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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Diodentyp | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkt (Hfe) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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Jan1N6330 | 9.9000 | ![]() | 8470 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6330 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 14 v | 18 v | 14 Ohm | |||||||||||||||||
JantX1N6320D | 39.7950 | ![]() | 2533 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6320 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 2 µa @ 4 V. | 6,8 v | 3 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5946CE3/TR13 | 1.3350 | ![]() | 1804 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5946 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 56 V | 75 V | 140 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | SMBJ4733E3/TR13 | 0,4350 | ![]() | 7111 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ4733 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 1 V | 5.1 v | 7 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | SMBJ4764/TR13 | 0,8700 | ![]() | 3769 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ4764 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 76 V | 100 v | 350 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | JANS1N7050-1/Tr | 153.2700 | ![]() | 3879 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N7050-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N964B/tr | 2.1679 | ![]() | 2544 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n964b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 9,9 V | 13 v | 13 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | CDLL5251/Tr | 2.7132 | ![]() | 8230 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 10 MW | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5251/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 17 v | 22 v | 29 Ohm | |||||||||||||||||
JANS1N4477US | 91.8900 | ![]() | 6346 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | A, SQ-Melf | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 50 na @ 26.4 v | 33 v | 25 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | 469-5 | - - - | ![]() | 4676 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/469 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 4 Quadratmeter | Silziumcarbide Schottky | Md | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-469-5 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Einphase | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N987BUR-1/Tr | 5.5400 | ![]() | 8949 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 400 MW | Do-213aa | - - - | Ear99 | 8541.10.0050 | 176 | 1,3 V @ 200 Ma | 500 NA @ 91 V | 120 v | 900 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N1200c | 34.7100 | ![]() | 4638 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N1200 | Standard | DO-4 (DO-203AA) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 30 a | 10 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 200 ° C. | 25a | - - - | ||||||||||||||||
![]() | JANS1N4494 | 137.4000 | ![]() | 2671 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,5 w | Do-41 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 250 NA @ 128 V. | 160 v | 1000 Ohm | ||||||||||||||||||
1N6327 | 8.4150 | ![]() | 8065 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6327 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 NA @ 9.9 V. | 13 v | 8 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | Jan1N3308B | - - - | ![]() | 2473 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/358 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 25 µA @ 6,1 V | 9.1 v | 0,5 Ohm | ||||||||||||||||||
1N5258 | 2.1000 | ![]() | 3861 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5258 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 26 V | 36 v | 70 Ohm | |||||||||||||||||||
JANS1N4134C-1 | 67.5450 | ![]() | 8356 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 69.2 V. | 91 V | 1200 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | 2N4391UB/Tr | 28.2359 | ![]() | 6767 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N4391UB/Tr | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR3060 | 51.2250 | ![]() | 1415 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | SBR306 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | SBR3060 | Schottky | DO-4 (DO-203AA) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 680 mv @ 30 a | 1,5 mA @ 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - - - | ||||||||||||||||
JantXV1N5519C-1 | 23.3700 | ![]() | 8267 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5519 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µa @ 1 V | 3.6 V | 24 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | JantX1N3306RB | - - - | ![]() | 6156 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/358 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 125 µa @ 5 V | 7,5 v | 0,3 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n991bur-1 | - - - | ![]() | 4753 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,3 V @ 200 Ma | 500 NA @ 137 V | 180 v | 2200 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | JantX1N991DUR-1 | - - - | ![]() | 3178 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,3 V @ 200 Ma | 500 NA @ 137 V | 180 v | 2200 Ohm | ||||||||||||||||||
Jan1N4483CUS | 27.6750 | ![]() | 1751 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1N4483 | 1,5 w | D-5a | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 NA @ 44.8 V. | 56 v | 70 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | 1N1188R | 74.5200 | ![]() | 6177 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1188 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N1188RMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,4 V @ 110 a | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 35a | - - - | |||||||||||||||
![]() | JantXV1N3034B-1/Tr | 10.6799 | ![]() | 8051 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N3034B-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 29.7 V. | 39 v | 60 Ohm | |||||||||||||||||
Jan2N2481 | - - - | ![]() | 4872 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | To-18 (to-206aa) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 10 ma | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||
JantXV1N6316D | 45.0600 | ![]() | 9168 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6316 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 5 µa @ 1,5 V | 4,7 v | 17 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n3050dur-1/Tr | - - - | ![]() | 8364 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1,25 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | 150-Jantxv1n3050dur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 136,8 V. | 180 v | 1200 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | JantX1N4117ur-1/Tr | 8.5652 | ![]() | 6561 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4117ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 19 V | 25 v | 150 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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