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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UZ1616/Tr | 69.1500 | ![]() | 9387 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-uz1616/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||
1n5542a/tr | 3.2550 | ![]() | 5068 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5542a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 290 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 20 V | 24 v | ||||||||||||||||||||||
Jan1N4970CUS | 23.5500 | ![]() | 1640 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N4970 | 5 w | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 25,1 V. | 33 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5196ur/tr | - - - | ![]() | 8952 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/118 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Standard | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n5196ur/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 225 v | 1 V @ 100 mA | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | 1N5941AP/TR12 | 1.8600 | ![]() | 8123 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5941 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 35,8 V. | 47 v | 67 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | ST3060A | 63,3000 | ![]() | 8193 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-204aa, to-3 | ST3060 | Standard | To-204aa (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-St3060a | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 600 V | 30a | 5 µs | 25 µa @ 600 V | - - - | ||||||||||||||||||
Jan1N4618D-1 | 11.8350 | ![]() | 8441 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4618 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 na @ 1 v | 2,7 v | 1500 Ohm | |||||||||||||||||||
JANSD2N3439 | 270.2400 | ![]() | 3352 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/368 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 800 MW | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JansD2N3439 | 1 | 350 V | 1 a | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4127DUR-1 | 147.2700 | ![]() | 3988 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 42.6 V. | 56 v | 300 Ohm | ||||||||||||||||||||
1n5274be3 | 2.9260 | ![]() | 1389 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5274be3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 99 V | 130 v | 1100 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | CDLL4679/Tr | 3.0989 | ![]() | 9078 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4679/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 2 v | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N3910a | 48.5400 | ![]() | 9926 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3910 | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,4 V @ 50 a | 200 ns | 15 µa @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 50a | - - - | |||||||||||||||||
![]() | SMBG5353CE3/TR13 | 1.4400 | ![]() | 9289 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMBG5353 | 5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 1 µA @ 11,5 V. | 16 v | 2,5 Ohm | ||||||||||||||||||
JantX1N6337C | 29.2350 | ![]() | 8829 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JantX1N6337C | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 27 v | 36 v | 50 Ohm | |||||||||||||||||||||
1N4954us/tr | 7.4613 | ![]() | 6236 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4954us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 150 µa @ 5,2 V | 6,8 v | 1 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N3595-1/tr | 2.7398 | ![]() | 3244 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Standard | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n3595-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 125 v | 1 V @ 200 Ma | 3 µs | 1 na @ 125 v | -65 ° C ~ 175 ° C. | 150 Ma | - - - | |||||||||||||||||
1N4965us/tr | 8.3125 | ![]() | 5573 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4965us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 15,2 V | 20 v | 4,5 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N482B | 3.9300 | ![]() | 9818 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N482 | Standard | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 1 V @ 100 mA | 25 na @ 30 v | -65 ° C ~ 200 ° C. | 200 ma | - - - | |||||||||||||||||
![]() | Jan1n5520dur-1 | 46.2900 | ![]() | 8377 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N5520 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 1 V | 3,9 v | 22 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | CD754d | - - - | ![]() | 8186 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cd754d | Ear99 | 8541.10.0050 | 223 | 1,5 V @ 200 Ma | 2 µa @ 4 V. | 6,8 v | 5 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | MNS2N2222AUB/Tr | 9.3300 | ![]() | 6935 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/255 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150 Mns2N2222Aub/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT4131CE3/TR7 | 0,4950 | ![]() | 8218 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.pmt4131 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 57 V | 75 V | 250 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5946/TR13 | 2.2200 | ![]() | 1496 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5946 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 56 V | 75 V | 140 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | Jan1n5529dur-1/tr | 41.1768 | ![]() | 3782 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1n5529dur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 NA @ 8.2 V. | 9.1 v | 45 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | MSASC150W100LS | - - - | ![]() | 5607 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL4682 | 3.3000 | ![]() | 4808 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | CDLL4682 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 1 V | 2,7 v | |||||||||||||||||||
![]() | 1N5366BE3/TR12 | 2.6850 | ![]() | 1196 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5366 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 28.1 V. | 39 v | 14 Ohm | ||||||||||||||||||
Jan1N4468CUS | 26.7600 | ![]() | 7703 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1N4468 | 1,5 w | D-5a | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 10.4 v | 13 v | 8 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | JantX1N748AUR-1 | 4.7100 | ![]() | 1424 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 1N748 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 1 V | 3,9 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | CDS5523CUR-1/Tr | 471.1800 | ![]() | 6028 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS5523CUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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