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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Spannung - Anode - Kathode (VAK) (max) | Reglerstrom (max) | Spannung - Begrenzung (max) |
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![]() | UFR10260 | 72.8700 | ![]() | 1904 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | DO-203AB (DO-5) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-UFR10260 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1 V @ 100 a | 120 ns | 25 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 100a | 210pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N3294R | - - - | ![]() | 2337 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/246 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | Standard | DO-205AA (DO-8) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,55 V @ 310 a | 10 mA @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4048R | 158.8200 | ![]() | 4458 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-205AB (DO-9) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4048r | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 250 V | 1,3 V @ 300 a | 75 µa @ 250 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GC4430-00 | - - - | ![]() | 7520 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Sterben | Chip | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-GC4430-00 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 50 ma | 0,1PF @ 50V, 1 MHz | Pin - Single | 300 V | 1,5OHM @ 100 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS4102-013s | - - - | ![]() | 1079 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Sterben | Chip | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-mps4102-013s | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 ma | 3 w | 0,02PF @ 50V, 1 GHz | Pin - Single | 80V | 2,5 Ohm bei 100 Ma, 1 GHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GC4272-00 | - - - | ![]() | 7981 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Sterben | Chip | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-GC4272-00 | 1 | 10 ma | 0,2PF @ 10V, 1 MHz | Pin - Single | 70V | 800MOHM @ 20 mA, 1 GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3337RB | 49.3800 | ![]() | 4209 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3337 | 50 w | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µa @ 56 V | 75 V | 9 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
GMP4201-GM1/Tr | 3.8100 | ![]() | 1428 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Gigamite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | 0805 (Metrik 2012) | GMP4201 | 0805 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | 0,18PF @ 10V, 1 MHz | Pin - Single | 75 V | 1,2OHM @ 100 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UM7001a | - - - | ![]() | 5223 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | Axial | Axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-um7001atr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 10 w | 0,9PF @ 100V, 1 MHz | Pin - Single | 100V | 1ohm @ 100 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
MPP4204-206 | 5.6850 | ![]() | 3236 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | 0402 (1005 Metrik) | MPP4204 | 0402 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 100 | 0,15PF @ 10V, 1 MHz | Pin - Single | 25 v | 2OHM @ 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LXP1002-23-0/Tr | 4.2900 | ![]() | 1250 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | LXP1002 | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0060 | 1.000 | 100 ma | 250 MW | 0,32PF @ 50V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | 4OHM @ 100 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
GMP4201-GM1 | 3.5700 | ![]() | 282 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Gigamite® | Tasche | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | 0805 (Metrik 2012) | GMP4201 | 0805 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 0,18PF @ 10V, 1 MHz | Pin - Single | 75 V | 1,2OHM @ 100 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
1n5539d | 14.2050 | ![]() | 3451 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5539d | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 17.1 V. | 19 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Janhca1n4114d | - - - | ![]() | 7840 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1N4114d | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 15,2 V. | 20 v | 150 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5296ur-1 | 21.8250 | ![]() | 7449 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N5296 | 500 MW | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.001 ma | 1,29 v | |||||||||||||||||||||||||||
1n5520/tr | 1.9950 | ![]() | 8554 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5520/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 477 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 900 mV | 3,9 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5349CE3/TR12 | 3.3900 | ![]() | 3067 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5349 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 2 µa @ 8,6 V | 12 v | 2,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n4461dus | 17.6250 | ![]() | 6798 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4461dus | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 5 µA @ 4,08 V. | 6,8 v | 2,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Janhca1n5298 | - - - | ![]() | 1274 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1N5298 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1,21 Ma | 1,4 v | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantXV1N6343CUS/Tr | 57.2550 | ![]() | 4012 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | 150-Jantxv1n6343cus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 47 V | 62 v | 125 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N444491CUS/Tr | 38.8800 | ![]() | 4789 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | 150-Jantx1n4491cus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 250 NA @ 96 V | 120 v | 400 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSL2N3810 | 198.9608 | ![]() | 3899 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500 /336 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2N3810 | 350 MW | To-78-6 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansl2N3810 | 1 | 60 v | 50 ma | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 250 mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1ma, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n5993ur-1/tr | 3.7400 | ![]() | 9122 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | Ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1,1 V @ 200 Ma | 5.1 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4760CE3/TR13 | 1.1700 | ![]() | 3921 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4760 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 51,7 V | 68 v | 150 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5368C/TR12 | 3.3900 | ![]() | 6250 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5368 | 5 w | T-18 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 33.8 V. | 47 v | 25 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N968BE3 | 2.0083 | ![]() | 7631 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n968be3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 15,2 V | 20 v | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantXV1N5312-1 | 36.4050 | ![]() | 4629 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5312 | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29 Ma | 2,6 v | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL4928 | 100.5600 | ![]() | 1457 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | CDLL4928 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 12 V | 19,2 v | 75 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
Jan1N4979CUS | 23.5500 | ![]() | 7195 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N4979 | 5 w | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 56 V | 75 V | 55 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3046BUR-1/Tr | 16.2600 | ![]() | 8846 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1,5 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 91.2 V. | 120 v | 550 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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