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Diskette HalblerProdukte (41164)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Anwendungen Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Spannung - Anode - Kathode (VAK) (max) Reglerstrom (max) Spannung - Begrenzung (max)
JANTXV1N4474C Microchip Technology Jantxv1n4474c 31.6350
RFQ
 ECAD 3804 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/406 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4474 1,5 w Do-41 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 Ma 50 na @ 19.2 V. 24 v 16 Ohm
JANTX1N3024CUR-1 Microchip Technology JantX1N3024CUR-1 37.3500
RFQ
 ECAD 8526 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/115 Schüttgut Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) 1N3024 1 w Do-213AB (Melf, LL41) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 10 µa @ 11,4 V 15 v 14 Ohm
JANKCA1N4615C Microchip Technology Jankca1n4615c - - -
RFQ
 ECAD 5678 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Sterben 500 MW Sterben - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jankca1N4615C Ear99 8541.10.0050 100 1,1 V @ 200 Ma 5 µa @ 1 V 2 v 1250 Ohm
CMSDDF40H60T1G Microchip Technology CMSDDF40H60T1G - - -
RFQ
 ECAD 3978 0.00000000 Mikrochip -technologie * Tablett Veraltet - - - 150-CMSDDF40H60T1G Veraltet 1
CDS3016B-1/TR Microchip Technology CDS3016B-1/Tr - - -
RFQ
 ECAD 8524 0.00000000 Mikrochip -technologie * Band & Rollen (TR) Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-CDS3016B-1/Tr Ear99 8541.10.0050 50
2N5734 Microchip Technology 2N5734 77.3850
RFQ
 ECAD 7274 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 150 w To-204ad (to-3) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N5734 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 30 a - - - PNP - - - - - - - - -
MSASC25H15K/TR Microchip Technology MSASC25H15K/Tr - - -
RFQ
 ECAD 7246 0.00000000 Mikrochip -technologie * Band & Rollen (TR) Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-msasc25H15k/tr 100
APTGT30H60T1G Microchip Technology APTGT30H60T1G 55.3800
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 ECAD 2004 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Sp1 Aptgt30 90 w Standard Sp1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Vollbrückke Wechselrichter TRABENFELD STOPP 600 V 50 a 1,9 V @ 15V, 30a 250 µA Ja 1,6 NF @ 25 V.
JANTXV1N3034BUR-1 Microchip Technology Jantxv1n3034bur-1 18.0150
RFQ
 ECAD 2921 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/115 Schüttgut Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) 1N3034 1 w Do-213AB (Melf, LL41) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 10 µA @ 29.7 V. 39 v 60 Ohm
679-1 Microchip Technology 679-1 - - -
RFQ
 ECAD 8971 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4 Quadratmeter, NB Standard NB Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 1,2 V @ 10 a 20 µa @ 100 V Einphase 100 v
1N5365AE3/TR8 Microchip Technology 1N5365AE3/TR8 2.6250
RFQ
 ECAD 3542 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C. K. Loch T-18, axial 1N5365 5 w T-18 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.000 1,2 V @ 1 a 500 NA @ 25.9 V. 36 v 11 Ohm
S307030F Microchip Technology S307030f 49.0050
RFQ
 ECAD 6968 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-S307030f 1
APT25GN120SG Microchip Technology APT25GN120SG 7.8900
RFQ
 ECAD 9717 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa APT25GN120 Standard 272 w D3pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 800 V, 25a, 1ohm, 15 V. TRABENFELD STOPP 1200 V 67 a 75 a 2,1 V @ 15V, 25a - - - 155 NC 22ns/280ns
SMBJ5918C/TR13 Microchip Technology SMBJ5918C/TR13 2.0850
RFQ
 ECAD 8913 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB SMBJ5918 2 w Smbj (do-214aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 5 µa @ 2 V. 5.1 v 4 Ohm
JANTXV1N965BUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n965bur-1/tr 13.0872
RFQ
 ECAD 7672 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/117 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) 500 MW Do-213aa - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv1n965bur-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 500 na @ 11 v 15 v 16 Ohm
1N3025BUR-1/TR Microchip Technology 1N3025BUR-1/Tr 15.4500
RFQ
 ECAD 6197 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) 1 w Do-213AB (Melf, LL41) - - - Ear99 8541.10.0050 100 1,2 V @ 200 Ma 10 µa @ 12,2 V 16 v 16 Ohm
1N4716/TR Microchip Technology 1N4716/tr 3.6575
RFQ
 ECAD 3551 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch DO-204AA, DO-7, Axial 500 MW DO-7 (DO-204AA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-1n4716/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 NA @ 29.6 V. 39 v
1N3326RB Microchip Technology 1N3326RB 49.3800
RFQ
 ECAD 8365 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1N3326 50 w Do-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 10 a 10 µA @ 27,4 V 36 v 3,5 Ohm
JAN1N5311-1/TR Microchip Technology Jan1N5311-1/Tr 29.0400
RFQ
 ECAD 4755 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/463 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - - - K. Loch DO-204AA, DO-7, Axial 1N5311 500 MW Do-7 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jan1N5311-1/Tr Ear99 8541.10.0070 1 100V 3,96 Ma 2,5 v
CDLL4482/TR Microchip Technology CDLL4482/Tr 10.2410
RFQ
 ECAD 4352 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf 1,5 w Do-213ab - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-cdll4482/tr Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 Ma 250 NA @ 40,8 V. 51 v 60 Ohm
JAN1N5301-1/TR Microchip Technology Jan1N5301-1/Tr 31.6650
RFQ
 ECAD 5286 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/463 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - - - K. Loch DO-204AA, DO-7, Axial 1N5301 500 MW Do-7 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jan1N5301-1/Tr Ear99 8541.10.0070 1 100V 1,54 Ma 1,55 v
JANTXV1N5305-1 Microchip Technology Jantxv1n5305-1 36.4800
RFQ
 ECAD 8942 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/463 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - - - K. Loch DO-204AA, DO-7, Axial 1N5305 500 MW Do-7 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2266-Jantxv1n5305-1 Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.2 ma 1,85 v
APTDR40X1601G Microchip Technology APTDR40X1601G 49.2100
RFQ
 ECAD 4904 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp1 Aptdr40 Standard Sp1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 1,3 V @ 40 a 20 µa @ 1600 V 40 a DRIPHASE 1,6 kv
APT60DF60HJ Microchip Technology APT60DF60HJ 20.7700
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc APT60DF60 Standard SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 2,3 V @ 60 a 25 µa @ 600 V 90 a Einphase 600 V
JANTXV1N6635CUS/TR Microchip Technology JantXV1N6635CUS/Tr - - -
RFQ
 ECAD 6551 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/356 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, e 5 w E-Melf Herunterladen 150-Jantxv1n6635cus/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 a 25 µa @ 1 V 4.3 v 2 Ohm
APTGT100H170G Microchip Technology APTGT100H170G 342.6400
RFQ
 ECAD 4165 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 Aptgt100 560 w Standard Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Vollbrückke Wechselrichter TRABENFELD STOPP 1700 v 150 a 2,4 V @ 15V, 100a 350 µA NEIN 9 NF @ 25 V
APTGT100SK170TG Microchip Technology APTGT100SK170TG 117.5900
RFQ
 ECAD 4991 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 Aptgt100 560 w Standard Sp4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1700 v 150 a 2,4 V @ 15V, 100a 250 µA Ja 9 NF @ 25 V
DN2530N3-G Microchip Technology DN2530N3-G 0,7900
RFQ
 ECAD 6136 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Tasche Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) DN2530 MOSFET (Metalloxid) To-92 (to-226) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1.000 N-Kanal 300 V 175 Ma (TJ) 0V 12ohm @ 150 mA, 0V - - - ± 20 V 300 PF @ 25 V. Depletion -modus 740 MW (TA)
APT40GP90B2DQ2G Microchip Technology APT40GP90B2DQ2G 18.8700
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 ECAD 4555 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante APT40GP90 Standard 543 w Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 600 V, 40a, 4,3 Ohm, 15 V. Pt 900 V 101 a 160 a 3,9 V @ 15V, 40a 795 µj (AUS) 145 NC 14ns/90ns
1N3325A Microchip Technology 1N3325a 49.3800
RFQ
 ECAD 6667 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C. Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1N3325 50 w Do-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 10 a 10 µa @ 25,1 V 33 v 3.2 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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