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Diskette HalblerProdukte (41164)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Anwendungen Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Kapazitätsverhöltnis Q @ vr, f Spannung - Anode - Kathode (VAK) (max) Reglerstrom (max) Spannung - Begrenzung (max)
UES706R Microchip Technology UES706R 72.8700
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 ECAD 1741 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv Bolzenhalterung DO-203AA, DO-4, Stud Standard DO-203AA (DO-4) - - - Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,25 V @ 20 a 50 ns - - - 20a - - -
JANTX1N5314UR-1/TR Microchip Technology JantX1N5314ur-1/Tr 24.1350
RFQ
 ECAD 3393 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/463 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - - - Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) 1N5314 500 MW Do-213AB (Melf, LL41) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantx1n5314ur-1/Tr Ear99 8541.10.0070 1 100V 5.17 Ma 2,9 v
JAN1N3000B Microchip Technology Jan1n3000b - - -
RFQ
 ECAD 2974 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/124 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Bolzenhalterung DO-203AA, DO-4, Stud 1N3000 10 w Do-213aa (do-4) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 2 a 10 µA @ 47,1 V 62 v 17 Ohm
1N2066 Microchip Technology 1n2066 158.8200
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 ECAD 9826 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv Bolzenhalterung Do-205AB, Do-9, Stud Standard DO-205AB (DO-9) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 150-1n2066 Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,3 V @ 300 a 75 µa @ 800 V -65 ° C ~ 190 ° C. 275a - - -
JANTXV1N4111CUR-1 Microchip Technology Jantxv1n4111cur-1 28.8000
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 ECAD 7348 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) 1N4111 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 50 na @ 13 v 17 v 100 Ohm
JANTXV1N5618 Microchip Technology Jantxv1n5618 7.8750
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 ECAD 8759 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/427 Schüttgut Aktiv K. Loch A, axial 1N5618 Standard A, axial Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,3 V @ 3 a 2 µs 500 NA @ 600 V -65 ° C ~ 200 ° C. 1a - - -
DN2625K4-G Microchip Technology DN2625K4-G 1.6300
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 ECAD 7086 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DN2625 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 250 V 1.1a (TJ) 0V 3,5OHM @ 1a, 0V - - - 7,04 NC @ 1,5 V. ± 20 V 1000 PF @ 25 V. Depletion -modus - - -
SMBJ5931AE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5931AE3/TR13 0,8850
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 ECAD 4015 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB SMBJ5931 2 w Smbj (do-214aa) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 1 µA @ 13,7 V 18 v 12 Ohm
1PMT4627/TR13 Microchip Technology 1 PMT4627/TR13 1.1700
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 ECAD 4325 0.00000000 Mikrochip -technologie PowerMite® Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-216aa 13.PMT4627 1 w Do-216 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 12.000 1,1 V @ 200 Ma 10 µa @ 5 V 6.2 v 1200 Ohm
JANTX1N4973 Microchip Technology JantX1N4973 7.9000
RFQ
 ECAD 822 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/356 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch E, axial 1N4973 5 w - - - Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 a 2 µA @ 32,7 V. 43 v 20 Ohm
GC2511-150A Microchip Technology GC2511-150A - - -
RFQ
 ECAD 7090 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung Sterben Chip - - - UnberÜHrt Ereichen 150-GC2511-150atr Ear99 8541.10.0040 1 0,6PF @ 6v, 1 MHz Einzel 15 v - - - - - -
JANTXV1N977BUR-1 Microchip Technology Jantxv1n977bur-1 7.5600
RFQ
 ECAD 1589 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/117 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) 1N977 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 500 na @ 36 v 47 v 105 Ohm
APT58M50J Microchip Technology APT58M50J 32.5300
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 ECAD 6417 0.00000000 Mikrochip -technologie Power Mos 8 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc APT58M50 MOSFET (Metalloxid) ISOTOP® Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 58a (TC) 10V 65mohm @ 42a, 10V 5 V @ 2,5 mA 340 nc @ 10 v ± 30 v 13500 PF @ 25 V. - - - 540W (TC)
1PMT4120E3/TR13 Microchip Technology 1 PMT4120E3/TR13 0,4950
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 ECAD 2902 0.00000000 Mikrochip -technologie PowerMite® Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-216aa 13.00120 1 w Do-216 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 12.000 1,1 V @ 200 Ma 10 NA @ 22,8 V. 30 v 200 Ohm
JAN1N3673AR Microchip Technology Jan1n3673ar 56.9250
RFQ
 ECAD 9679 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/260 Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud 1N3673 Standard DO-203AA (DO-4) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,35 V @ 38 a 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a - - -
JANTXV1N5531BUR-1 Microchip Technology Jantxv1n5531bur-1 - - -
RFQ
 ECAD 2835 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/437 Schüttgut Abgebrochen bei Sic ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 50 NA @ 9.9 V. 11 v 80 Ohm
2N5734 Microchip Technology 2N5734 77.3850
RFQ
 ECAD 7274 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 150 w To-204ad (to-3) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N5734 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 30 a - - - PNP - - - - - - - - -
CDLL4736A Microchip Technology CDll4736a 3.4650
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 ECAD 8127 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf CDLL4736 Do-213ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 3 µa @ 4 V. 6,8 v 3,5 Ohm
JAN1N3033D-1 Microchip Technology Jan1N3033D-1 21.6750
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 ECAD 6426 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/115 Schüttgut Aktiv ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N3033 1 w Do-41 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 10 µA @ 27,4 V 36 v 50 Ohm
JANTXV1N966B-1/TR Microchip Technology Jantxv1N966B-1/Tr 3.2186
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 ECAD 7896 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/117 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv1N966B-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 500 NA @ 12 V. 16 v 17 Ohm
CDLL5533BE3 Microchip Technology CDLL5533BE3 6.6600
RFQ
 ECAD 6027 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213aa 500 MW Do-213aa - - - UnberÜHrt Ereichen 150-cdll5533be3 Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 NA @ 110.2 V. 13 v 90 Ohm
1N5539D Microchip Technology 1n5539d 14.2050
RFQ
 ECAD 3451 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-1n5539d Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 Na @ 17.1 V. 19 v 100 Ohm
MSASC100W30HX/TR Microchip Technology MSASC100W30HX/Tr - - -
RFQ
 ECAD 7779 0.00000000 Mikrochip -technologie * Band & Rollen (TR) Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-MSASC100W30HX/TR 100
1N5356CE3/TR8 Microchip Technology 1N5356CE3/TR8 3.3900
RFQ
 ECAD 8869 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. K. Loch T-18, axial 1N5356 5 w T-18 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.000 1,2 V @ 1 a 500 NA @ 13.7 V. 19 v 3 Ohm
JANTX1N2825RB Microchip Technology JantX1N2825RB - - -
RFQ
 ECAD 6541 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-204ad 1N2825 10 w To-204ad (to-3) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 2 a 10 µA @ 27,4 V 36 v 3,5 Ohm
JANSR2N3637UB/TR Microchip Technology JANSR2N3637UB/Tr 125.1808
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 ECAD 5551 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 1,5 w UB - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jansr2N3637UB/Tr Ear99 8541.29.0095 1 175 v 1 a 10 µA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 mA, 10 V. - - -
CDLL5228C Microchip Technology CDLL5228c 6.7200
RFQ
 ECAD 8308 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213aa 10 MW Do-213aa - - - UnberÜHrt Ereichen 150-cdll5228c Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 µa @ 1 V 3,9 v 23 Ohm
JANTX1N973DUR-1/TR Microchip Technology JantX1N973DUR-1/Tr 21.1736
RFQ
 ECAD 1711 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/117 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantx1n973dur-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 500 NA @ 25 V. 33 v 58 Ohm
1N5537 Microchip Technology 1N5537 1.8150
RFQ
 ECAD 3587 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 20% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-1n5537 Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 na @ 14 v 17 v
JANTXV1N3032D-1/TR Microchip Technology JantXV1N3032D-1/Tr 32.2392
RFQ
 ECAD 1192 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/115 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1 w Do-41 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv1N3032D-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 10 µa @ 25,1 V 33 v 45 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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