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Diskette HalblerProdukte (41164)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss - rds (on) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Spannung - Anode - Kathode (VAK) (max) | Reglerstrom (max) | Spannung - Begrenzung (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan1N647ur-1/Tr | - - - |  | 8445 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/240 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Standard | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N647ur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1 V @ 400 mA | -65 ° C ~ 175 ° C. | 400 ma | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5340E3/TR12 | 2.6250 | | 7233 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5340 | 5 w | T-18 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 1 µa @ 3 V | 6 v | 1 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan1n4495us/tr | 14.5050 | | 5987 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | 150-Jan1n4495us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 250 na @ 144 v | 180 v | 1300 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL4109D | 8.6100 | | 2851 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tasche | Aktiv | - - - | - - - | - - - | - - - | CDLL4109 | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | CDLL4109DMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan1N4989 | 11.5500 | | 8432 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | E, axial | 1N4989 | 5 w | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 152 V | 200 v | 500 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JantXV1N5286-1 | 36.4050 | | 7244 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5286 | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330 µA | 1V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Janhca1n4370a | 6.9160 | | 8840 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1N4370a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 2,4 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan1N4971CUS | 21.1650 | | 8174 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N4971 | 5 w | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 27,4 V. | 36 v | 11 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jankca1n4107d | - - - | | 7373 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1n4107d | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 9.857 V. | 13 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan1n4493dus/tr | 33,6000 | | 8608 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | 150-Jan1n4493dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 250 NA @ 120 V | 150 v | 700 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JantXV1N6488C | - - - | | 1855 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,5 w | Do-41 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 5 µa @ 1 V | 4.3 v | 9 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1n821a/tr | 4.0650 | | 1078 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n821a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.2 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JantX2N3501U4/Tr | - - - | | 5011 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx2N3501U4/Tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 300 ma | 50na (ICBO) | Npn | 400mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5415U4 | 91.9350 | | 3974 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U4 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N5415U4 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 1 a | 50 µA | PNP | 2v @ 5ma, 50 mA | 30 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5114UB/Tr | 55.2349 | | 6557 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UB | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N5114UB/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | P-Kanal | 30 v | 25pf @ 15V | 30 v | 90 mA @ 18 V. | 10 V @ 1 na | 75 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1N4123D-1/Tr | 25.8153 | | 8450 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N4123D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 29.7 V. | 39 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n4976cus/tr | 41.0400 | | 7045 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | 150-Jantxv1n4976cus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 42,6 V. | 56 v | 35 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JantX1N5537D-1/Tr | 19.5776 | | 2821 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-JantX1N5537D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 15.3 V. | 17 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n5526cur-1/Tr | 44.0363 | | 1367 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n5526cur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6,2 V. | 6,8 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4134/tr | 2.3408 | | 3711 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 400 MW | Do-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4134/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 69.16 V. | 91 V | 1,2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan2N5667 | 16.7580 | | 3246 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/455 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2n5667 | 1,2 w | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 5 a | 200na | Npn | 1v @ 1a, 5a | 25 @ 1a, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| JANSF2N3439U4 | 413.4420 | | 2395 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 800 MW | U4 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansf2N3439U4 | 1 | 350 V | 1 a | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DSB5712/Tr | - - - | | 9531 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Schottky, Umgekehrte Polarität | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-dsb5712/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 100 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 20 v | 1 V @ 35 mA | 150 µa @ 16 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 75 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANS1N5711UBD/Tr | 161.2800 | | 3439 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/444 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | Schottky | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N5711UBD/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 50 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 50 v | 1 V @ 15 mA | 200 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 33 ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSASC100H30HS/TR | - - - | | 8503 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-msasc100H30HS/tr | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JantX1N3070ur-1 | - - - | | 8013 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/169 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1n3070 | Standard | Do-7 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 175 v | 1 V @ 100 mA | 50 ns | 100 na @ 175 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 100 ma | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT10050B2VFRG | 25.4800 | | 1995 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power Mos V® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 Variante | APT10050 | MOSFET (Metalloxid) | T-Max ™ [B2] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 1000 v | 21a (TC) | 500mohm @ 500 mA, 10V | 4v @ 2,5 mA | 500 NC @ 10 V | 7900 PF @ 25 V. | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n5306-1/tr | 36.5700 | | 8154 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5306 | 500 MW | Do-7 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n5306-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42 mA | 1,95 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| JantX1N5536B-1/Tr | 6.2111 | | 1081 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-204AH (DO-35 GLAS) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N5536B-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 14.4 v | 16 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMBJ5945A/TR13 | 1.5600 | | 4878 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5945 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 51,2 V. | 68 v | 120 Ohm |
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