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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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![]() | 1N4454ur | 2.6400 | ![]() | 6422 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Standard, Umgekehrte Polarität | Do-213aa | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4454ur | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | Jan1N6354C | - - - | ![]() | 2776 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | B, axial | 500 MW | B, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 137 v | 180 v | 1500 Ohm | ||||||||||||||||||||
Jantxv1n6624us | 18.2850 | ![]() | 1905 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/585 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1N6624 | Standard | D-5a | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Jantxv1n6624us-mil | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 900 V | 1,55 V @ 1 a | 60 ns | 500 NA @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 10v, 1 MHz | ||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4478dus/tr | 56.5650 | ![]() | 7852 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | 150-Jantxv1n4478dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 50 NA @ 28,8 V. | 36 v | 27 Ohm | |||||||||||||||||||||
JantX1N4484 | 5.4150 | ![]() | 7276 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4484 | 1,5 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 NA @ 49.6 V. | 62 v | 80 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | 1N5360AE3/TR13 | 0,9900 | ![]() | 9321 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5360 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,250 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 18 V. | 25 v | 4 Ohm | ||||||||||||||||||
Jan1N4121C-1 | 10.5000 | ![]() | 4069 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4121 | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 25.1 V. | 33 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5222C | 6.7200 | ![]() | 4247 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 10 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5222c | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 2,5 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||
Jan1N6321us | 15.7500 | ![]() | 6515 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6321 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 2 µa @ 5 V | 7,5 v | 4 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | CD4102 | 1.3699 | ![]() | 9897 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD4102 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6,61 V | 8,7 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | CDLL3022B/Tr | 13.7389 | ![]() | 1633 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll3022b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 9,1 V | 12 v | 9 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n943bur-1 | - - - | ![]() | 5511 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/157 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 8 V | 11.7 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N749AUR-1/Tr | 4.3624 | ![]() | 9498 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-JantX1N749AUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 na @ 104 v | 4.3 v | 18 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | Jan2N4033UB/Tr | 21.6524 | ![]() | 4803 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/512 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan2N4033UB/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 100 | 80 v | 1 a | 25na | PNP | 1v @ 100 mA, 1a | 100 @ 100 Ma, 5V | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n6769r | - - - | ![]() | 2313 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-257-3 | Standard | To-257 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,06 V @ 8 a | 35 ns | 10 µa @ 80 V | - - - | 8a | 150pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 1N6769R | 205.5600 | ![]() | 5256 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-257-3 | 1N6769 | Standard, Umgekehrte Polarität | To-257 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6769r | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 100 v | 8a (DC) | 1,06 V @ 8 a | 35 ns | 10 µa @ 80 V | - - - | |||||||||||||||||
CDLL5264B | 3.5850 | ![]() | 3129 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL5264 | 10 MW | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 46 v | 60 v | 170 Ohm | |||||||||||||||||||
Jantxv1n4469us/tr | 17.7900 | ![]() | 7942 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4469us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 50 na @ 12 v | 15 v | 9 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N3969 | 62.1150 | ![]() | 9037 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | DO-5 (DO-203AB) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n3969 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,25 V @ 200 a | 25 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 70a | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | 1N3268 | 151.2750 | ![]() | 7652 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | 1N3268 | Standard | DO-205AB (DO-9) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N3268ms | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,3 V @ 300 a | 75 µa @ 500 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - - - | |||||||||||||||||
1N753C | 4.3050 | ![]() | 4491 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n753c | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 v | 6.2 v | 7 Ohm | |||||||||||||||||||||
CDLL5932d | 11.7300 | ![]() | 9990 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL5932 | 1,25 w | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 15,2 V. | 20 v | 14 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | JantXV1N5535CUR-1 | 49.5150 | ![]() | 8409 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N5535 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 13,5 V. | 15 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | Jan1N4561RB | - - - | ![]() | 4165 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/114 | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-204ad | 50 w | To-204ad (to-3) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 20 µa @ 1 V | 5.6 v | 0,12 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N4991C | 30.9450 | ![]() | 4326 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 182 V | 240 V | 650 Ohm | ||||||||||||||||||||
Jankca1n4567a | - - - | ![]() | 9852 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1n4567a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N6842U3 | 181.8750 | ![]() | 8749 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | Schottky | U3 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 900 mv @ 15 a | 50 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 400PF @ 5V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N5620 | 74.1300 | ![]() | 6697 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 58 w | To-204ad (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N5620 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 5 a | - - - | PNP | 1,5 V @ 500 µA, 2,5 mA | - - - | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | Jan2N3725UB/Tr | - - - | ![]() | 5034 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | UB | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan2N3725UB/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 500 mA | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | 1N3822A-1 | - - - | ![]() | 1162 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N3822 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 75 µa @ 1 V | 3.6 V | 10 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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