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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Leistung – max | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET-Typ | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) | Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If | Strom – Rückwärtsleckage bei Vr | Betriebstemperatur – Verbindungsstelle | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | Kapazität @ Vr, F | Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | Strom - Kollektor (Ic) (Max) | Diodentyp | Spannung – Spitzenumkehr (max.) | Strom – Kollektorabschaltung (max.) | Spannung – Zener (Nom) (Vz) | Impedanz (Max) (Zzt) | Widerstand @ If, F | Transistortyp | Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | Häufigkeit – Übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SMAJ4752CE3/TR13 | 0,6450 | ![]() | 3263 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | ±2 % | -55 °C ~ 150 °C | Oberflächenmontage | DO-214AC, SMA | SMAJ4752 | 2 W | DO-214AC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V bei 200 mA | 5 µA bei 25,1 V | 33 V | 45 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPS760/TR13 | 2.0250 | ![]() | 2433 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | DO-216AA | UPS760 | Schottky | Powermite | - | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 60 V | 600 mV bei 7 A | 100 µA bei 60 V | -55 °C ~ 125 °C | 7A | 375 pF bei 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD3046B | 4.0650 | ![]() | 5474 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - | REACH Unberührt | 150-CD3046B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GMP4235-GM1 | 3.5700 | ![]() | 381 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | GIGAMITE® | Schüttgut | Aktiv | -55 °C ~ 125 °C | 0805 (Metrisch 2012) | GMP4235 | 0805 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 0,6 pF bei 10 V, 1 MHz | PIN – Single | 250V | 800 mOhm bei 20 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5953BUR-1/TR | 7.7200 | ![]() | 6178 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | ±5 % | -65°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | DO-213AB, MELF (Glas) | 1,25 W | DO-213AB (MELF, LL41) | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 125 | 1,2 V bei 200 mA | 1 µA bei 114 V | 150 V | 600 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4619-1/TR | 2.4871 | ![]() | 3361 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | ±5 % | -65 °C ~ 175 °C | Durchgangsloch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 mW | DO-7 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH Unberührt | 150-1N4619-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V bei 200 mA | 400 nA bei 1 V | 3 V | 1600 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN1N963C-1/TR | 4.8146 | ![]() | 6570 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | Militär, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | ±2 % | -65 °C ~ 175 °C | Durchgangsloch | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3-konform | REACH Unberührt | 150-JAN1N963C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V bei 200 mA | 1 µA bei 9,1 V | 12 V | 11,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N759A | 30.5700 | ![]() | 5001 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | - | Schüttgut | Aktiv | - | Durchgangsloch | TO-206AA, TO-18-3 Metalldose | 500 mW | TO-18 (TO-206AA) | - | REACH Unberührt | 150-2N759A | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 100mA | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5825E3 | 55,7850 | ![]() | 1046 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | Axial | Schottky | Axial | - | ROHS3-konform | REACH Unberührt | 150-1N5825E3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 40 V | 380 mV bei 5 A | 10 mA bei 40 V | -65 °C ~ 125 °C | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6857UR-1/TR | 13.0200 | ![]() | 5548 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | Militär, MIL-PRF-19500/444 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | DO-213AA | Schottky | DO-213AA | - | ROHS3-konform | REACH Unberührt | 150-1N6857UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 16 V | 750 mV bei 35 mA | 150 nA bei 16 V | -65 °C ~ 150 °C | 150mA | 4,5 pF bei 0 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| JAN1N4975D | 18.6750 | ![]() | 2783 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | Militär, MIL-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ±1 % | -65 °C ~ 175 °C | Durchgangsloch | E, Axial | 1N4975 | 5 W | E, Axial | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V bei 1 A | 2 µA bei 38,8 V | 51 V | 27 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5371E3/TR8 | 2.6250 | ![]() | 6893 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | ±20 % | -65 °C ~ 150 °C | Durchgangsloch | T-18, Axial | 1N5371 | 5 W | T-18 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V bei 1 A | 500 nA bei 43 V | 60 V | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N6355CUS | - | ![]() | 5835 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | Militär, MIL-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ±2 % | -65°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | SQ-MELF, B | 500 mW | B, SQ-MELF | - | Nicht RoHS-konform | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V bei 1 A | 50 nA bei 152 V | 200 V | 1800 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N2841RB | 96.0150 | ![]() | 8339 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | - | Schüttgut | Aktiv | ±5 % | -65 °C ~ 175 °C | Durchgangsloch | TO-204AD | 1N2841 | 50 W | TO-204AD (TO-3) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V bei 10 A | 10 µA bei 91,2 V | 120 V | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
| JAN1N6313C | 24.3300 | ![]() | 1481 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | Militär, MIL-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ±2 % | -65°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | DO-204AH, DO-35, Axial | 1N6313 | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V bei 1 A | 3 µA bei 1 V | 3,6 V | 25 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT24M80S | 11.7000 | ![]() | 4924 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | POWER MOS 8™ | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | APT24M80 | MOSFET (Metalloxid) | D3Pak | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 800 V | 25A (Tc) | 10V | 390 mOhm bei 12 A, 10 V | 5 V bei 1 mA | 150 nC bei 10 V | ±30V | 4595 pF bei 25 V | - | 625 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N3634 | 13.6990 | ![]() | 3603 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | Militär, MIL-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65°C ~ 200°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-205AD, TO-39-3 Metalldose | 2N3634 | 1 W | TO-39 (TO-205AD) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 V | 1 A | 10µA | PNP | 600 mV bei 5 mA, 50 mA | 50 bei 50 mA, 10 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX1N7053UR-1 | 10.8150 | ![]() | 3006 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | - | Schüttgut | Aktiv | - | Nicht RoHS-konform | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2992 | 27.6600 | ![]() | 3883 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | - | Schüttgut | Aktiv | - | Durchgangsloch | TO-205AA, TO-5-3 Metalldose | 5 W | TO-5AA | - | REACH Unberührt | 150-2N2992 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 1 A | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2N1613L | 19.3382 | ![]() | 7456 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | - | Schüttgut | Aktiv | -65°C ~ 200°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-205AD, TO-39-3 Metalldose | 2N1613 | 800 mW | TO-39 | herunterladen | Nicht RoHS-konform | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 V | 500mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 1,5 V bei 15 mA, 150 mA | 40 bei 150 mA, 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| MSC180SMA120B | 8.6900 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | - | Rohr | Aktiv | - | Durchgangsloch | TO-247-3 | MSC180 | SiC (Siliziumkarbid-Junction-Transistor) | TO-247-3 | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 1200 V | 25A | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4624-1 | 4,3950 | ![]() | 9850 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | Militär, MIL-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ±5 % | -65°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | - | Nicht RoHS-konform | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V bei 200 mA | 5 µA bei 3 V | 4,7 V | 1550 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX1N3327B | - | ![]() | 5325 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | Militär, MIL-PRF-19500/358 | Schüttgut | Aktiv | ±5 % | -65°C ~ 175°C (TJ) | Bolzenmontage | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 W | DO-5 | - | Nicht RoHS-konform | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V bei 10 A | 10 µA bei 29,7 V | 39 V | 4 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL4109 | 3.8250 | ![]() | 9443 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | - | Schüttgut | Aktiv | ±5 % | -65 °C ~ 175 °C | Oberflächenmontage | DO-213AB, MELF | CDLL4109 | 500 mW | DO-213AB | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V bei 200 mA | 50 nA bei 11,4 V | 15 V | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4957/TR | 7.3051 | ![]() | 4115 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | Militär, MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | ±5 % | -65°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | E, Axial | 5 W | E, Axial | - | REACH Unberührt | 150-JANTX1N4957/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 107 | 1,5 V bei 1 A | 25 µA bei 6,9 V | 9,1 V | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV1N4960US/TR | 16.0531 | ![]() | 3718 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | Militär, MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | ±5 % | -65 °C ~ 175 °C | Oberflächenmontage | SQ-MELF, E | 5 W | D-5B | - | ROHS3-konform | REACH Unberührt | 150-JANTXV1N4960US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V bei 1 A | 10 µA bei 9,1 V | 12 V | 2,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| JANS1N4991CUS | 277.2150 | ![]() | 8996 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | Militär, MIL-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ±2 % | -65°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | SQ-MELF, E | 5 W | D-5B | - | Nicht RoHS-konform | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V bei 1 A | 2 µA bei 182 V | 240 V | 650 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4615UR/TR | 3.4500 | ![]() | 8101 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | ±5 % | -65 °C ~ 175 °C | Oberflächenmontage | DO-213AA | 500 mW | DO-213AA | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 286 | 1,1 V bei 200 mA | 2,5 µA bei 1 V | 2 V | 1250 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPS140E3/TR7 | 0,5000 | ![]() | 2525 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | DO-216AA | UPS140 | Schottky | Powermite 1 (DO216-AA) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 40 V | 450 mV bei 1 A | 400 µA bei 40 V | -55 °C ~ 125 °C | 1A | 70 pF bei 5 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| JANS1N4619D-1 | 155.7300 | ![]() | 5518 | 0,00000000 | Mikrochip-Technologie | Militär, MIL-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ±1 % | -65°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | - | Nicht RoHS-konform | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V bei 200 mA | 400 nA bei 1 V | 3 V | 1600 Ohm |

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