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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Spannung - Anode - Kathode (VAK) (max) | Reglerstrom (max) | Spannung - Begrenzung (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JantXV1N5526C-1/Tr | 20.8544 | ![]() | 5152 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N5526C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6,2 V. | 6,8 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||
1N5252/tr | 4.4100 | ![]() | 5446 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5252/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 214 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 NA @ 17.1 V. | 24 v | 33 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5526dur-1/Tr | 55.0221 | ![]() | 4575 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n5526dur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6,2 V. | 6,8 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | JantX1N5308-1/Tr | 34.1550 | ![]() | 2052 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5308 | 500 MW | Do-7 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5308-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2,97 Ma | 2.15 V | ||||||||||||||||
![]() | 1N5365C/TR12 | 3.3900 | ![]() | 7741 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5365 | 5 w | T-18 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 25.9 V. | 36 v | 11 Ohm | |||||||||||||||
JantX1N6490/Tr | - - - | ![]() | 7569 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N6490/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 1 µa @ 1 V | 5.1 v | 7 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n3051dur-1/Tr | - - - | ![]() | 8992 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1,25 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | 150-Jantxv1n3051dur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 152 V. | 200 v | 1500 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | Jankca1n5304 | - - - | ![]() | 7860 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | Do-7 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1N5304 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1,98 Ma | 1,75 v | |||||||||||||||||
JANS1N6354CUS/Tr | - - - | ![]() | 7603 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | 150-Jans1N6354CUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 137 v | 180 v | 1500 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | CDS5298ur-1 | - - - | ![]() | 1884 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | CDS52 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS5298ur-1 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n4993dus/tr | 69.8400 | ![]() | 7953 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | E-Melf | - - - | 150-Jantx1n4993dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 228 V | 300 V | 950 Ohm | ||||||||||||||||||
Jan1N5535B-1/Tr | 5.0407 | ![]() | 5267 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N5535B-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 13,5 V. | 15 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | JantX1N6637CUS/Tr | - - - | ![]() | 2536 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | E-Melf | Herunterladen | 150-JantX1N6637CUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 5 µa @ 1 V | 5.1 v | 1,5 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | JANS1N942BUR-1/Tr | - - - | ![]() | 9425 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/157 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | 150-Jans1N942BUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 8 V | 11.7 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | 1n5293/tr | 18.7950 | ![]() | 8594 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C. | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5293 | 475 MW | Do-7 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5293/tr | 100 | 100V | 748 ähm | 1,15 V | |||||||||||||||||||
![]() | Jan1N5300ur-1/Tr | 36.8400 | ![]() | 1515 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N5300 | 500 MW | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N5300ur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1,43 Ma | 1,5 v | ||||||||||||||||
![]() | JantX1N5291ur-1/Tr | 38.4300 | ![]() | 4198 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N5291 | 500 MW | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5291ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616 µA | 1.1V | ||||||||||||||||
![]() | 689-1 | 280.3200 | ![]() | 2158 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Nd | 689-1 | Standard | Nd | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-689-1 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Unabhängig | 100 v | 15a | 1,2 V @ 10 a | 500 ns | 10 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||
![]() | JantX1N5819-1/Tr | 8.1900 | ![]() | 2296 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/586 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Schottky | DO-204AL (DO-41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5819-1/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 600 mv @ 1 a | 100 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 70pf @ 5v, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | 1N6911utk2/tr | 259.3500 | ![]() | 1446 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Thinkey ™ 2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Thinkey ™ 2 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6911utk2/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 30 v | 540 mv @ 25 a | 1,2 mA @ 30 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 25a | 1250pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||||||||
![]() | CD5300 | 19.2450 | ![]() | 5230 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | - - - | Oberflächenhalterung | CD530 | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5300 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 1,43 Ma | 1,5 v | ||||||||||||||||||
![]() | UZ5870 | 32.2650 | ![]() | 3449 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | B, axial | 5 w | B, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-uz5870 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µa @ 50,5 V | 70 V | 50 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | 1N6030b/tr | 2.6334 | ![]() | 2098 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6030b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 137 v | 180 v | 1700 Ohm | ||||||||||||||||
Jan1N964C-1/Tr | 4.4555 | ![]() | 7772 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N964C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 9.9 V. | 13 v | 13 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | S2190 | 33.4500 | ![]() | 3744 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-S2190 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N5284-1/Tr | 100.0200 | ![]() | 9916 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | Do-7 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N5284-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 264 µa | 1V | |||||||||||||||||
![]() | UFT3130C | 64.3200 | ![]() | 3046 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-204aa, to-3 | UFT3130 | Standard | To-204ad (to-3) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,1 V @ 15 a | 50 ns | 15 µa @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 30a | 115PF @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | CDS752aur-1 | - - - | ![]() | 2263 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS752aur-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT4131/TR13 | - - - | ![]() | 7196 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.pmt4131 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 57 V | 75 V | 250 Ohm | |||||||||||||||
JantX1N3024C-1 | 22.6500 | ![]() | 9902 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N3024 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 11,4 V | 15 v | 14 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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