SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Anwendungen Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Staat Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) SCR -Typ Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Spannung - Anode - Kathode (VAK) (max) Reglerstrom (max) Spannung - Begrenzung (max)
1N6642UBD Microchip Technology 1N6642UBD 17.5200
RFQ
ECAD 6036 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung Standard UB - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1,2 V @ 100 mA 5 ns - - - - - - 5PF @ 0V, 1MHz
CDLL5237/TR Microchip Technology CDLL5237/Tr 2.7132
RFQ
ECAD 1253 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 20% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf 10 MW Do-213ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-cdll5237/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 3 µA @ 6,5 V. 8.2 v 8 Ohm
SMBG5363AE3/TR13 Microchip Technology SMBG5363AE3/TR13 1.1250
RFQ
ECAD 3940 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung DO-215AA, SMB Möwenflügel SMBG5363 5 w SMBG (Do-215AA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 1 a 500 NA @ 21,6 V. 30 v 8 Ohm
JANTXV2N2906AL Microchip Technology Jantxv2N2906Al 12.9276
RFQ
ECAD 7837 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 2N2906 500 MW To-18 (to-206aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANTX1N979BUR-1/TR Microchip Technology JantX1N979BUR-1/Tr 5.5328
RFQ
ECAD 2022 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/117 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N979 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantx1n979bur-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 500 NA @ 43 V 56 v 150 Ohm
1N5802/TR Microchip Technology 1n5802/tr 7.2000
RFQ
ECAD 8568 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch A, axial Standard A, axial Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-1n5802/tr Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 875 mv @ 1 a 25 ns 1 µa @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 25PF @ 10V, 1 MHz
JANTXV1N6320US Microchip Technology Jantxv1n6320us 180.0000
RFQ
ECAD 1376 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/533 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung SQ-Melf, b 500 MW B, SQ-Melf - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 2 µa @ 5 V 6,8 v 3 Ohm
MSR2N2369A Microchip Technology MSR2N2369A - - -
RFQ
ECAD 7303 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-MSR2N2369A 100
JAN2N4235 Microchip Technology Jan2N4235 39.7936
RFQ
ECAD 2076 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/580 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N4235 1 w To-39 Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 1 a 1ma PNP 600mv @ 100 mA, 1a 40 @ 100 mA, 1V - - -
JANTX2N2329 Microchip Technology JantX2N2329 - - -
RFQ
ECAD 4692 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/276 Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 125 ° C. K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 1 2 Ma 400 V 800 mV - - - 200 µA 220 Ma Sensibler tor
JAN2N5665 Microchip Technology Jan2N5665 26.9857
RFQ
ECAD 2966 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/455 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-213aa, to-66-2 2n5665 2,5 w To-66 (to-213aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 300 V 5 a 200na Npn 1v @ 1a, 5a 25 @ 1a, 5V - - -
JANTX1N4616DUR-1 Microchip Technology JantX1N4616DUR-1 23.1600
RFQ
ECAD 7237 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) 1N4616 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 2 µa @ 1 V 2,2 v 1300 Ohm
JANTXV2N6050 Microchip Technology Jantxv2N6050 92.0360
RFQ
ECAD 4151 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv2N6050 1
2N4233 Microchip Technology 2N4233 35.1253
RFQ
ECAD 2288 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv 2N4233 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1
UPS140/TR7 Microchip Technology UPS140/TR7 - - -
RFQ
ECAD 5073 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-216aa UPS140 Schottky PowerMite Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 450 mV @ 1 a 400 µa @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a 70pf @ 5v, 1 MHz
JAN1N3346RB Microchip Technology Jan1N3346RB - - -
RFQ
ECAD 6827 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/358 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Bolzenhalterung DO-203AB, DO-5, Stud 50 w Do-5 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 10 a 10 µa @ 114 V 150 v 75 Ohm
JANTX2N3468 Microchip Technology JantX2N3468 - - -
RFQ
ECAD 2628 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/348 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N3468 1 w To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 50 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 1,2 V @ 100 Ma, 1a 25 @ 500 mA, 1V - - -
1N3736 Microchip Technology 1N3736 160.3500
RFQ
ECAD 8733 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv Bolzenhalterung Do-205AB, Do-9, Stud Standard DO-205AB (DO-9) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 150-1n3736 Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 200 v 1,3 V @ 300 a 75 µa @ 200 V. -65 ° C ~ 190 ° C. 275a - - -
1N5533/TR Microchip Technology 1n5533/tr 1.9950
RFQ
ECAD 8066 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 20% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-1n5533/tr Ear99 8541.10.0050 477 1,1 V @ 200 Ma 10 Na @ 10,5 V. 13 v
APT12080LVRG Microchip Technology APT12080LVRG 24.8500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Mikrochip -technologie Power Mos V® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa APT12080 MOSFET (Metalloxid) To-264 (l) - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-apt12080lvrg Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 1200 V 16a (TC) 10V 800mohm @ 8a, 10V 4v @ 2,5 mA 485 NC @ 10 V ± 30 v 7800 PF @ 25 V. - - - 520W (TC)
UFS505GE3/TR13 Microchip Technology UFS505GE3/TR13 2.3700
RFQ
ECAD 6483 0.00000000 Mikrochip -technologie * Band & Rollen (TR) Aktiv UFS505 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000
CDS5306UR-1 Microchip Technology CDS5306ur-1 - - -
RFQ
ECAD 9408 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv CDS53 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-CDS5306ur-1 50
JANS2N2907AL Microchip Technology JANS2N2907AL 67.8402
RFQ
ECAD 3033 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 2n2907 500 MW To-18 (to-206aa) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
1PMT5949E3/TR13 Microchip Technology 1 PMT5949E3/TR13 0,7350
RFQ
ECAD 8778 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 20% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-216aa 13.5949 3 w Do-216aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 12.000 1,2 V @ 200 Ma 1 µa @ 76 V 100 v 250 Ohm
JAN2N3810U Microchip Technology Jan2N3810U 32.3722
RFQ
ECAD 5000 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/336 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Bis 78-6 Metalldose 2N3810 350 MW To-78-6 - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 50 ma 10 µA (ICBO) 2 PNP (Dual) 250 mV @ 100 µA, 1 mA 150 @ 1ma, 5V - - -
1PMT5956E3/TR7 Microchip Technology 1 PMT5956E3/TR7 0,7350
RFQ
ECAD 4747 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 20% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-216aa 13.5956 3 w Do-216aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 1 µa @ 152 V 200 v 1200 Ohm
1N6931UTK1AS Microchip Technology 1N6931utk1as 259.3500
RFQ
ECAD 8628 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-1n6931utk1as 1
APTM20SKM08TG Microchip Technology APTM20SKM08TG 124.1813
RFQ
ECAD 5590 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 APTM20 MOSFET (Metalloxid) Sp4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 v 208a (TC) 10V 10mohm @ 104a, 10V 5v @ 5ma 280 nc @ 10 v ± 30 v 14400 PF @ 25 V. - - - 781W (TC)
JANS2N3634UB/TR Microchip Technology JANS2N3634UB/Tr - - -
RFQ
ECAD 5375 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 1 w UB - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 140 v 10 µA 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 50 @ 50 Ma, 10 V - - -
JANS1N5308UR-1 Microchip Technology JANS1N5308UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 9993 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/463 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - - - Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) 1N5308 500 MW Do-213AB (Melf, LL41) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 1 100V 2,97 Ma 2.15 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus