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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Spannung - Anode - Kathode (VAK) (max) | Reglerstrom (max) | Spannung - Begrenzung (max) |
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Jantx1n4489us/tr | 11.1720 | ![]() | 3996 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4489us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 250 na @ 80 V | 100 v | 300 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N4125CUR-1 | 22.3200 | ![]() | 3928 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4125 | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 35.8 V. | 47 v | 250 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MNS2N3810U | 49.7850 | ![]() | 5309 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | 2N3810 | 350 MW | U | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150 Mns2N3810U | 1 | 60 v | 50 ma | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 250 mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1ma, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n989dur-1/tr | - - - | ![]() | 2348 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 400 MW | Do-213aa | - - - | 150-Jantxv1n989dur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,3 V @ 200 Ma | 500 na @ 114 v | 150 v | 1500 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX2N6690 | - - - | ![]() | 9185 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/537 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TA) | Bolzenhalterung | To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud | 3 w | To-61 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V | 100 µA | 100 µA | Npn | 5v @ 5a, 15a | 15 @ 1a, 3v | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CDLL5542 | 6.4800 | ![]() | 5772 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL5542 | 500 MW | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 20 V | 24 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5387B/TR13 | 2.2500 | ![]() | 5186 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMBG5387 | 5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 137 V | 190 v | 450 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n3328b | - - - | ![]() | 3291 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/358 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µA @ 32,7 V. | 43 v | 4,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5296ur-1 | 40.2450 | ![]() | 5802 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N5296 | 500 MW | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.001 ma | 1,29 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4567-1/tr | 4.2750 | ![]() | 4118 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | 0 ° C ~ 75 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4567-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N823-1e3 | 3.9150 | ![]() | 4534 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/159 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n823-1e3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.2 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CDLL5234B | 4.7700 | ![]() | 5363 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL5234 | 10 MW | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 4 V | 6.2 v | 7 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C3902-mscl | 37.0050 | ![]() | 5078 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2C3902-MSCL | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4955dus | 33.0450 | ![]() | 7822 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4955dus | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 100 µA @ 5,7 V | 7,5 v | 1,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JantX1N3029D-1 | 27.4500 | ![]() | 6687 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N3029 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 18,2 V. | 24 v | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JantXV1N4954CUS | 33.8250 | ![]() | 5676 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N4954 | 5 w | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 150 µa @ 5,2 V | 6,8 v | 1 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2n2978 | 33.4200 | ![]() | 3132 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2n297 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N2978 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5357CE3/TR13 | 1.3350 | ![]() | 4404 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5357 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,250 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 14.4 V. | 20 v | 3 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N5310-1 | 99.8700 | ![]() | 5218 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5310 | 500 MW | Do-7 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63 Ma | 2,35 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT34F60B | 13.3600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT34F60 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 600 V | 36a (TC) | 10V | 210mohm @ 17a, 10V | 5v @ 1ma | 165 NC @ 10 V. | ± 30 v | 6640 PF @ 25 V. | - - - | 624W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1N6768 | - - - | ![]() | 4842 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-257-3 | Standard | To-257 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,06 V @ 8 a | 35 ns | 10 µa @ 40 V | - - - | 8a | 150pf @ 5v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N3024CUR-1/Tr | 33.2500 | ![]() | 6221 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n3024cur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 11,4 V | 15 v | 14 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N5289-1/Tr | 100.0200 | ![]() | 3736 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | Do-7 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N5289-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473 µA | 1,05 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n2818b | - - - | ![]() | 2680 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/114 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-204ad | 1N2818 | 10 w | To-204ad (to-3) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µa @ 15,2 V | 20 v | 2,4 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2N5415 | - - - | ![]() | 3320 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/485 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 750 MW | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 200 v | 1 a | 1ma | PNP | 2v @ 5ma, 50 mA | 30 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N4626DUR-1 | 30.4050 | ![]() | 5171 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4626 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µa @ 4 V | 5.6 v | 1400 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5368BE3/TR12 | 2.6850 | ![]() | 4508 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5368 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 33.8 V. | 47 v | 25 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n4957dus/tr | 32.4000 | ![]() | 4621 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | 150-Jantx1n4957dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 25 µa @ 6,9 V | 9.1 v | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT40GP90B2DQ2G | 18.8700 | ![]() | 4555 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 Variante | APT40GP90 | Standard | 543 w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600 V, 40a, 4,3 Ohm, 15 V. | Pt | 900 V | 101 a | 160 a | 3,9 V @ 15V, 40a | 795 µj (AUS) | 145 NC | 14ns/90ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jan1N4468 | 7.9500 | ![]() | 2745 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4468 | 1,5 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 10.4 v | 13 v | 8 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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