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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgang | Gewinnen | RAUSCHFIGUR | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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![]() | APT2X61DC120J | - - - | ![]() | 5888 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | APT2X61 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | SOT-227 | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 2 Unabhängig | 1200 V | 60a | 1,8 V @ 60 a | 0 ns | 1,2 mA @ 1200 V | ||||||||||||||||||||||||||
VRF150 | 68.4800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Kasten | Aktiv | 170 v | M174 | VRF150 | 150 MHz | Mosfet | M174 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | N-Kanal | 1ma | 250 Ma | 150W | 11db | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n5077 | 23.4000 | ![]() | 5806 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Axial | 3 w | Axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5077 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 µA @ 22,8 V. | 30 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5934BP/TR12 | 1.8900 | ![]() | 3501 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5934 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 18,2 V. | 24 v | 19 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
UPS560E3/TR13 | 0,6300 | ![]() | 59 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerMite®3 | UPS560 | Schottky | PowerMite 3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 690 mv @ 5 a | 200 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 5a | 150pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N6912UTK2 | - - - | ![]() | 3130 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/723 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Thinkey ™ 2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Thinkey ™ 2 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 45 V | 640 mv @ 25 a | 1,2 mA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 25a | 1000pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5935P/TR12 | 1.8600 | ![]() | 4185 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5935 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 20,6 V | 28 v | 23 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N6873UTK2AS/Tr | 364.6950 | ![]() | 6241 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N6873utk2as/tr | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N3005RB | - - - | ![]() | 4243 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/124 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 10 w | Do-213aa (do-4) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µa @ 76 V | 100 v | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5342BE3/TR13 | 0,9900 | ![]() | 9149 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5342 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,250 | 1,2 V @ 1 a | 10 µa @ 4,9 V | 6,8 v | 1 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 90024-06TXV | - - - | ![]() | 6040 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-204aa, to-3 | To-3 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ5916BE3/TR13 | 0,5850 | ![]() | 5200 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SMAJ5916 | 3 w | Do-214AC (SMAJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 4.3 v | 6 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | S3615 | 61.1550 | ![]() | 3969 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-S3615 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3015RB | 40.3200 | ![]() | 7794 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | 1n3015 | 10 w | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µa @ 152 V | 200 v | 300 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
UTR50 | 9.2550 | ![]() | 7898 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-UTR50 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,1 V @ 200 Ma | 400 ns | 3 µa @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500 mA | 50pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2N6690 | - - - | ![]() | 4075 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/537 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TA) | Bolzenhalterung | To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud | 3 w | To-61 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V | 100 µA | 100 µA | Npn | 5v @ 5a, 15a | 15 @ 1a, 3v | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
1N5222b | 1.6492 | ![]() | 7521 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5222b | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 2,5 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R2080 | 33.4500 | ![]() | 3472 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | R20 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | R2080 | Standard | DO-4 (DO-203AA) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 30 a | 10 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 16a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
JANS1N5619US/Tr | 78.0150 | ![]() | 6097 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/429 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | Standard | A, SQ-Melf | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1n5619us/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,6 V @ 3 a | 250 ns | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4578 | 8.9400 | ![]() | 2279 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4578 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 50 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantXV1N6341DUS | 68.5500 | ![]() | 9204 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n6341dus | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 39 V | 51 v | 85 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6762R | 205.5600 | ![]() | 6460 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-254-3, to-254aa | 1N6762 | Standard | To-254aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 50 v | 12a | 1,05 V @ 12 a | 35 ns | 10 µa @ 50 V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4491 | 137.4000 | ![]() | 9830 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,5 w | Do-41 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 250 NA @ 96 V | 120 v | 400 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
Jan1N4958us | 8.8200 | ![]() | 8709 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N4958 | 5 w | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 25 µa @ 7,6 V | 10 v | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N6873UTK2CS | 608.4000 | ![]() | 7287 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/469 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Thinkey ™ 2 | Standard | Thinkey ™ 2 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N6873UTK2CS | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 V @ 400 mA | -65 ° C ~ 175 ° C. | 400 ma | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDS5528BUR-1 | - - - | ![]() | 2821 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS5528bur-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5608 | 43.0350 | ![]() | 3302 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | 25 w | To-66 (to-213aa) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N5608 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | - - - | PNP | 1,5 V @ 500 µA, 2,5 mA | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTDF400U120G | 105.9800 | ![]() | 801 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | LP4 | Aptdf400 | Standard | LP4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 2,5 V @ 500 a | 110 ns | 2,5 mA @ 1200 V | 450a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2N6050 | 92.0360 | ![]() | 4151 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv2N6050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2N3767 | 26.9724 | ![]() | 9987 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/518 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | 2N3767 | 25 w | To-66 (to-213aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 4 a | 500 ähm | Npn | 2,5 V @ 100 Ma, 1a | 40 @ 500 mA, 5V | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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