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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JantX1N827ur-1 | 9.5100 | ![]() | 1425 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/159 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 1N827 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.2 v | 15 Ohm | ||||||||||
![]() | JantX1N647ur-1/Tr | - - - | ![]() | 8638 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/240 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Standard | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n647ur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1 V @ 400 mA | -65 ° C ~ 175 ° C. | 400 ma | - - - | ||||||||||
![]() | Jan1N5809URS/Tr | 17.6250 | ![]() | 3599 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/477 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | Standard | B, SQ-Melf | - - - | 150-Jan1N5809URS/Tr | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 875 mv @ 4 a | 30 ns | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 60pf @ 10v, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | Jan1n5536cur-1 | 37.0200 | ![]() | 7938 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N5536 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 14.4 v | 16 v | 100 Ohm | |||||||||
![]() | JANS1N4496 | 180.8100 | ![]() | 2452 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,5 w | Do-41 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 250 NA @ 160 V | 200 v | 1500 Ohm | |||||||||||
![]() | Jantx1n2842b | - - - | ![]() | 5687 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/114 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | To-204ad | 1N2842 | 50 w | To-204ad (to-3) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µa @ 98,8 V | 130 v | 50 Ohm | |||||||||
![]() | S2005 | 33.4500 | ![]() | 5983 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | DO-203AA (DO-4) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-S2005 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||
![]() | 1N3595 | 2.7150 | ![]() | 7844 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Axial | Standard | Axial | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n3595 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 125 v | 1 V @ 200 Ma | 3 µs | 1 na @ 125 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | - - - | |||||||||
JantX1N6487DUS/Tr | - - - | ![]() | 5984 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | Herunterladen | 150-Jantx1n6487dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 35 µa @ 1 V | 3,9 v | 9 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1n5187us/tr | 9.4000 | ![]() | 8882 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | Standard | E-Melf | - - - | 103 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,5 V @ 9 a | 200 ns | 2 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||
![]() | SMBG5353AE3/TR13 | 1.1250 | ![]() | 5770 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMBG5353 | 5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 1 µA @ 11,5 V. | 16 v | 2,5 Ohm | |||||||||
JantX1N6318CUS/Tr | 44.6250 | ![]() | 9273 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | 150-JantX1N6318CUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 5 µa @ 2,5 V | 5.6 v | 8 Ohm | |||||||||||||
![]() | CDLL5266B/Tr | 3.3516 | ![]() | 1986 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 10 MW | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5266b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 52 v | 68 v | 230 Ohm | ||||||||||
![]() | JANS1N7048-1/Tr | 153.2700 | ![]() | 2699 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N7048-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N4741CP/TR12 | 2.2800 | ![]() | 1775 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4741 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 8,4 V | 11 v | 8 Ohm | |||||||||
1N5621 | - - - | ![]() | 4240 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,6 V @ 3 a | 300 ns | 500 NA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 20pf @ 12v, 1 MHz | |||||||||
![]() | 1N4905a/tr | 52.6650 | ![]() | 1022 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 400 MW | Do-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4905a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 12,8 v | 100 Ohm | ||||||||||||
![]() | SMBJ5933C/TR13 | 2.0850 | ![]() | 6194 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5933 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 16,7 V | 22 v | 17,5 Ohm | |||||||||
![]() | JANS1N944BUR-1 | - - - | ![]() | 6072 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/157 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 8 V | 11.7 v | 30 Ohm | ||||||||||||
![]() | S50480Ts | 158.8200 | ![]() | 2618 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | Standard | DO-205AB (DO-9) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-S50480Ts | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,25 V @ 1000 a | 75 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 300a | - - - | ||||||||||
![]() | 1N485bur/tr | 5.0800 | ![]() | 2594 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Standard | Do-213aa | - - - | 192 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 180 v | 1 V @ 100 mA | 100 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | - - - | ||||||||||||||
1n5617us/tr | 6.8700 | ![]() | 7025 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | Standard | D-5a | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5617us/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,6 V @ 3 a | 150 ns | 500 NA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 35PF @ 12V, 1 MHz | |||||||||
![]() | Jantxv1n6332dus | 68.5500 | ![]() | 6958 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n6332dus | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 17 v | 22 v | 20 Ohm | |||||||||||
JANS1N4987D | 519.7200 | ![]() | 5147 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1n4987d | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 121,6 V | 160 v | 350 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1n2137a | 74.5200 | ![]() | 1911 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | DO-5 (DO-203AB) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n2137a | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,25 V @ 200 a | 25 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 70a | - - - | ||||||||||
![]() | 1n2230a | 44.1600 | ![]() | 1492 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | DO-4 (DO-203AA) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n2230a | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 30 a | 10 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 200 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||
![]() | JANS1N4965CUS | 343.6210 | ![]() | 2123 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N4965CUS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N4114ure3 | 3.9750 | ![]() | 2826 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 1N4114 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 Na @ 15,2 V. | 20 v | 150 Ohm | ||||||||||
Jantxv1n5528d-1 | 29.2200 | ![]() | 3901 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5528 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 7,5 V. | 8.2 v | 40 Ohm | ||||||||||
![]() | JantXV1N4560RB | - - - | ![]() | 8594 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/114 | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-204ad | 50 w | To-204ad (to-3) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 20 µa @ 1 V | 5.1 v | 0,12 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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