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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
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JantX1N4481US/Tr | 14.5050 | ![]() | 2475 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4481us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 50 NA @ 37,6 V. | 47 v | 50 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4112ur-1/tr | 3.5245 | ![]() | 6082 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4112ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 13.7 V. | 18 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
CDll751a | 3.0000 | ![]() | 178 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL751 | 500 MW | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 17 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
CDLL5260A | 2.8650 | ![]() | 3949 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL5260 | 10 MW | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 33 v | 43 v | 93 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Janhca1n4584a | 28.0200 | ![]() | 6767 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1n4584a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 25 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N4955us/Tr | 10.3650 | ![]() | 2810 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | 150-Jantx1n4955us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 100 µA @ 5,7 V | 7,5 v | 1,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S43100A | 112.3200 | ![]() | 1663 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | Standard | DO-205AA (DO-8) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-S43100A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 200 a | 50 µa @ 1000 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
1n5934bur-1 | 4.0650 | ![]() | 3044 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 1N5934 | 1,25 w | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 18,2 V. | 24 v | 19 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
1N750C | 4.3050 | ![]() | 9376 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n750c | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 1 V | 4,7 v | 19 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6003c | 4.4400 | ![]() | 8180 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6003 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 NA @ 9.9 V. | 13 v | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
CDLL5915C | 7.8450 | ![]() | 1718 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL5915 | 1,25 w | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 25 µa @ 1 V | 3,9 v | 7,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
JANS1N4970US/Tr | 86.8802 | ![]() | 8596 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1n4970us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 25,1 V. | 33 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55C75/Tr | 2.7664 | ![]() | 3565 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-BZV55C75/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 52.2 V. | 75 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD5269c | - - - | ![]() | 7549 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5269c | Ear99 | 8541.10.0050 | 109 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 NA @ 68 V. | 87 v | 370 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jankca1n5519c | - - - | ![]() | 6885 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1n5519c | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µa @ 1 V | 3.6 V | 24 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSM2N2906AUBC/Tr | 306.0614 | ![]() | 7101 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UBC | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansm2N2906AUBC/Tr | 50 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N1206B | 34.7100 | ![]() | 4884 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N1206 | Standard | DO-4 (DO-203AA) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N1206BMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,2 V @ 30 a | 10 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 12a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7372 | 324,9000 | ![]() | 9762 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-254-3, to-254aa | 4 w | To-254aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N7372 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | 50 µA | PNP | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 70 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5367E3/TR8 | 2.6250 | ![]() | 3529 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5367 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 na @ 31 v | 43 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5277a | 3.5850 | ![]() | 7502 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5277a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 116 v | 160 v | 1700 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANS1N5804URS | 118.4100 | ![]() | 9381 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/477 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 975 MV @ 2,5 a | 25 ns | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 25PF @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3319RB | 49.3800 | ![]() | 1303 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3319 | 50 w | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µa @ 15,2 V | 20 v | 2,4 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
JantX1N4620C-1 | 12.6150 | ![]() | 7299 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4620 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 3,5 µa @ 1,5 V | 3.3 v | 1650 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5371E3/TR8 | 2.6250 | ![]() | 6893 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5371 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 43 V | 60 v | 40 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
JantX1N6329d | 39.7950 | ![]() | 4856 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N6329d | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 12 v | 16 v | 12 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL4700C | 5.8653 | ![]() | 4405 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4700c | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 9.8 V. | 13 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM120DAM31CTBL1NG | 118.9300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | MSCSM120 | Sicfet (Silziumkarbid) | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSCSM120DAM31CTBL1NG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 1200 V | 79a | 20V | 31mohm @ 40a, 20V | 2,8 V @ 1ma | 232 NC @ 20 V | +25 V, -10 V | 3020 PF @ 1000 V | - - - | 310W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3211 | 65.8800 | ![]() | 9086 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3211 | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N3211m | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,19 V @ 90 a | 10 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 40a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
Mv31018-129a | - - - | ![]() | 9777 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-mv31018-129a | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 2.2pf @ 4V, 1 MHz | Einzel | 22 v | 10.2 | C2/C20 | 3000 @ 4V, 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4562RB | 74.3550 | ![]() | 2097 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | To-204ad | 1N4562 | 50 w | To-204ad (to-3) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 20 µa @ 2 V | 6.2 v | 0,14 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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