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Diskette HalblerProdukte (41164)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan1N987BUR-1/Tr | - - - |  | 6956 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 400 MW | Do-213aa | - - - | 150-Jan1N987BUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,3 V @ 200 Ma | 500 NA @ 91 V | 120 v | 900 Ohm | ||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n4493cus/tr | 38.8800 | | 5492 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | 150-Jantx1n4493cus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 250 NA @ 120 V | 150 v | 700 Ohm | ||||||||||||||||||||||
| JANS1N6348CUS/TR | 527.7150 | | 2638 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | 150-Jans1N6348CUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 76 V | 100 v | 340 Ohm | ||||||||||||||||||||||
 | JantXV1N6634DUS/Tr | - - - | | 1084 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | E-Melf | Herunterladen | 150-Jantxv1n6634dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 175 µa @ 1 V | 3,9 v | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n4463cus/tr | 31.0350 | | 1238 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | 150-Jantxv1n4463cus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 500 NA @ 4,92 V. | 8.2 v | 3 Ohm | ||||||||||||||||||||||
 | Jan1n6330us/tr | 13.2000 | | 3505 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | 150-Jan1N6330us/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 14 v | 18 v | 14 Ohm | ||||||||||||||||||||||
| 1N6014ur-1/tr | 3.7400 | | 6971 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | Ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1,1 V @ 200 Ma | 39 v | |||||||||||||||||||||||||
| 1N6012UR-1/Tr | 3.7400 | | 4052 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | Ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1,1 V @ 200 Ma | 33 v | |||||||||||||||||||||||||
| 1N5277bur-1/tr | 5.3400 | | 1275 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | Ear99 | 8541.10.0050 | 182 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 NA @ 122 V. | 160 v | 1700 Ohm | |||||||||||||||||||||||
| 1N4113DUR-1/Tr | 9.6300 | | 4084 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 14.5 V. | 19 v | 150 Ohm | |||||||||||||||||||||||
| 1N4716ur-1/tr | 5.2400 | | 1312 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | Ear99 | 8541.10.0050 | 186 | 1,5 V @ 100 mA | 10 NA @ 29.6 V. | 39 v | ||||||||||||||||||||||||
| MSCSM120AM13CT6AG | - - - | | 1487 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Kasten | Aktiv | Herunterladen | 150-MSCSM120AM13CT6AG | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSCSM70XM45CTYZBNMG | - - - | | 1435 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | Silziumkarbid (sic) | 141W (TC), 292W (TC) | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 | 6 N-Kanal (3-Phasen-Brückke) | 700V | 52a (TC), 110a (TC) | 44mohm @ 30a, 20V, 19Mohm @ 40a, 20V | 2,7 V @ 2MA, 2,4 V @ 4MA | 99nc @ 20v, 215nc @ 20V | 2010pf @ 700V, 4500pf @ 700V | Silziumkarbid (sic) | ||||||||||||||||||||
| MSCGLQ40X120CTYZBNMG | - - - | | 3228 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 294 w | DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER | - - - | Herunterladen | 150-MSCGLQ40x120ctyZBNMG | 1 | Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse | - - - | 1200 V | 75 a | 2,4 V @ 15V, 40a | 100 µA | Ja | 2300 PF @ 25 V. | ||||||||||||||||||||
| 1n2820a | 94.8900 | | 5785 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | To-204ad | 1N2820 | 50 w | To-204ad (to-3) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µA @ 18,2 V. | 24 v | 2,6 Ohm | |||||||||||||||||||
 | 1N5365A/TR12 | 2.6250 | | 4035 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5365 | 5 w | T-18 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 25.9 V. | 36 v | 11 Ohm | |||||||||||||||||||
| 1N5359/TR12 | 2.6250 | | 8379 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5359 | 5 w | T-18 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 17.3 V. | 24 v | 3,5 Ohm | |||||||||||||||||||
| 1N5918AE3/TR13 | 0,9900 | | 6804 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5918 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 4 Ohm | |||||||||||||||||||
 | SMBJ5387CE3/TR13 | 1.0800 | | 1742 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5387 | 5 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 137 V | 190 v | 450 Ohm | |||||||||||||||||||
| SMBJ4740E3/TR13 | 0,4350 | | 9070 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ4740 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 7,6 V | 10 v | 7 Ohm | |||||||||||||||||||
| SMBJ5940B/TR13 | 1.5600 | | 3421 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5940 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 32,7 V. | 43 v | 53 Ohm | |||||||||||||||||||
| SMBJ5943AE3/TR13 | 0,8850 | | 8385 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5943 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 42,6 V. | 56 v | 86 Ohm | |||||||||||||||||||
| SMBJ5948A/TR13 | 1.5600 | | 2942 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5948 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 69.2 V. | 91 V | 200 Ohm | |||||||||||||||||||
| SMBJ5956BE3/TR13 | 0,8850 | | 8179 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5956 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 152 V | 200 v | 1200 Ohm | |||||||||||||||||||
| SMBJ5366B/TR13 | 1.6650 | | 2376 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5366 | 5 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 28.1 V. | 39 v | 14 Ohm | |||||||||||||||||||
| SMBJ5367A/TR13 | 1.6350 | | 6383 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5367 | 5 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 na @ 31 v | 43 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||||
| SMBJ5371A/TR13 | 1.6350 | | 8147 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5371 | 5 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 43 V | 60 v | 40 Ohm | |||||||||||||||||||
| SMBJ5376A/TR13 | 1.6350 | | 1435 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5376 | 5 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 na @ 63 v | 87 v | 75 Ohm | |||||||||||||||||||
 | SMAJ5928BE3/TR13 | 0,6450 | | 2550 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SMAJ5928 | 3 w | Do-214AC (SMAJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 9,9 V | 13 v | 7 Ohm | |||||||||||||||||||
| SMAJ5930E3/TR13 | 0,6450 | | 7445 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SMAJ5930 | 3 w | Do-214AC (SMAJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 12,2 V. | 16 v | 10 Ohm |
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