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Diskette HalblerProdukte (41164)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Anwendungen Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Eingabekapazität (cies) @ vce Ausfluss - rds (on) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Spannung - Anode - Kathode (VAK) (max) Reglerstrom (max) Spannung - Begrenzung (max)
CDLL4491/TR Microchip Technology CDLL4491/Tr 14.2310
RFQ
 ECAD 3327 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) 1,5 w Do-213AB (Melf, LL41) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-cdll4491/tr Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 Ma 250 NA @ 96 V 120 v 400 Ohm
APTC60DSKM24T3G Microchip Technology APTC60DSKM24T3G 129.7000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Mikrochip -technologie Coolmos ™ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SP3 Aptc60 MOSFET (Metalloxid) 462W SP3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 2 n -kanal (Doppel -Buck -hubschlaar) 600V 95a 24MOHM @ 47,5a, 10V 3,9 V @ 5ma 300nc @ 10v 14400pf @ 25v Super Junction
JAN2N5794A Microchip Technology Jan2n5794a 105.1208
RFQ
 ECAD 7946 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/495 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Bis 78-6 Metalldose 2n5794 600 MW To-78-6 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 40V 600 mA 10 µA (ICBO) 2 NPN (Dual) 900mv @ 30 mA, 300 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANTX1N6864 Microchip Technology JantX1N6864 - - -
RFQ
 ECAD 1226 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/620 Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Do-213aa 1N6864 Schottky Do-213aa - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 80 v 700 mv @ 3 a 150 µa @ 80 V -65 ° C ~ 125 ° C. 3a - - -
JANS1N4124UR-1/TR Microchip Technology JANS1N4124UR-1/Tr 45.8600
RFQ
 ECAD 7967 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) 500 MW Do-213aa - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jans1N4124ur-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 NA @ 32.7 V. 43 v 250 Ohm
2N3421S Microchip Technology 2N3421s 17.7422
RFQ
 ECAD 3137 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N3421 1 w To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 3 a 5 ähm Npn 500mv @ 200 Ma, 2a 40 @ 1a, 2v - - -
JANS1N4964CUS/TR Microchip Technology JANS1N4964CUS/TR 368.3100
RFQ
 ECAD 7902 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/356 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, b 5 w E-Melf - - - 150-Jans1N4964CUS/Tr Ear99 8541.10.0050 50 1,5 V @ 1 a 5 µa @ 13,7 V 18 v 4 Ohm
1N5288/TR Microchip Technology 1n5288/tr 18.7950
RFQ
 ECAD 1991 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - - - K. Loch DO-204AA, DO-7, Axial 1N5288 475 MW Do-7 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-1n5288/tr 100 100V 429 µA 1,05 v
1N983BE3/TR Microchip Technology 1N983BE3/Tr 2.1679
RFQ
 ECAD 9147 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch DO-204AA, DO-7, Axial 500 MW DO-7 (DO-204AA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-1n983be3/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 5 µA @ 62,2 V. 82 v 330 Ohm
JANTX1N4469D Microchip Technology Jantx1n4469d 21.5250
RFQ
 ECAD 8463 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/406 Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4469 1,5 w Do-41 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 Ma 50 na @ 12 v 15 v 9 Ohm
CDLL5244C Microchip Technology CDLL5244c 6.7200
RFQ
 ECAD 1666 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213aa 10 MW Do-213aa - - - UnberÜHrt Ereichen 150-cdll5244c Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 100 na @ 10 v 14 v 15 Ohm
MASMBJ5361B Microchip Technology Masmbj5361b 3.8700
RFQ
 ECAD 2714 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB 5 w Smbj (do-214aa) - - - UnberÜHrt Ereichen 150 MASBJ5361B Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 1 a 500 NA @ 20.6 V. 27 v 5 Ohm
APTGLQ200H120G Microchip Technology APTGLQ200H120G 378.5700
RFQ
 ECAD 3108 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 APTGLQ200 1000 w Standard Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Volle Brucke TRABENFELD STOPP 1200 V 350 a 2,4 V @ 15V, 200a 100 µA NEIN 12.3 NF @ 25 V.
2N918 Microchip Technology 2N918 14.6300
RFQ
 ECAD 4353 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch To-206af, bis 72-4 Metall Kann 2N918 200 MW To-72 Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2n918ms Ear99 8541.21.0095 1 15 v 50 ma 1 µA (ICBO) Npn 400mv @ 1ma, 10 mA 20 @ 10 ma, 10V - - -
CD4131 Microchip Technology CD4131 1.3699
RFQ
 ECAD 8678 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Sterben 500 MW Sterben Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-CD4131 Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 200 Ma 10 Na @ 57 V 75 V 700 Ohm
JANTX1N751AUR-1 Microchip Technology JantX1N751aur-1 4.3050
RFQ
 ECAD 7682 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/127 Schüttgut Aktiv ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) 500 MW Do-213aa - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 5 µa @ 2 V. 5.1 v 14 Ohm
JANSP2N2221AUB/TR Microchip Technology JANSP2N2221AUB/Tr 161.2350
RFQ
 ECAD 7616 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 150-JANSP2N2221AUB/Tr 50
JANTXV1N4118DUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n4118dur-1/Tr 32.0663
RFQ
 ECAD 9945 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) 500 MW Do-213aa - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv1n4118dur-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 Na @ 20,5 V. 27 v 150 Ohm
2N6232 Microchip Technology 2N6232 43.2649
RFQ
 ECAD 2847 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N6232 1,25 w To-5 - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 100 v 10 a 200na PNP 25 @ 5a, 2v - - -
1N4683UR-1/TR Microchip Technology 1N4683ur-1/tr 5.2400
RFQ
 ECAD 2825 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213aa 500 MW Do-213aa - - - Ear99 8541.10.0050 186 1,5 V @ 100 mA 800 na @ 1 v 3 v
JANTXV1N5519B-1/TR Microchip Technology Jantxv1n5519b-1/tr 8.2327
RFQ
 ECAD 5334 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/437 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv1n5519b-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 3 µa @ 1 V 3.6 V 24 Ohm
JANTXV1N4622C-1 Microchip Technology JantXV1N4622C-1 14.7750
RFQ
 ECAD 6430 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N4622 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 2,5 µa @ 2 V 3,9 v 1650 Ohm
1N5364B/TR12 Microchip Technology 1N5364B/TR12 2.6850
RFQ
 ECAD 3718 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. K. Loch T-18, axial 1N5364 5 w T-18 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 1 a 500 NA @ 23.8 V. 33 v 10 Ohm
JANTXV1N6350CUS/TR Microchip Technology JantXV1N6350CUS/Tr 57.2550
RFQ
 ECAD 6472 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/533 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, b 500 MW B, SQ-Melf - - - 150-Jantxv1n6350cus/tr Ear99 8541.10.0050 100 1,4 V @ 1 a 50 na @ 91 V 120 v 600 Ohm
2N5115UB/TR Microchip Technology 2N5115UB/Tr 52.7212
RFQ
 ECAD 4697 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UB - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-2N5115UB/Tr Ear99 8541.21.0095 1 P-Kanal 30 v 25pf @ 15V 30 v 60 mA @ 15 V 6 V @ 1 na 100 Ohm
JAN2N2432UB Microchip Technology Jan2N2432UB 217.8806
RFQ
 ECAD 7413 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung UB - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 30 v 100 ma - - - Npn - - - - - - - - -
JAN1N5809URS Microchip Technology Jan1N5809URS 17.4750
RFQ
 ECAD 2945 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/477 Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SQ-Melf, b 1N5809 Standard B, SQ-Melf Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 875 mv @ 4 a 30 ns 5 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 175 ° C. 3a 60pf @ 10v, 1 MHz
CDLL4691 Microchip Technology CDLL4691 3.3450
RFQ
 ECAD 2970 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213aa CDLL4691 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 µa @ 5 V 6.2 v
UES1106E3 Microchip Technology UES1106E3 21.1050
RFQ
 ECAD 8841 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1
APT5016BFLLG Microchip Technology APT5016Bfllg 16.4800
RFQ
 ECAD 1814 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT5016 MOSFET (Metalloxid) To-247 [b] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 30a (TC) 10V 160Mohm @ 15a, 10V 5v @ 1ma 72 NC @ 10 V ± 30 v 2833 PF @ 25 V. - - - 329W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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