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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Spannung - Anode - Kathode (VAK) (max) | Reglerstrom (max) | Spannung - Begrenzung (max) |
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CDLL4743 | 3.4650 | ![]() | 4038 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL4743 | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 9.9 V. | 13 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UES1306SM/Tr | 45.3900 | ![]() | 6748 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | Standard | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-EES1306SM/Tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 50 ns | 20 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N5189/Tr | 14.3400 | ![]() | 8016 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/424 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Axial | Standard | B | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5189/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,5 V @ 9 a | 300 ns | 2 µa @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5545dur-1/tr | 55.0221 | ![]() | 4796 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n5545dur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 27 v | 30 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S4280f | 57.8550 | ![]() | 5928 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | S42 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | S4280 | Standard | DO-205AA (DO-8) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,2 V @ 200 a | 50 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 125a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD5233B | 1.4497 | ![]() | 4569 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5233b | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 5 µa @ 3,5 V | 6 v | 7 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n5623/tr | 7.3350 | ![]() | 8969 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5623/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,6 V @ 3 a | 500 ns | 500 na @ 1 v | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 12V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N5312-1 | 28.8900 | ![]() | 7287 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5312 | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29 Ma | 2,6 v | |||||||||||||||||||||||||||||
MSC010SDA120K | 4.4600 | ![]() | 2029 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | MSC010 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220 [k] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,5 V @ 10 a | 0 ns | - - - | 10a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL4914 | 61.1250 | ![]() | 3158 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | CDLL4914 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 8 V | 12,8 v | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5305-1 | 21.8550 | ![]() | 4476 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5305 | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.2 ma | 1,85 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Janhca1n5309 | - - - | ![]() | 5395 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1N5309 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3 Ma | 2,25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5352BE3/TR13 | 1.1400 | ![]() | 9442 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMBG5352 | 5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 1 µA @ 10,8 V. | 15 v | 2,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDS5525BUR-1/Tr | - - - | ![]() | 8085 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS5525BUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jan1N4965dus | 31.3500 | ![]() | 1177 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N4965 | 5 w | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 15,2 V | 20 v | 4,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM120DUM027AG | 932.4200 | ![]() | 4698 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | MSCSM120 | Silziumkarbid (sic) | 2968W (TC) | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSCSM120DUM027AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n-kanal (dual) Gemeinsame Quelle | 1200 V (1,2 kV) | 733a (TC) | 3,5 MOHM @ 360A, 20V | 2,8 V @ 9ma | 2088nc @ 20V | 27000PF @ 1000V | - - - | |||||||||||||||||||||||
CDll3045a | 15.3000 | ![]() | 3415 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL3045 | 1 w | Do-213ab | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 83.6 V. | 110 v | 450 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N4103dur-1 | 18.4050 | ![]() | 5344 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 1N4103 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 7 V. | 9.1 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N3022CUR-1 | 37.3500 | ![]() | 4335 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N3022 | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 9,1 V | 12 v | 9 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n977dur-1 | 24.2250 | ![]() | 7402 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N977 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 na @ 36 v | 47 v | 105 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2n5077 | 287.8650 | ![]() | 3992 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Bolzenhalterung | To-210aa, to-59-4, Stud | 40 w | To-59 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2n5077 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 250 V | 3 a | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n5294/tr | 18.7950 | ![]() | 9031 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C. | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5294 | 475 MW | Do-7 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5294/tr | 100 | 100V | 825 µA | 1,2 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL6353 | 14.6400 | ![]() | 4713 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll6353 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD4580A | 5.1900 | ![]() | 7354 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD4580A | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 25 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
1N5933bur-1 | 4.0650 | ![]() | 9029 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 1N5933 | 1,25 w | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 16,7 V | 22 v | 17,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
Jantx1n4968dus | - - - | ![]() | 9390 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 20,6 V | 27 v | 6 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPS10100/TR13 | 2.8500 | ![]() | 5499 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | UPS10100 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JantX1N6314us | 21.1200 | ![]() | 9103 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6314 | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 2 µa @ 1 V | 3,9 v | 23 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4757PE3/TR8 | 0,9150 | ![]() | 6798 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4757 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 38,8 V | 51 v | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n6341dus/tr | 49.8300 | ![]() | 5265 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | 150-Jan1N6341dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 39 V | 51 v | 85 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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