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Diskette HalblerProdukte (41164)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Anwendungen Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Staat Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Aktuell - Aus dem Zustand (max) SCR -Typ Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Spannung - Anode - Kathode (VAK) (max) Reglerstrom (max) Spannung - Begrenzung (max)
JANTXV2N3486A Microchip Technology Jantxv2N3486a 9.4031
RFQ
 ECAD 4826 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/392 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-46-3 2N3486 400 MW To-46-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 10 µA (ICBO) PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
1N6634US/TR Microchip Technology 1N6634us/tr 22.9800
RFQ
 ECAD 2830 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, b 5 w E-Melf - - - Ear99 8541.10.0050 100 1,5 V @ 1 a 175 µa @ 1 V 3,9 v 2 Ohm
1N5922AP/TR8 Microchip Technology 1N5922AP/TR8 1.8600
RFQ
 ECAD 2806 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N5922 1,5 w DO-204AL (DO-41) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.500 1,2 V @ 200 Ma 5 µa @ 6 V 7,5 v 3 Ohm
JANKCBF2N2222A Microchip Technology JANKCBF2N2222A - - -
RFQ
 ECAD 6683 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 500 MW To-18 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jankcbf2N2222a Ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
CDLL5302/TR Microchip Technology CDLL5302/Tr 25.2900
RFQ
 ECAD 1601 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C. - - - Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) CDLL53 500 MW Do-213AB (Melf, LL41) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-cdll5302/tr Ear99 8541.10.0050 1 100V 1,65 Ma 1,6 v
JANTXV1N5313-1 Microchip Technology Jantxv1n5313-1 36.4050
RFQ
 ECAD 3820 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/463 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - - - K. Loch DO-204AA, DO-7, Axial 1N5313 500 MW Do-7 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 1 100V 4.73 Ma 2,75 v
APT50M75LLLG Microchip Technology APT50M75lllg 21.0600
RFQ
 ECAD 7205 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv K. Loch To-264-3, to-264aa APT50M75 MOSFET (Metalloxid) To-264 [l] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 57a (TC) 75mohm @ 28.5a, 10V 5 V @ 2,5 mA 125 NC @ 10 V 5590 PF @ 25 V. - - -
1N4689UR-1E3 Microchip Technology 1N4689ur-1e3 4.6816
RFQ
 ECAD 7419 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213aa 500 MW Do-213aa - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-1n4689ur-1e3 Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 100 mA 10 µa @ 3 V 5.1 v
1N5712 Microchip Technology 1N5712 6.2100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N5712 Schottky DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1n5712m Ear99 8541.10.0070 1 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 20 v 1 V @ 35 mA 150 NA @ 16 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 75 Ma 2PF @ 0V, 1MHz
JANTXV1N3017CUR-1 Microchip Technology JantXV1N3017CUR-1 46.1250
RFQ
 ECAD 3377 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/115 Schüttgut Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) 1N3017 1 w Do-213AB (Melf, LL41) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 100 µA @ 5,7 V 7,5 v 4 Ohm
JANKCA1N4574A Microchip Technology Jankca1n4574a - - -
RFQ
 ECAD 1148 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/452 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jankca1n4574a Ear99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 V 6.4 v 100 Ohm
CDLL4913/TR Microchip Technology CDLL4913/Tr 31.7100
RFQ
 ECAD 6428 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung Do-213aa 500 MW Do-213aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-cdll4913/tr Ear99 8541.10.0050 1 15 µa @ 8 V 12,8 v 25 Ohm
JAN1N3034DUR-1/TR Microchip Technology Jan1n3034dur-1/Tr 36.2558
RFQ
 ECAD 5873 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/115 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) 1 w Do-213AB (Melf, LL41) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jan1n3034dur-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 10 µA @ 29.7 V. 39 v 60 Ohm
1N2815B Microchip Technology 1n2815b - - -
RFQ
 ECAD 7589 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch To-204ad 1N2815 50 w To-204ad (to-3) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 10 a 10 µa @ 13 V 17 v 1,8 Ohm
681-6 Microchip Technology 681-6 280.3200
RFQ
 ECAD 2006 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Nd 681-6 Standard Nd Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 150-681-6 Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Unabhängig 600 V 15a 1,2 V @ 10 a 10 µa @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C.
S3260 Microchip Technology S3260 49.0050
RFQ
 ECAD 1478 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-S3260 1
APT34M120J Microchip Technology APT34M120J 67.4300
RFQ
 ECAD 8823 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc APT34M120 MOSFET (Metalloxid) SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1200 V 35a (TC) 10V 300mohm @ 25a, 10V 5 V @ 2,5 mA 560 NC @ 10 V ± 30 v 18200 PF @ 25 V. - - - 960W (TC)
DSB0.2A40 Microchip Technology DSB0.2A40 - - -
RFQ
 ECAD 2229 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv K. Loch Do-204AH, Do-35, axial DSB0.2 Schottky Do-35 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 1 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 20 v 510 MV @ 200 Ma 5 µa @ 40 V -65 ° C ~ 125 ° C. 200 ma 50pf @ 0v, 1 MHz
1N5295-1/TR Microchip Technology 1N5295-1/tr 18.7950
RFQ
 ECAD 6547 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - - - K. Loch DO-204AA, DO-7, Axial 1N5295 500 MW Do-7 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-1n5295-1/tr Ear99 8541.10.0070 1 100V 902 µA 1,25 V.
JAN2N2324S Microchip Technology Jan2N2324S - - -
RFQ
 ECAD 2474 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/276 Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 125 ° C. K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.30.0080 1 2 Ma 100 v 800 mV 15a @ 60Hz 200 µA 10 µA Standardwiederherherster
JAN1N5311-1/TR Microchip Technology Jan1N5311-1/Tr 29.0400
RFQ
 ECAD 4755 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/463 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - - - K. Loch DO-204AA, DO-7, Axial 1N5311 500 MW Do-7 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jan1N5311-1/Tr Ear99 8541.10.0070 1 100V 3,96 Ma 2,5 v
JAN1N3047CUR-1/TR Microchip Technology Jan1N3047CUR-1/Tr - - -
RFQ
 ECAD 1457 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/115 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) 1,25 w Do-213AB (Melf, LL41) - - - 150-Jan1N3047CUR-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 500 NA @ 98,8 V. 130 v 700 Ohm
1N1128AR Microchip Technology 1N1128ar 38.3850
RFQ
 ECAD 7259 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv Bolzenhalterung DO-203AA, DO-4, Stud 1N1128 Standard, Umgekehrte Polarität DO-4 (DO-203AA) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,2 V @ 30 a 10 µa @ 600 V -65 ° C ~ 200 ° C. 12a - - -
JAN1N5293-1 Microchip Technology Jan1N5293-1 31.5150
RFQ
 ECAD 1688 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/463 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - - - K. Loch DO-204AA, DO-7, Axial 1N5293 500 MW Do-7 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 1 100V 748 ähm 1,15 V
APT50M75JLLU2 Microchip Technology APT50M75JLLU2 32.1100
RFQ
 ECAD 8226 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc APT50M75 MOSFET (Metalloxid) SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 51a (TC) 10V 75mohm @ 25.5a, 10V 5v @ 1ma 123 NC @ 10 V ± 30 v 5590 PF @ 25 V. - - - 290W (TC)
APT30D20BCTG Microchip Technology APT30D20BCTG 4.8000
RFQ
 ECAD 4392 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv K. Loch To-247-3 Apt30 Standard To-247 [b] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 30a 1,3 V @ 30 a 24 ns 250 µa @ 200 V. -55 ° C ~ 175 ° C.
1N963A Microchip Technology 1N963a 2.4000
RFQ
 ECAD 3592 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch DO-204AA, DO-7, Axial 1N963 500 MW Do-7 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 5 µa @ 9,1 V 12 v 11,5 Ohm
CDLL4930A/TR Microchip Technology CDLL4930a/tr 79.3350
RFQ
 ECAD 7277 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung Do-213aa 500 MW Do-213aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-cdll4930a/tr Ear99 8541.10.0050 1 15 µa @ 12 V 19,2 v 36 Ohm
JANTXV2N3725UB/TR Microchip Technology Jantxv2N3725UB/Tr - - -
RFQ
 ECAD 5942 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv2N3725UB/Tr 50 50 v 500 mA - - - Npn - - - - - - - - -
JAN1N3821C-1/TR Microchip Technology Jan1N3821C-1/Tr 15.5078
RFQ
 ECAD 1330 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/115 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1 w Do-41 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jan1N3821C-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 100 µa @ 1 V 3.3 v 10 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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