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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
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Jantxv1n4967c | 18.0900 | ![]() | 4172 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4967c | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 18,2 V. | 24 v | 5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
1N5245 | 1.8354 | ![]() | 7381 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5245 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 Na @ 10,5 V. | 15 v | 16 Ohm | |||||||||||||||||||||||
UES1105HR2 | 59.6700 | ![]() | 7041 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | - - - | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,25 V @ 1 a | 50 ns | - - - | 2a | - - - | |||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5536bur-1 | 19.3500 | ![]() | 7609 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N5536 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 14.4 v | 16 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||||
Jan2N3763 | - - - | ![]() | 8432 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/396 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 1,5 a | 10 µA (ICBO) | PNP | 900mv @ 100 mA, 1a | 20 @ 1a, 1,5 V. | - - - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4111 | 2.4450 | ![]() | 5553 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 400 MW | Do-213aa | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 12.92 V. | 17 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
Jan1N6310CUS | 39.1350 | ![]() | 3135 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6310 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 60 µa @ 1 V | 2,7 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||
JANS1N5618/Tr | 47.6850 | ![]() | 6600 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/427 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N5618/Tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 3 a | 2 µs | 500 NA @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||||||||||
JantX1N983B-1/Tr | 2.5669 | ![]() | 4076 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N983 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N983B-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 62 V. | 82 v | 330 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4249/tr | 6.5850 | ![]() | 4898 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4249/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 3 a | 5 µs | 1 µa @ 1 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | 2C2907A-MSCL | 2.2650 | ![]() | 2125 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2C2907A-MSCL | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDS5522BUR-1 | - - - | ![]() | 6737 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS5522BUR-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n967b-1/tr | 3.2186 | ![]() | 4560 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N967B-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,3 V @ 200 Ma | 500 na @ 14 v | 18 v | 21 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N6641US/Tr | 11.3250 | ![]() | 1244 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/609 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, d | Standard | D-5d | - - - | 150-Jantx1n6641us/tr | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,1 V @ 200 Ma | 5 ns | 100 na @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 300 ma | - - - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N3294 | - - - | ![]() | 1786 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/246 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | Standard | DO-205AA (DO-8) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,55 V @ 310 a | 10 mA @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - - - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4532ur | 2.7450 | ![]() | 9291 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | 1N4532 | Standard | Do-34 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 50 v | 1 V @ 10 mA | 30 ns | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 125 Ma | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | UPS130LE3/TR7 | 0,4800 | ![]() | 3277 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | UPS130 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4569AUR-1 | 80.9550 | ![]() | 9077 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 1N4569 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 200 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N3022CUR-1/Tr | 29.0339 | ![]() | 9625 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N3022CUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 9,1 V | 12 v | 9 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N6677UR-1/Tr | - - - | ![]() | 1297 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/610 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | Schottky | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N6677ur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 500 MV @ 200 Ma | 5 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 200 ma | - - - | |||||||||||||||||||||
![]() | JantX2N2919L | 35.8302 | ![]() | 1616 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/355 | Schüttgut | Aktiv | 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2n2919 | 350 MW | To-78-6 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 30 ma | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1ma, 5V | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | Jan1N6632us | - - - | ![]() | 5490 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N6632us | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1,5 V @ 1 a | 300 µa @ 1 V | 3.3 v | 3 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5522/Tr | 5.9052 | ![]() | 7110 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 500 MW | Do-213ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5522/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 1,5 V | 4,7 v | 22 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5948B/TR7 | 2.2200 | ![]() | 5911 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5948 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 69.2 V. | 91 V | 200 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N2230 | 44.1600 | ![]() | 8801 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | DO-4 (DO-203AA) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n2230 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 30 a | 10 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 200 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||||||||||||||
![]() | GC1709-00 | - - - | ![]() | 8545 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | Chip | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-GC1709-00 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 4.7pf @ 4V, 1 MHz | Einzel | 60 v | 6.5 | C0/C60 | 1400 @ 4V, 50 MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N3826AUR-1/Tr | 14.2310 | ![]() | 4560 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n3826aur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 3 µa @ 1 V | 5.1 v | 7 Ohm | ||||||||||||||||||||||
1N4731aur | 3.4650 | ![]() | 5656 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 1N4731 | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 1 V | 4.3 v | 9 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6027a | 2.5950 | ![]() | 2875 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6027 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 84 v | 130 v | 1400 Ohm | |||||||||||||||||||||
JantX1N5530D-1/Tr | 17.3964 | ![]() | 2940 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5530d-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 9.1 V. | 10 v | 60 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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