RFQ
Bom
Kontaktieren Sie uns

Tel: +86-0755-83501315

E-Mail:sales@sic-components.com

Anmelden

Deutsch

Diskette HalblerProdukte (41164)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Eingabekapazität (cies) @ vce	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
Janhca1n973c	- - -	RFQ	2518	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Sterben			500 MW		Sterben	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-Janhca1n973c	Ear99	8541.10.0050	100				1,1 V @ 200 Ma		5 µA @ 25,1 V.										33 v	58 Ohm
1N5366BE3/TR8	2.6850	RFQ	6610	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	K. Loch	T-18, axial	1N5366		5 w		T-18	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1.000				1,2 V @ 1 a		500 NA @ 28.1 V.										39 v	14 Ohm
JANS1N6345D	350.3400	RFQ	5932	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/533	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW		DO-35 (Do-204AH)	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-Jans1N6345d	Ear99	8541.10.0050	1				1,4 V @ 1 a		50 na @ 56 v										75 V	180 Ohm
Jan1N4117cur-1	22.3200	RFQ	8722	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/435	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213AA (GLAS)	1N4117				Do-213aa	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1				1,1 V @ 200 Ma		10 na @ 19 V										25 v	150 Ohm
Jan1N991BUR-1	- - -	RFQ	7961	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/117	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	Do-213AA (GLAS)			500 MW		Do-213aa	- - -	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1				1,3 V @ 200 Ma		500 NA @ 137 V										180 v	2200 Ohm
1N4918a	91.6200	RFQ	5722	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial	1N4918		500 MW		Do-35	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1																19,2 v	600 Ohm
JantXV1N5544D-1/Tr	26.0414	RFQ	9403	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/437	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW		DO-35 (Do-204AH)	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-Jantxv1n5544d-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1				1,1 V @ 200 Ma		10 NA @ 25.2 V.										28 v	100 Ohm
Janhca1n750d	- - -	RFQ	3239	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW		DO-35 (Do-204AH)	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-Janhca1N750d	Ear99	8541.10.0050	100				1,1 V @ 200 Ma		2 µa @ 1 V										4,7 v	19 Ohm
JANS1N6339D	350.3400	RFQ	4336	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/533	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW		DO-35 (Do-204AH)	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-Jans1N6339d	Ear99	8541.10.0050	1				1,4 V @ 1 a		50 na @ 33 v										43 v	65 Ohm
1N3328a	49.3800	RFQ	3554	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Chassis, Stollenberg	DO-203AB, DO-5, Stud	1N3328		50 w		Do-5	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1				1,5 V @ 10 a		10 µA @ 32,7 V.										43 v	4,5 Ohm
1N5935C-1	6.0300	RFQ	1493	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	DO-204AL, DO041, Axial			1,25 w		Do-41	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-1n5935c-1	Ear99	8541.10.0050	1				1,2 V @ 200 Ma		1 µA @ 20,6 V										27 v	23 Ohm
Jan1N3042CUR-1/Tr	29.0339	RFQ	9613	Mikrochip -technologie	Militär, MIL-PRF-19500/115	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213ab, Melf (GLAS)			1 w		Do-213AB (Melf, LL41)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-Jan1N3042CUR-1/Tr	Ear99	8541.10.0050	1				1,2 V @ 200 Ma		10 µA @ 62,2 V.										82 v	200 Ohm
APT100GF60JU2	- - -	RFQ	6792	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Veraltet		- - -	Chassis -berg	Isotop			416 w	Standard	SOT-227	Herunterladen		1 (unbegrenzt)			Ear99	8541.29.0095	1	Einzel									Npt	600 V	120 a	2,5 V @ 15V, 100a	250 µA	Ja			12.3 NF @ 25 V.
JantXV1N4099D-1	25.7550	RFQ	5965	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/435	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial	1N4099		500 MW		DO-35 (Do-204AH)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1				1,1 V @ 200 Ma		1 µA @ 5,2 V.										6,8 v	200 Ohm
Jan1N963D-1/Tr	24.4055	RFQ	3142	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/117	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW		DO-35 (Do-204AH)	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-Jan1N963D-1/Tr	Ear99	8541.10.0050	1				1,1 V @ 200 Ma		1 µa @ 9,1 V										12 v	11,5 Ohm
CDS5521BUR-1/Tr	- - -	RFQ	5692	Mikrochip -technologie	*	Band & Rollen (TR)	Aktiv										- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-CDS5521BUR-1/Tr	Ear99	8541.10.0050	50
Jan1N4554RB	- - -	RFQ	6439	Mikrochip -technologie	Militär, MIL-PRF-19500/358	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Bolzenhalterung	DO-203AB, DO-5, Stud			50 w		Do-5	- - -	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1				1,5 V @ 10 a		20 µa @ 2 V										5.1 v	0,14 Ohm
JANS1N4119CUR-1/Tr	91.5802	RFQ	4019	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/435	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	Do-213AA (GLAS)			500 MW		Do-213aa	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-Jans1N4119cur-1/Tr	Ear99	8541.10.0050	1				1,1 V @ 200 Ma		10 NA @ 21.3 V.										28 v	200 Ohm
JANS1N4475/Tr	80.1900	RFQ	8135	Mikrochip -technologie	Militär, MIL-PRF-19500/406	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	DO-204AL, DO041, Axial			1,5 w		Do-41	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-Jans1N4475/Tr	Ear99	8541.10.0050	50				1,5 V @ 1 a		50 na @ 21.6 v										27 v	18 Ohm
1N4121-1	2.4450	RFQ	4253	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial	1N4121		500 MW		DO-35 (Do-204AH)	Herunterladen	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1				1,1 V @ 200 Ma		10 NA @ 25.1 V.										33 v	200 Ohm
Jantxv1n5806us	10.6400	RFQ	175	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/477	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	SQ-Melf, a	1N5806	Standard			D-5a	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	1		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)	150 v	875 mv @ 1 a	25 ns	1 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	1a	25PF @ 10V, 1 MHz
1N751C-1E3/Tr	4.6800	RFQ	8224	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW		DO-35 (Do-204AH)	Herunterladen			UnberÜHrt Ereichen	150-1n751c-1e3/tr	Ear99	8541.10.0050	202				1,1 V @ 200 Ma		1 µa @ 1 V										5.1 v	17 Ohm
2N2219E3	10.4100	RFQ	5367	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	K. Loch	To-205ad, bis 39-3 Metall Kann			800 MW		To-39 (bis 205ad)	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-2N2219E3	Ear99	8541.21.0095	1											50 v	800 mA		10na					Npn	1,6 V @ 50 Ma, 500 mA	100 @ 150 mA, 10V	- - -
1N957BE3/Tr	3.7350	RFQ	5096	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	DO-204AA, DO-7, Axial			500 MW		Do-7	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-1n957be3/tr	Ear99	8541.10.0050	254				1,1 V @ 200 Ma		150 µa @ 5,2 V										6,8 v	4,5 Ohm
JANS1N4616CUR-1	183.3900	RFQ	1882	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/435	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	Do-213AA (GLAS)			500 MW		Do-213aa	- - -			UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1				1,1 V @ 200 Ma		2 µa @ 1 V										2,2 v	1300 Ohm
UZ5827	32.2650	RFQ	7129	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	B, axial			5 w		B, axial	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-uz5827	Ear99	8541.10.0050	1						10 µa @ 20,6 V										27 v	6 Ohm
MBR4080PTE3/TU	1.1700	RFQ	8086	Mikrochip -technologie	*	Rohr	Aktiv					MBR4080					- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	2.000
Jan1n5531bur-1/tr	12.9542	RFQ	9048	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/437	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213AA (GLAS)			500 MW		Do-213aa	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-Jan1n5531bur-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1				1,1 V @ 200 Ma		50 NA @ 9.9 V.										11 v	80 Ohm
JantX1N976BUR-1/Tr	6.1845	RFQ	2245	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/117	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW		DO-35 (Do-204AH)	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-JantX1N976BUR-1/Tr	Ear99	8541.10.0050	1				1,1 V @ 200 Ma		500 na @ 33 v										43 v	93 Ohm
CDLL967D/Tr	6.2250	RFQ	6485	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213aa			500 MW		Do-213aa	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-cdll967d/tr	Ear99	8541.10.0050	152				1,1 V @ 200 Ma		500 na @ 14 v										18 v	21 Ohm

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (41164)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²