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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Spannung - Anode - Kathode (VAK) (max) | Reglerstrom (max) | Spannung - Begrenzung (max) |
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![]() | 1N4736PE3/TR8 | 0,9150 | ![]() | 4486 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4736 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 4 V. | 6,8 v | 3,5 Ohm | ||||||||||||||||||||
Jan1N6339d | 49.5300 | ![]() | 6099 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N6339d | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 33 v | 43 v | 65 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | JantXV1N3823DUR-1 | 62.0400 | ![]() | 6681 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N3823 | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 25 µa @ 1 V | 3,9 v | 9 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N3779 | 38.6100 | ![]() | 6137 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N3779 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDS5819ur-1 | - - - | ![]() | 8982 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS5819ur-1 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n5536dur-1/tr | 41.1768 | ![]() | 7890 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1n5536dur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 14.4 v | 16 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ4743E3/TR13 | 0,4350 | ![]() | 7065 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ4743 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 9,9 V | 13 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||
Jantx1n4996dus | - - - | ![]() | 1620 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 297 V. | 390 v | 1800 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n6633dus/tr | - - - | ![]() | 1722 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | E-Melf | Herunterladen | 150-Jan1N6633dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 250 µa @ 1 V | 3.6 V | 2,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N5283-1 | 36.1350 | ![]() | 6731 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5283 | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242 µa | 1V | |||||||||||||||||||||
JantX1N5518C-1/Tr | 17.4496 | ![]() | 6809 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5518c-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 26 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N5289-1/Tr | 100.0200 | ![]() | 3736 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | Do-7 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N5289-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473 µA | 1,05 v | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N978B-1 | - - - | ![]() | 2930 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 38,8 V | 51 v | 125 Ohm | |||||||||||||||||||||
JantX1N5531C-1/Tr | 13.9384 | ![]() | 7202 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5531c-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 9.9 V. | 11 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||||||
JANS1N4617D-1 | 155.7300 | ![]() | 1706 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 1 V | 2,4 v | 1400 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n3070ur-1 | - - - | ![]() | 6309 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/169 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1n3070 | Standard | Do-7 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 175 v | 1 V @ 100 mA | 50 µs | 100 na @ 175 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 100 ma | - - - | ||||||||||||||||||
Jantxv1n979c-1 | 7.5750 | ![]() | 5204 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N979 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 43 V | 56 v | 150 Ohm | |||||||||||||||||||||
JantX1N6628U | 25.0500 | ![]() | 1978 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/590 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N6628 | Standard | D-5b | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,35 V @ 2 a | 30 ns | 2 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.75a | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | MSASC25W100K/TR | 195.6900 | ![]() | 5238 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | - - - | Schottky | 2-Thhinkey ™ | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSASC25W100K/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 910 mv @ 25 a | 500 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 25a | - - - | ||||||||||||||||||||
JantX1N6312d | 39.7950 | ![]() | 3372 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6312 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 27 Ohm | ||||||||||||||||||||||
MSC010SDA120K | 4.4600 | ![]() | 2029 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | MSC010 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220 [k] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,5 V @ 10 a | 0 ns | - - - | 10a | - - - | ||||||||||||||||||||
Jantxv1n4957 | 7.6500 | ![]() | 4893 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | E, axial | 1N4957 | 5 w | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 25 µa @ 6,9 V | 9.1 v | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6001bur-1 | 3.5850 | ![]() | 3061 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6001bur-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 NA @ 8.4 V. | 11 v | 18 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANSD2N3501UB/Tr | 94.4906 | ![]() | 1920 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UB | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-JansD2N3501UB/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 150 v | 300 ma | 10 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | SMBG5378A/TR13 | 2.2200 | ![]() | 6342 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMBG5378 | 5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 72 V | 100 v | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N4469/Tr | 6.1579 | ![]() | 2207 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4469/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 50 na @ 12 v | 15 v | 9 Ohm | |||||||||||||||||||||
Jan1N4975dus | 29.4600 | ![]() | 6903 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N4975 | 5 w | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 38,8 V. | 51 v | 27 Ohm | |||||||||||||||||||||
CDll983a | 2.9400 | ![]() | 4910 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL983 | 500 MW | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 62 V. | 82 v | 330 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N4486 | 9.5850 | ![]() | 3518 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1N4486 | 1,5 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N4486ms | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 250 NA @ 60.4 V. | 75 V | 130 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N2469 | 74.5200 | ![]() | 3530 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | DO-5 (DO-203AB) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n2469 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,25 V @ 200 a | 25 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 70a | - - - |
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