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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
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![]() | Jan1N3317RB | - - - | ![]() | 5623 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/358 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µA @ 13,7 V | 18 v | 2 Ohm | |||||||||||||||
![]() | MS1N6392 | 1.0000 | ![]() | 1407 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | 150-MS1N6392 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UES1302SME3 | 40.3950 | ![]() | 2201 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | B, axial | Standard | B, axial | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-EES1302SME3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 925 mv @ 6 a | 30 ns | 5 µa @ 100 V. | 175 ° C. | 6a | - - - | ||||||||||||
![]() | MP61012-p00 | - - - | ![]() | 5985 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C. | Sterben | MP61012 | Chip | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-mp61012-p00 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 50 ma | 0,35PF @ 10V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | 800MOHM @ 20 mA, 1 GHz | ||||||||||||||||
![]() | 1 PMT4108CE3/TR13 | - - - | ![]() | 8076 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.00 UHR 4108 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 10.65 V. | 14 v | 200 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1N6921utk4 | 259.3500 | ![]() | 3758 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6921utk4 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2480 | 35.6700 | ![]() | 4142 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2n248 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N2480 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
Jan1N4103-1 | 4.1400 | ![]() | 5331 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4103 | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 7 V. | 9.1 v | 200 Ohm | |||||||||||||||
![]() | JANS1N4960CUS | 343.6210 | ![]() | 1312 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N4960CUS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3017B-1/Tr | 7.4214 | ![]() | 4884 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N3017 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n3017b-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 µA @ 5,7 V | 7,5 v | 4 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1N5742B | 1.8600 | ![]() | 1523 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5742 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 12 V. | 18 v | 45 Ohm | |||||||||||||
![]() | Jan1N4584AUR-1/Tr | 29.3250 | ![]() | 7062 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N4584aur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 25 Ohm | |||||||||||||||
![]() | Jantx1n5521dur-1 | 47.2200 | ![]() | 1125 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N5521 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µa @ 1,5 V | 4.3 v | 18 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1n3893ar | 50.8800 | ![]() | 9354 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/304 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N3893 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AA (DO-4) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,5 V @ 38 a | 150 ns | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 20a | - - - | ||||||||||||
![]() | JantXV1N3319RB | - - - | ![]() | 4417 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/358 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µa @ 15,2 V | 20 v | 2,4 Ohm | |||||||||||||||
![]() | S37150 | 61.1550 | ![]() | 6732 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-S37150 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
JantX1N6324D | 39.7950 | ![]() | 2605 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N6324d | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 1 µa @ 8 V. | 10 v | 6 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | CD829 | 27.9300 | ![]() | 7413 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 4,83% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD829 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.2 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | CD6316 | 2.1014 | ![]() | 6861 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | - - - | Oberflächenhalterung | Sterben | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD6316 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | JantX1N4120DUR-1 | 30.4050 | ![]() | 8044 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4120 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 22,8 V. | 30 v | 200 Ohm | |||||||||||||
Jantxv1n6490 | - - - | ![]() | 7109 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 1 µa @ 1 V | 5.1 v | 7 Ohm | |||||||||||||||
![]() | Jan1N4129ur-1 | 8.7150 | ![]() | 2878 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4129 | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 47.1 V. | 62 v | 500 Ohm | ||||||||||||||
![]() | Jan1n3020bur-1/tr | 11.4247 | ![]() | 3980 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1n3020bur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 25 µa @ 7,6 V | 10 v | 7 Ohm | ||||||||||||||
![]() | Jan1N972CUR-1 | 11.3850 | ![]() | 9035 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N972 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 na @ 23 v | 30 v | 49 Ohm | |||||||||||||
![]() | CDLL6341/Tr | 13.1404 | ![]() | 4006 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 500 MW | Do-213ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll6341/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 na @ 39 V | 51 v | 85 Ohm | ||||||||||||||
![]() | S3160 | 49.0050 | ![]() | 3526 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-S3160 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDS758AUR-1 | - - - | ![]() | 4846 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS758aur-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4995US | - - - | ![]() | 1974 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | E, axial | 1N4995 | 5 w | E, axial | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 274 V | 360 V | 1400 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1N5247BUR-1/Tr | 3.0200 | ![]() | 8345 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | Ear99 | 8541.10.0050 | 658 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 13 v | 17 v | 19 Ohm | |||||||||||||||||
JantX1N4102C-1 | 13.5750 | ![]() | 3555 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4102 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 6.7 V. | 8,7 v | 200 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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