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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Spannung - Anode - Kathode (VAK) (max) | Reglerstrom (max) | Spannung - Begrenzung (max) |
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![]() | Jantxv1n5538cur-1 | 49.5150 | ![]() | 5824 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N5538 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 16.2 V. | 18 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||
Jan1N4464C | 20.3700 | ![]() | 8214 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4464 | 1,5 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 300 NA @ 5.46 V. | 9.1 v | 4 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5926BE3/TR7 | 0,7350 | ![]() | 3036 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5926 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 8,4 V | 11 v | 5,5 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | MSR2N2907AUB/Tr | - - - | ![]() | 2767 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSR2N2907AUB/Tr | 100 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4999 | 324.3000 | ![]() | 5415 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Bolzenhalterung | To-210aa, to-59-4, Stud | 35 w | To-59 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N4999 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N959a | 2.7150 | ![]() | 3258 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | Do-7 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n959a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 µa @ 6,2 V | 8.2 v | 6,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n3334b | - - - | ![]() | 1461 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/358 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µA @ 42,6 V. | 56 v | 6 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N756DUR-1 | 17.8950 | ![]() | 9794 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N756 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 6 V | 8.2 v | 8 Ohm | ||||||||||||||||||||
JANS1N4991US | 115,5000 | ![]() | 7868 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 182 V | 240 V | 650 Ohm | |||||||||||||||||||||||
Jan1N4973d | 18.6750 | ![]() | 3543 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | E, axial | 1N4973 | 5 w | E, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 32,7 V. | 43 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N4758p/TR8 | 1.8600 | ![]() | 2360 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4758 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 42,6 V. | 56 v | 110 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N5774 | - - - | ![]() | 6439 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/474 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 14-cflatpack | Standard | 14-cflatpack | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1,5 V @ 500 mA | 20 ns | 100 na @ 40 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 300 ma | 8PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n3050bur-1 | - - - | ![]() | 9728 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT30DQ120KG | 1.3100 | ![]() | 340 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | APT30DQ120 | Standard | To-220 [k] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 3,3 V @ 30 a | 320 ns | 100 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | CDll4754a/tr | 3.2319 | ![]() | 7618 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4754a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 NA @ 29.7 V. | 39 v | 60 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N712a/tr | 1.8620 | ![]() | 6601 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | - - - | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 250 MW | Do-35 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n712a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 8.2 v | 6 Ohm | |||||||||||||||||||||||
Jan1N981C-1 | 4.8300 | ![]() | 3331 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N981 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 52 V | 68 v | 230 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N750A-1/Tr | 2.0748 | ![]() | 2030 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n750a-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1,5 V | 4,7 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n977dur-1/tr | 21.6258 | ![]() | 6089 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n977dur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 na @ 36 v | 47 v | 105 Ohm | |||||||||||||||||||||
1n5250a/tr | 2.6334 | ![]() | 6597 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5250a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 14.3 v | 20 v | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||||
1N4756aur | 3.4650 | ![]() | 1437 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 1N4756 | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 35,8 V. | 47 v | 80 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N6341 | 67.2980 | ![]() | 6841 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 200 w | To-3 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 2N6341m | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 50 µA | 50 µA | Npn | 1,8 V @ 2,5a, 25a | 30 @ 10a, 2v | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5526BE3 | 5.9052 | ![]() | 6590 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5526be3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6,2 V. | 6,8 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N5369E3/TR8 | 2.6250 | ![]() | 2772 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5369 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 36.7 V. | 51 v | 27 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5387BE3/TR13 | 0,8250 | ![]() | 6223 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5387 | 5 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 137 V | 190 v | 450 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | Jankca1N4623C | - - - | ![]() | 1775 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1N4623C | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 4 µa @ 2 V. | 4.3 v | 1600 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N1125R | 38.3850 | ![]() | 4252 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-4 (DO-203AA) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n1125r | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,2 V @ 30 a | 10 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 12a | - - - | |||||||||||||||||||||
1N757A-1 | 2.3700 | ![]() | 5180 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N757 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 v | 9.1 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N5290-1/Tr | 34.1550 | ![]() | 6579 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5290 | 500 MW | Do-7 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5290-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517 µA | 1,05 v | |||||||||||||||||||||
Jankcdm2N5154 | - - - | ![]() | 6656 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/544 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankcdm2N5154 | 100 | 80 v | 2 a | 50 µA | Npn | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 70 @ 2,5a, 5V | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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