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Diskette HalblerProdukte (41164)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Geschwindigkeit	FET -Typ	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
JANS1N6320D/Tr	350.5050	RFQ	8696	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/533	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial				500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-Jans1N6320D/Tr	Ear99	8541.10.0050	50															1,4 V @ 1 a		2 µa @ 4 V.													6,8 v	3 Ohm
Jantxv1n4464c	30.7500	RFQ	6368	Mikrochip -technologie	Militär, MIL-PRF-19500/406	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial	1N4464			1,5 w	Do-41	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1															1 V @ 200 Ma		300 NA @ 5.46 V.													9.1 v	4 Ohm
1N935-1	5.5350	RFQ	2736	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial				500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-1n935-1	Ear99	8541.10.0050	1																														9 v	20 Ohm
Jantxv2N2484	- - -	RFQ	3249	Mikrochip -technologie	Militär, MIL-PRF-19500/376	Schüttgut	Abgebrochen bei Sic		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	K. Loch	To-206aa, to-18-3 Metalldose	2N2484			360 MW	To-18	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	1																						60 v	50 ma						2na			Npn	300 mV @ 100 µA, 1 mA	225 @ 10ma, 5V	- - -
APT6015LVRG	21.2400	RFQ	2124	Mikrochip -technologie	Power Mos V®	Rohr	Aktiv			K. Loch	To-264-3, to-264aa	APT6015		MOSFET (Metalloxid)		To-264 [l]	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		600 V	38a (TC)		150 MOHM @ 500 mA, 10V	4v @ 2,5 mA	475 NC @ 10 V		9000 PF @ 25 V.	- - -
JANS1N4627D-1	76.0200	RFQ	9449	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/435	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial				500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1															1,1 V @ 200 Ma		5 µa @ 5 V													6.2 v	1200 Ohm
1N5932BP/TR12	1.8900	RFQ	9128	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial	1N5932			1,5 w	DO-204AL (DO-41)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	4.000															1,2 V @ 200 Ma		1 µA @ 15,2 V.													20 v	14 Ohm
Jan1N6662us	- - -	RFQ	3531	Mikrochip -technologie	Militär, MIL-PRF-19500/587	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	SQ-Melf, a			Standard		A, SQ-Melf	- - -	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	1	Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)													400 V	1 V @ 400 mA		50 na @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C.		- - -
JantX1N4462DUS/Tr	46.0800	RFQ	6395	Mikrochip -technologie	MIL-PRF-19500/406	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SQ-Melf, a				1,5 w	D-5a	- - -				150-Jantx1n4462dus/tr	Ear99	8541.10.0050	100															1,5 V @ 1 a		1 µA @ 4,5 V.													7,5 v	2,5 Ohm
UFS380GE3/TR13	1,5000	RFQ	3808	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	DO-215AB, SMC-Möwenflügel	UFS380		Standard		Do-215ab	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	3.000	SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													800 V	1,2 V @ 3 a	60 ns	10 µa @ 800 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	3a	- - -
Jan1N457	- - -	RFQ	5618	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/193	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial	1N457		Standard		Do-35	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	1	Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit													70 V	1 V @ 100 mA		25 Na @ 70 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	150 Ma	- - -
2n5874	41.7354	RFQ	4707	Mikrochip -technologie	*	Schüttgut	Aktiv					2n5874					- - -	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1
JANSL2N2906AUBC	305.9206	RFQ	4259	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/291	Schüttgut	Aktiv		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	3-smd, Keine Frotung				500 MW	UBC	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-Jansl2N2906AUBC			1																						60 v	600 mA						50na			PNP	1,6 V @ 50 Ma, 500 mA	40 @ 150 mA, 10V	- - -
JantX1N3033BUR-1	14.5800	RFQ	4946	Mikrochip -technologie	Militär, MIL-PRF-19500/115	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213ab, Melf (GLAS)	1N3033			1 w	Do-213AB (Melf, LL41)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1															1,2 V @ 200 Ma		10 µA @ 27,4 V													36 v	50 Ohm
1N4736P/TR8	1.8600	RFQ	7522	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C.	K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial	1N4736			1 w	DO-204AL (DO-41)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1.500															1,2 V @ 200 Ma		10 µa @ 4 V.													6,8 v	3,5 Ohm
1N6657	242.5050	RFQ	8755	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/616	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	To-254-3, to-254aa (Gerade Leads)	1N6657		Standard		To-254	Herunterladen	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	1	SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													100 v	1,2 V @ 20 a	35 ns	10 µa @ 100 V.	-55 ° C ~ 175 ° C.	15a	150pf @ 10v, 1 MHz
Jantxv1N6312	14.0700	RFQ	2882	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/533	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial	1N6312			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	Herunterladen	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1															1,4 V @ 1 a		5 µa @ 1 V													3.3 v	27 Ohm
Jan1N2972RB	- - -	RFQ	8887	Mikrochip -technologie	Militär, MIL-PRF-19500/124	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Bolzenhalterung	DO-203AA, DO-4, Stud				10 w	Do-213aa (do-4)	- - -	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1															1,5 V @ 2 a		50 µa @ 6,2 V													8.2 v	1,5 Ohm
1 PMT4126CE3/TR13	0,4950	RFQ	7265	Mikrochip -technologie	PowerMite®	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-216aa	13.00126			1 w	Do-216	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	12.000															1,1 V @ 200 Ma		10 NA @ 38.76 V.													51 v	250 Ohm
APT5020BVFRG	10.6100	RFQ	6646	Mikrochip -technologie	Power Mos V®	Rohr	Aktiv			K. Loch	To-247-3	APT5020		MOSFET (Metalloxid)		To-247 [b]	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		500 V	26a (TC)		200mohm @ 500 mA, 10V	4v @ 1ma	225 NC @ 10 V		4440 PF @ 25 V.	- - -
JantX2N3867U4	159.0680	RFQ	1952	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv		200 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	3-smd, Keine Frotung				1 w	U4	- - -	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1																						40 v	3 a						100 µA (ICBO)			PNP	1,5 V @ 250 mA, 2,5a	40 @ 1,5a, 2V	- - -
Jan1N991CUR-1	- - -	RFQ	3899	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/117	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	Do-213AA (GLAS)				500 MW	Do-213aa	- - -	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1															1,3 V @ 200 Ma		500 NA @ 137 V													180 v	2200 Ohm
1N4981	- - -	RFQ	7350	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Abgebrochen bei Sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	E, axial	1N4981			5 w		Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1															1,5 V @ 1 a		2 µA @ 69.2 V.													91 V	90 Ohm
1n5918bur-1	4.0650	RFQ	7603	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213ab, Melf	1N5918			1,25 w	Do-213ab	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1															1,2 V @ 200 Ma		5 µa @ 2 V.													5.1 v	4 Ohm
APT6013lllg	24.3800	RFQ	5165	Mikrochip -technologie	Power MOS 7®	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-264-3, to-264aa	APT6013		MOSFET (Metalloxid)		To-264 [l]	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		600 V	43a (TC)	10V	130mohm @ 21.5a, 10V	5 V @ 2,5 mA	130 nc @ 10 v	± 30 v	5630 PF @ 25 V.	- - -	565W (TC)
APT60GT60BRG	14.6800	RFQ	2	Mikrochip -technologie	Thunderbolt IGBT®	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	APT60GT60	Standard		500 w	To-247 [b]	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1			- - -																		Npt	600 V	100 a	360 a	2,5 V @ 15V, 60a	3.4mj	275 NC	26ns/395ns
JantX1N6624U/Tr	14.8200	RFQ	3673	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	SQ-Melf, a			Standard, Umgekehrte Polarität		A, SQ-Melf	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-JantX1N6624U/Tr	Ear99	8541.10.0080	100	SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													990 v	1,55 V @ 1 a	60 ns	500 NA @ 990 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	1a	- - -
1N5345AE3/TR8	2.6250	RFQ	7479	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C.	K. Loch	T-18, axial	1N5345			5 w	T-18	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1.000															1,2 V @ 1 a		10 µA @ 6,25 V.													8,7 v	2 Ohm
Jantxv1N971B-1/Tr	3.2186	RFQ	2041	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/117	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial				500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-Jantxv1N971B-1/Tr	Ear99	8541.10.0050	1															1,1 V @ 200 Ma		500 NA @ 21 V													27 v	41 Ohm
APT10086BVFRG	20.4800	RFQ	5331	Mikrochip -technologie	Power Mos V®	Rohr	Aktiv			K. Loch	To-247-3	APT10086		MOSFET (Metalloxid)		To-247 [b]	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		1000 v	13a (TC)		860MOHM @ 500 mA, 10V	4v @ 1ma	275 NC @ 10 V		4440 PF @ 25 V.	- - -

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (41164)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²