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Diskette HalblerProdukte (41164)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Ausfluss @ if, f Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
JAN1N5542B-1/TR Microchip Technology Jan1N5542B-1/Tr 5.0407
RFQ
 ECAD 8145 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/437 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jan1N5542B-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 na @ 21.6 v 24 v 100 Ohm
JANTX1N4984US/TR Microchip Technology Jantx1n4984us/tr 13.7250
RFQ
 ECAD 8394 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/356 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, b 5 w E-Melf - - - 150-Jantx1n4984us/tr Ear99 8541.10.0050 100 1,5 V @ 1 a 2 µA @ 91,2 V. 120 v 170 Ohm
JANTX1N4100C-1/TR Microchip Technology JantX1N4100C-1/Tr 13.7788
RFQ
 ECAD 4316 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantx1N4100C-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 1 µa @ 5,7 V 7,5 v 200 Ohm
JANTXV1N3047DUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n3047dur-1/Tr - - -
RFQ
 ECAD 4893 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/115 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) 1,25 w Do-213AB (Melf, LL41) - - - 150-Jantxv1n3047dur-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 500 NA @ 98,8 V. 130 v 700 Ohm
CDLL4761A/TR Microchip Technology CDLL4761A/Tr 3.2319
RFQ
 ECAD 7974 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf Do-213ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-cdll4761a/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 100 na @ 56 v 75 V 175 Ohm
DSB0.2A20/TR Microchip Technology DSB0.2A20/Tr - - -
RFQ
 ECAD 1266 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch Do-204AH, Do-35, axial Schottky DO-35 (Do-204AH) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-dsb0.2a20/tr Ear99 8541.10.0070 228 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 20 v 500 MV @ 200 Ma 5 µa @ 20 V -65 ° C ~ 125 ° C. 200 ma 50pf @ 0v, 1 MHz
JANTX1N4135UR-1/TR Microchip Technology JantX1N4135ur-1/Tr 8.5652
RFQ
 ECAD 9978 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) 500 MW Do-213aa - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantx1n4135ur-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 na @ 76 v 100 v 1600 Ohm
CDLL5529D/TR Microchip Technology CDLL5529D/Tr 16.3950
RFQ
 ECAD 6958 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213aa 500 MW Do-213aa - - - UnberÜHrt Ereichen 150-cdll5529d/tr Ear99 8541.10.0050 100 1,1 V @ 200 Ma 100 NA @ 8.2 V. 9.1 v 45 Ohm
APT20M22LVFRG Microchip Technology APT20M22LVFRG 22.6100
RFQ
 ECAD 6451 0.00000000 Mikrochip -technologie Power Mos V® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa APT20M22 MOSFET (Metalloxid) To-264 [l] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 v 100a (TC) 10V 22mohm @ 500 mA, 10V 4v @ 2,5 mA 435 NC @ 10 V ± 30 v 10200 PF @ 25 V. - - - 520W (TC)
JANTXV1N966C-1 Microchip Technology JantXV1N966C-1 8.9100
RFQ
 ECAD 2798 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/117 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N966 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 500 NA @ 12 V. 16 v 17 Ohm
GC4712-42 Microchip Technology GC4712-42 - - -
RFQ
 ECAD 1665 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Tasche Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C. Zucht - - - - - - UnberÜHrt Ereichen 150-GC4712-42 Ear99 8541.10.0060 1 4 w 0,3PF @ 6v, 1 MHz Pin - Single 45 V 1,2OHM @ 10 mA, 100 MHz
1N4737UR/TR Microchip Technology 1N4737ur/tr 3.6150
RFQ
 ECAD 3434 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) 1 w Do-213AB (Melf, LL41) - - - 150-1n4737ur/tr Ear99 8541.10.0050 272 1,2 V @ 200 Ma 10 µa @ 5 V 7,5 v 4 Ohm
JANTX1N6326C Microchip Technology JantX1N6326C 34.6650
RFQ
 ECAD 4493 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/533 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N6326 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 1 µa @ 9 V 12 v 7 Ohm
2N3629 Microchip Technology 2N3629 509.6550
RFQ
 ECAD 6682 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - Bolzenhalterung To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud 30 w To-61 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N3629 Ear99 8541.29.0095 1 40 v 5 a - - - PNP - - - - - - - - -
JANS1N4617C-1/TR Microchip Technology JANS1N4617C-1/Tr 116.4206
RFQ
 ECAD 1797 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jans1N4617C-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 1 µa @ 1 V 2,4 v 1,4 Ohm
APT106N60LC6 Microchip Technology APT106N60LC6 20.9500
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 Mikrochip -technologie Coolmos ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa APT106 MOSFET (Metalloxid) To-264 (l) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-apt106N60LC6 Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 106a (TC) 10V 35mohm @ 53a, 10V 3,5 V @ 3,4 mA 308 NC @ 10 V ± 20 V 8390 PF @ 25 V. - - - 833W (TC)
APT43GA90B Microchip Technology APT43GA90B 6.3100
RFQ
 ECAD 1631 0.00000000 Mikrochip -technologie Power Mos 8 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT43GA90 Standard 337 w To-247 [b] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 600 V, 25a, 4,7ohm, 15 V. Pt 900 V 78 a 129 a 3,1 V @ 15V, 25a 875 µJ (EIN), 425 µJ (AUS) 116 NC 12ns/82ns
JANHCA1N5531C Microchip Technology Janhca1n5531c - - -
RFQ
 ECAD 1908 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/437 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Janhca1N5531c Ear99 8541.10.0050 100 1,1 V @ 200 Ma 50 NA @ 9.9 V. 11 v 80 Ohm
CDS3026B-1 Microchip Technology CDS3026B-1 - - -
RFQ
 ECAD 1571 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-CDS3026B-1 Ear99 8541.10.0050 50
SMBJ5344A/TR13 Microchip Technology SMBJ5344A/TR13 1.6350
RFQ
 ECAD 7636 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB SMBJ5344 5 w Smbj (do-214aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 1 a 10 µa @ 5,9 V 8.2 v 1,5 Ohm
CDLL3043A Microchip Technology CDll3043a 15.3000
RFQ
 ECAD 2707 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf CDLL3043 1 w Do-213ab - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 500 NA @ 69.2 V. 91 V 250 Ohm
SMBJ5349AE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5349AE3/TR13 0,8100
RFQ
 ECAD 6541 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB SMBJ5349 5 w Smbj (do-214aa) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 1 a 2 µa @ 8,6 V 12 v 2,5 Ohm
1N5367E3/TR12 Microchip Technology 1N5367E3/TR12 2.6250
RFQ
 ECAD 3142 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C. K. Loch T-18, axial 1N5367 5 w T-18 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 1 a 500 na @ 31 v 43 v 20 Ohm
JAN1N965DUR-1 Microchip Technology Jan1N965dur-1 11.2500
RFQ
 ECAD 2447 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/117 Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) 1N965 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 500 na @ 11 v 15 v 16 Ohm
JANTX1N3019DUR-1 Microchip Technology JantX1N3019DUR-1 46.6950
RFQ
 ECAD 4393 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/115 Schüttgut Aktiv ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) 1N3019 1 w Do-213AB (Melf, LL41) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 25 µa @ 6,9 V 9.1 v 6 Ohm
JANTXV1N974DUR-1 Microchip Technology Jantxv1n974dur-1 24.2250
RFQ
 ECAD 8419 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/117 Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) 1N974 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 500 NA @ 27 V. 36 v 70 Ohm
JANTXV1N6309D Microchip Technology Jantxv1n6309d 45.0600
RFQ
 ECAD 3595 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/533 Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N6309 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 100 µa @ 1 V 2,4 v 30 Ohm
SMBJ5943BE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5943BE3/TR13 0,8850
RFQ
 ECAD 1235 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB SMBJ5943 2 w Smbj (do-214aa) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 1 µA @ 42,6 V. 56 v 86 Ohm
SMBG5379B/TR13 Microchip Technology SMBG5379B/TR13 2.2500
RFQ
 ECAD 9485 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung DO-215AA, SMB Möwenflügel SMBG5379 5 w SMBG (Do-215AA) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 1 a 500 NA @ 79.2 V. 110 v 125 Ohm
JANTXV1N4132D-1 Microchip Technology JantXV1N4132D-1 28.9500
RFQ
 ECAD 7885 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N4132 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 NA @ 62.4 V. 82 v 800 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    Lagerhaus

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