500
RFQ
 ECAD 2147 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/533 Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, b 500 MW B, SQ-Melf - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv1n6348dus Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 50 na @ 76 V 100 v 340 Ohm
UPP1004E3/TR13 Microchip Technology UPP1004E3/TR13 2.2200
RFQ
 ECAD 6300 0.00000000 Mikrochip -technologie PowerMite® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Do-216aa UPP1004 Do-216 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 12.000 2,5 w 1,6PF @ 100V, 1 MHz Pin - Single 100V 1ohm @ 10 mA, 100 MHz
MCP87050T-U/MF Microchip Technology MCP87050T-U/MF - - -
RFQ
 ECAD 5439 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn MCP87050 MOSFET (Metalloxid) 8-PDFN (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.300 N-Kanal 25 v 100a (TC) 4,5 V, 10 V. 5mohm @ 20a, 10V 1,6 V @ 250 ähm 15 NC @ 4,5 V +10 V, -8v 1040 PF @ 12.5 V. - - - 2.2W (TA)
1N3038BUR-1/TR Microchip Technology 1N3038BUR-1/Tr 15.4500
RFQ
 ECAD 1111 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) 1 w Do-213AB (Melf, LL41) - - - Ear99 8541.10.0050 100 1,2 V @ 200 Ma 10 µA @ 42,6 V. 56 v 110 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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196-LFBGA Expositionspad

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