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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Testedingung | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantxv1N4121C-1/Tr | 20.6815 |  | 7252 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N4121C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 25.1 V. | 33 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
 | 1N961B | 3.4400 | | 160 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N961 | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1N961BMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 µa @ 7,6 V | 10 v | 8,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||
 | 1N5927E3/TR13 | - - - | | 4568 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5927 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 9,1 V | 12 v | 6,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
 | 1N727 | 1.9200 | | 4367 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | - - - | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N727 | 250 MW | Do-35 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 36 v | 60 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
| Jan1N5195ur-1/Tr | 54.1500 | | 2344 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 150-Jan1N5195ur-1/Tr | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4747P/TR12 | 1.8600 | | 9459 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4747 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 15,2 V | 20 v | 22 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
| Jan1n5525c-1 | 14.1300 | | 7484 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5525 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 5 V | 6.2 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
 | 1N4774/tr | 130.0500 | | 3023 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4774/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 9.1 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
| APTGT300SK170G | 269.2320 | | 5107 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | Aptgt300 | 1660 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 400 a | 2,4 V @ 15V, 300A | 750 µA | NEIN | 26,5 NF @ 25 V. | ||||||||||||||||||||
| 1n5535b/tr | 2.7398 | | 9824 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5535b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 13,5 V. | 15 v | 102 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
| Jan1N4978us/tr | 9.3600 | | 1884 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | 150-Jan1N4978us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 51,7 V | 68 v | 50 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
 | 1N6623U | 13.5600 | | 8888 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | Standard | A, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1N6623U | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,8 V @ 1,5 a | 50 ns | 500 NA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1,5a | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| Jan1N4124-1 | 4.1100 | | 5399 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4124 | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 32.7 V. | 43 v | 250 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1N991CUR-1/Tr | - - - | | 8495 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 400 MW | Do-213aa | - - - | 150-Jantxv1N991CUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,3 V @ 200 Ma | 500 NA @ 137 V | 180 v | 2200 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
 | CD5336B | 5.0274 | | 7959 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 5 w | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5336B | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 10 µa @ 1 V | 4.3 v | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
| Janhca1n751d | - - - | | 1121 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1n751d | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 1 V | 5.1 v | 17 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
 | JantX1N3035DUR-1/Tr | 41.5359 | | 8747 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n3035dur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 32,7 V. | 43 v | 70 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
 | 1N3521a | 2.4900 | | 1344 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N3521 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 13 v | 12 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
| HSM590G/TR13 | 2.0100 | | 7256 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | DO-215AB, SMC-Möwenflügel | HSM590 | Schottky | Do-215ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 800 mV @ 5 a | 250 µa @ 90 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - - - | |||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n3327b | - - - | | 8461 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/358 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µA @ 29.7 V. | 39 v | 4 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
| JantX1N972DUR-1/Tr | 17.3964 | | 3887 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n972dur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 na @ 23 v | 30 v | 49 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
| BZV55C3V3/Tr | 3.1200 | | 7094 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,06% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-BZV55C3V3/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 304 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 95 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
 | APT45GR65B | 4.7600 | | 8 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | - - - | K. Loch | To-247-3 | APT45GR65 | Standard | 357 w | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 433V, 45A, 4,3OHM, 15 V. | Npt | 650 V | 92 a | 168 a | 2,4 V @ 15V, 45a | 900 µJ (EIN), 580 µJ (AUS) | 203 NC | 15ns/100 ns | |||||||||||||||||||
| 1N7051ur-1/tr | 9.4500 | | 2706 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Ear99 | 8541.10.0050 | 102 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL4148/Tr | 3.1654 | | 2319 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Standard | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4148/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1 V @ 200 Ma | 20 ns | 500 NA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
 | JANS1N5551US/Tr | 106.5450 | | 5649 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/420 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | Standard | B, SQ-Melf | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1n5551us/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,2 V @ 9 a | 2 µs | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||||||||||||||
 | 1N936AE3/Tr | 11.9700 | | 8292 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | Do-7 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n936ae3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 10 µa @ 6 V | 9 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
| Jan1N935B-1/Tr | - - - | | 8243 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/156 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N935B-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 6 V | 9 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
 | UES1101/Tr | 18.4950 | | 5556 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-ees1101/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 975 mv @ 2 a | 25 ns | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| Janhca1N4621 | 12.1695 | | 6236 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1N4621 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 7,5 µa @ 2 V | 3.6 V | 1700 Ohm |
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