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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Spannung - Anode - Kathode (VAK) (max) | Reglerstrom (max) | Spannung - Begrenzung (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JANKCBM2N2907A | - - - |  | 7561 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 500 MW | To-18 (to-206aa) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankcbm2n2907a | 100 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n5537b-1/tr | 8.2327 | | 6460 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n5537b-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 15.3 V. | 17 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||||
 | JantX1N3050BUR-1/Tr | - - - | | 2097 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1,5 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | 150-Jantx1n3050bur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 136,8 V. | 180 v | 1200 Ohm | |||||||||||||||||||||||
 | 1N4781a | 33.0450 | | 9595 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4781 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 8,5 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||
 | 1N5345BE3/TR12 | 2.6850 | | 9729 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5345 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 10 µA @ 6,25 V. | 8,7 v | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||
 | Jan1N3339RB | - - - | | 3883 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/358 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µA @ 69.2 V. | 91 V | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||
| 1N5365E3/TR12 | 2.6250 | | 1724 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5365 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 25.9 V. | 36 v | 11 Ohm | ||||||||||||||||||||
| 1N3912R | 48.5400 | | 2681 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3912 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,4 V @ 50 a | 200 ns | 15 µa @ 300 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 50a | - - - | |||||||||||||||||||
| Jan1n3828a-1 | 6.8400 | | 4715 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 3 µa @ 3 V | 6.2 v | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||
 | JANS1N6352DUS/Tr | - - - | | 3475 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | 150-Jans1N6352DUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 114 v | 150 v | 1000 Ohm | |||||||||||||||||||||||
 | 1 PMT5932A/TR7 | - - - | | 7226 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5932 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 15,2 V. | 20 v | 14 Ohm | ||||||||||||||||||||
 | 1N750A-1/Tr | 2.0748 | | 2030 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n750a-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1,5 V | 4,7 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||
 | JANSF2N2907AUB/Tr | 146.9710 | | 2254 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 2n2907 | 500 MW | 3-smd | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansf2N2907Aub/tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||
| Jantxv1n967b-1/tr | 3.2186 | | 4560 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N967B-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,3 V @ 200 Ma | 500 na @ 14 v | 18 v | 21 Ohm | |||||||||||||||||||||
 | JANS1N4481US/Tr | 151.3604 | | 5375 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | A, SQ-Melf | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N4481US/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 50 NA @ 37,6 V. | 47 v | 50 Ohm | |||||||||||||||||||||
| JANS1N6489DUS/Tr | - - - | | 2332 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | Herunterladen | 150-Jans1n6489dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 4 µa @ 1 V | 4,7 v | 8 Ohm | |||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n4496cus/tr | 45.2850 | | 2792 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | 150-Jantxv1n4496cus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 250 NA @ 160 V | 200 v | 1500 Ohm | |||||||||||||||||||||||
 | Jan1N5293ur-1 | 36.6900 | | 6944 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N5293 | 500 MW | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 748 ähm | 1,15 V | |||||||||||||||||||||
| 1N5932p/TR8 | 1.8600 | | 7350 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5932 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 15,2 V. | 20 v | 14 Ohm | ||||||||||||||||||||
 | JantX1N3018D-1/Tr | 28.4620 | | 8540 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n3018d-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 50 µa @ 6,2 V | 8.2 v | 4,5 Ohm | |||||||||||||||||||||
| Jantxv2N3501U4/Tr | - - - | | 1806 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U4 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv2N3501U4/Tr | 50 | 150 v | 300 ma | 50na (ICBO) | Npn | 400mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||
| Jan1N4957us/tr | 8.9700 | | 3065 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | 150-Jan1n4957us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 25 µa @ 6,9 V | 9.1 v | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||
 | CDLL4122/Tr | 3.3516 | | 2665 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4122/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 27,4 V. | 36 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||||||
| JantXV1N3035B-1/Tr | 10.6799 | | 9316 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n3035b-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 32,7 V. | 43 v | 70 Ohm | |||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n6487dus/tr | - - - | | 1395 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | Herunterladen | 150-Jantxv1n6487dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 35 µa @ 1 V | 3,9 v | 9 Ohm | |||||||||||||||||||||||
| MSASC25H100KV/Tr | - - - | | 9200 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-msasc25H100KV/tr | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N6625E3 | - - - | | 1293 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1100 v | 1,95 V @ 1,5 a | 80 ns | 1 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||||||||
| 1N753C/Tr | 4.5000 | | 2974 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n753c/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 211 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 v | 6.2 v | 7 Ohm | ||||||||||||||||||||||
| CDLL4728AE3/Tr | 2.8462 | | 8787 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4728ae3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 3.3 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||
| 1n5247ce3/tr | 8.0100 | | 7790 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5247ce3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 118 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 13 v | 17 v | 19 Ohm |
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