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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f | Spannung - Anode - Kathode (VAK) (max) | Reglerstrom (max) | Spannung - Begrenzung (max) |
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![]() | Jantxv1n2985b | - - - | ![]() | 6257 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/124 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 10 w | Do-213aa (do-4) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µa @ 16,7 V | 22 v | 5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jan1N4461CUS | 26.7600 | ![]() | 2326 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1N4461 | 1,5 w | D-5a | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 4,08 V. | 6,8 v | 2,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4969CUS/TR | 368.3100 | ![]() | 3407 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | 150-Jans1n4969cus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 22,8 V. | 30 v | 8 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANS1N944B-1/Tr | - - - | ![]() | 1571 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/157 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N944B-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 8 V | 11.7 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
1n3033bur-1 | - - - | ![]() | 4119 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 1N3033 | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 27,4 V | 36 v | 50 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5937P/TR8 | 1.8600 | ![]() | 2262 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5937 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 25,1 V. | 33 v | 33 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT4120C/TR13 | 1.2450 | ![]() | 7907 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.00120 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 22,8 V. | 30 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N6344DUS/Tr | 58.0500 | ![]() | 2873 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | 150-JantX1N6344DUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 52 v | 68 v | 155 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4746CP/TR8 | 2.2800 | ![]() | 7734 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4746 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 13,7 V | 18 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Mv31018-129a | - - - | ![]() | 9777 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-mv31018-129a | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 2.2pf @ 4V, 1 MHz | Einzel | 22 v | 10.2 | C2/C20 | 3000 @ 4V, 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD5924B | 3.8437 | ![]() | 1492 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5924B | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n4984dus/tr | 40.9500 | ![]() | 2756 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | 150-Jantx1n4984dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 91,2 V. | 120 v | 170 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M18B2VRG | 21.5900 | ![]() | 7614 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power Mos V® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 Variante | APT20M18 | MOSFET (Metalloxid) | T-Max ™ [B2] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 200 v | 100a (TC) | 18mohm @ 50a, 10V | 4v @ 2,5 mA | 330 NC @ 10 V | 9880 PF @ 25 V. | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5415U4 | 91.9350 | ![]() | 3974 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U4 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N5415U4 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 1 a | 50 µA | PNP | 2v @ 5ma, 50 mA | 30 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
JantX1N747A-1/Tr | 2.1413 | ![]() | 4253 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N747A-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µa @ 1 V | 3.6 V | 22 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
JantX1N5711-1 | 7.3200 | ![]() | 6030 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/444 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5711 | Schottky | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 70 V | 410 mv @ 1 mA | 200 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 33 ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCY89 | 30.3107 | ![]() | 7993 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | Bcy8 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-BCy89 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n5542dur-1/tr | 32.1993 | ![]() | 7810 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1n5542dur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 21.6 v | 24 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5932BUR-1 | 4.0650 | ![]() | 2562 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 1N5932 | 1,25 w | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 15,2 V. | 20 v | 14 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5955/TR13 | 2.2200 | ![]() | 2479 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5955 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 136,8 V. | 180 v | 800 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5295-1/tr | 36.5700 | ![]() | 4309 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5295 | 500 MW | Do-7 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N5295-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902 µA | 1,25 V. | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4470c | 17.7000 | ![]() | 1767 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1,5 w | Do-41 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4470c | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 50 NA @ 12,8 V. | 16 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3764 | 21.0938 | ![]() | 1859 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | To-206ab, bis 46-3 Metall Kann | 2N3764 | 1 w | To-46 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 1,5 a | 100na | PNP | 900mv @ 100 mA, 1a | 30 @ 1,5a, 5V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LSM190GE3/TR13 | 0,6450 | ![]() | 6613 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | LSM190 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1n5526b | 1.8150 | ![]() | 5143 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6,2 V. | 6,8 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX2N3499U4 | - - - | ![]() | 8470 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U4 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 500 mA | 50na (ICBO) | Npn | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n3039b-1 | 11.8800 | ![]() | 9489 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N3039 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 47,1 V | 62 v | 125 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UZ7712V | 468.9900 | ![]() | 6700 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Bolzenhalterung | Zucht | 10 w | Axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-UZ7712V | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 75 µa @ 9,1 V | 12 v | 1,3 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
CDLL4741 | 3.4650 | ![]() | 7935 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL4741 | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 2 µa @ 8,4 V | 11 v | 8 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT4133CE3/TR13 | 0,4950 | ![]() | 1636 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 1PMT4133 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 66.12 V. | 87 v | 250 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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