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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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![]() | JantX1N3338RB | - - - | ![]() | 2239 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/358 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µA @ 62,2 V. | 82 v | 11 Ohm | ||||||||||||||||||
1N4627C-1/Tr | 5.4450 | ![]() | 9314 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1N4627C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 174 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 5 V | 6.2 v | 1200 Ohm | |||||||||||||||||||
Jan1n3045d-1 | 29.6550 | ![]() | 7261 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1n3045 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 83,6 V | 110 v | 450 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | 1n2822a | 94.8900 | ![]() | 4161 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 1N2822 | 50 w | To-204ad (to-3) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µa @ 20,6 V | 27 v | 2,8 Ohm | |||||||||||||||||
JANS1N6317DUS | 532.6350 | ![]() | 5797 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Tablett | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6317 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 14 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | JantX1N3910R | - - - | ![]() | 3297 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/308 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,4 V @ 50 a | 200 ns | -65 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - - - | |||||||||||||||||
![]() | CDLL4896/Tr | 56.2050 | ![]() | 7734 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4896/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 8 V | 12,8 v | 400 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT4135CE3/TR13 | 0,4950 | ![]() | 6528 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.00135 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 76 v | 100 v | 250 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | 1N4125ur-1 | 3.7950 | ![]() | 3705 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 1N4125 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 35.8 V. | 47 v | 250 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | Jankca1n4123d | - - - | ![]() | 6881 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1N4123d | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 29.65 V. | 39 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | CDLL5231D/Tr | 8.5950 | ![]() | 4124 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5231d/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 110 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 17 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | Jan1N4249 | 5.6100 | ![]() | 2357 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/286 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | A, axial | 1N4249 | Standard | A, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 3 a | 5 µs | 1 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||
![]() | BZV55C51/Tr | 2.7664 | ![]() | 4565 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-BZV55C51/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 35.7 V. | 51 v | |||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n966dur-1 | 24.2250 | ![]() | 9350 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N966 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 12 V. | 16 v | 17 Ohm | ||||||||||||||||
1N5238B | 1.8600 | ![]() | 3132 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5238 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N5238BMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 3 µA @ 6,5 V. | 8,7 v | 8 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | MBR2060CTE3/TU | 1.1700 | ![]() | 6438 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Rohr | Aktiv | MBR2060 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N5518BUR-1/Tr | 12.7414 | ![]() | 7891 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5518bur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 26 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | JantX1N5809URS/Tr | 20.4300 | ![]() | 1301 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/477 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | Standard | B, SQ-Melf | - - - | 150-Jantx1n5809urs/tr | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 875 mv @ 4 a | 30 ns | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 60pf @ 10v, 1 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5533dur-1 | 61.9050 | ![]() | 4519 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N5533 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 11.7 V. | 13 v | 90 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | Jan1N6326CUS | 63.7050 | ![]() | 6452 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N6326CUS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 1 µa @ 9 V | 12 v | 7 Ohm | ||||||||||||||||||
CDLL5237B | 2.8650 | ![]() | 5484 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL5237 | 10 MW | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 6,5 V. | 8.2 v | 8 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | 1N6011ur-1 | 3.5850 | ![]() | 5988 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N6011 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
JANS1N829-1 | 240.3150 | ![]() | 3998 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/159 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.2 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||
1N6348us | 21.0000 | ![]() | 1149 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6348 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 76 V | 100 v | 340 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | 2n5597 | 43.0350 | ![]() | 8538 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | 20 w | To-66 (to-213aa) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N5597 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 2 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||
CDLL5921c | 7.8450 | ![]() | 6351 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL5921 | 1,25 w | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 5,2 V. | 6,8 v | 2,5 Ohm | |||||||||||||||||
1N5996B-1 | 2.0700 | ![]() | 5707 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 5,2 V. | 6,8 v | 8 Ohm | ||||||||||||||||||||
JANSL2N3637 | 129.5906 | ![]() | 5830 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansl2N3637 | 1 | 175 v | 1 a | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | - - - | |||||||||||||||||||
Jantxv1n4988c | 22.2000 | ![]() | 1181 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4988c | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 136,8 V | 180 v | 450 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | 1N4577/tr | 8.6100 | ![]() | 8498 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4577/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 110 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 50 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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