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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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JantX1N5539B-1 | 6.8550 | ![]() | 5729 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5539 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 17.1 V. | 19 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | 1N5920BP/TR8 | 1.8900 | ![]() | 7021 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1n5920 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 4 V | 6.2 v | 2 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | 1N3910ar | 48.5400 | ![]() | 7488 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3910 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,4 V @ 50 a | 150 ns | 15 µa @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 50a | - - - | |||||||||||||||||
![]() | 1n2831b | 94.8900 | ![]() | 6240 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | To-204ad | 1N2831 | 50 w | To-204ad (to-3) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µA @ 38,8 V. | 51 v | 5.2 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | 1N1614R | 38.0550 | ![]() | 2342 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N1614 | Standard | DO-203AA (DO-4) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,5 V @ 15 a | 50 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | SMBJ4756AE3/TR13 | 0,4350 | ![]() | 7199 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ4756 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 35,8 V. | 47 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||
Jan1N4969 | 5.8950 | ![]() | 9855 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | E, axial | 1N4969 | 5 w | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 22,8 V. | 30 v | 8 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N4460CUS/Tr | 28.8600 | ![]() | 6645 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | 150-Jantx1n4460Cus/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 10 µA @ 3,72 V | 6.2 v | 4 Ohm | |||||||||||||||||||||
JantXV1N6328D | 46.9200 | ![]() | 4066 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n6328d | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 11 v | 15 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | UFR3120 | 51.4650 | ![]() | 6382 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | DO-203AA (DO-4) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,25 V @ 30 a | 50 ns | 175 ° C (max) | 30a | 115PF @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n645ur-1/tr | - - - | ![]() | 8671 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/240 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Standard | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N645ur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 225 v | 1 V @ 400 mA | -65 ° C ~ 175 ° C. | 400 ma | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | Jan1N4566AUR-1 | 10.6050 | ![]() | 2993 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4566 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | CDll4922a | 23.1300 | ![]() | 9752 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | CDLL4922 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 12 V | 19,2 v | 150 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | MSASC100W60H/Tr | - - - | ![]() | 5523 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSASC100W60H/Tr | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
JantXV1N6310CUS | 54.8400 | ![]() | 8976 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6310 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 60 µa @ 1 V | 2,7 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | MSASC25H60KV/Tr | - - - | ![]() | 2111 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-msasc25H60KV/tr | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5999c | 4.1550 | ![]() | 2352 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5999 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 7 v | 9.1 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | Jan1N3912R | - - - | ![]() | 8767 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/308 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,4 V @ 50 a | 200 ns | -65 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5925/TR13 | 2.2200 | ![]() | 8678 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5925 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 8 V. | 10 v | 4,5 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | JantX1N3295R | - - - | ![]() | 1403 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/246 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | Standard | DO-205AA (DO-8) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1,55 V @ 310 a | 10 mA @ 1000 v | -65 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N5340AE3/TR12 | 2.6250 | ![]() | 2786 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5340 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 1 µa @ 3 V | 6 v | 1 Ohm | ||||||||||||||||||
JantX1N757A-1/Tr | 2.2477 | ![]() | 6336 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N757A-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 7 V. | 9.1 v | 6 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1N3595AUR-1/Tr | 12.8611 | ![]() | 9701 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/241 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Standard | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N3595AUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 125 v | 920 mv @ 100 mA | 3 µs | 2 Na @ 125 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 150 Ma | - - - | |||||||||||||||||
![]() | 1N3526a | 2.4900 | ![]() | 2526 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N3526 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 22 v | 35 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | CDLL6011 | 2.7150 | ![]() | 1087 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | CDLL6011 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
1N4100D-1/Tr | 6.3300 | ![]() | 2633 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1N4100D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 150 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 5,7 V | 7,5 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N6306 | 68.5482 | ![]() | 2554 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | To-204aa, to-3 | 2N6306 | 125 w | To-204ad (to-3) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 250 V | 8 a | 50 µA | Npn | 5v @ 2a, 8a | 15 @ 3a, 5v | - - - | |||||||||||||||||
![]() | SMBJ5369BE3/TR13 | 0,8700 | ![]() | 8636 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5369 | 5 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 36.7 V. | 51 v | 27 Ohm | ||||||||||||||||||
JantX1N6322CUS/Tr | 39.9450 | ![]() | 6471 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | 150-JantX1N6322CUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 1 µa @ 6 V | 8.2 v | 5 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 689-3 | 280.3200 | ![]() | 8890 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Nd | 689-3 | Standard | Nd | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-689-3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Unabhängig | 300 V | 15a | 1,2 V @ 10 a | 500 ns | 10 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 150 ° C. |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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