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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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![]() | CDLL5918BE3 | 3.6575 | ![]() | 1821 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5918be3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT10M25BVRG | 9.8900 | ![]() | 6303 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power Mos V® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | APT10M25 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 100 v | 75a (TC) | 25mo @ 500 mA, 10V | 4v @ 1ma | 225 NC @ 10 V | 5160 PF @ 25 V. | - - - | |||||||||||||||||||||||
JANS1N6621 | 102.6300 | ![]() | 2456 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/585 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,4 V @ 1,2 a | 45 ns | 500 NA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 10pf @ 10v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4988 | 103.9500 | ![]() | 2449 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | B, axial | 5 w | B, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 136,8 V | 180 v | 450 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
Jan2N3634 | 10.5070 | ![]() | 2468 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N3634 | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 1 a | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL749A/Tr | 2.7132 | ![]() | 2838 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 500 MW | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll749a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 1 V | 4.3 v | 22 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantXV1N3343RB | - - - | ![]() | 7932 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/358 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µa @ 91,2 V | 120 v | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
Jan1N4113-1 | 4.1100 | ![]() | 6377 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4113 | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 14.5 V. | 19 v | 150 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N2974B | - - - | ![]() | 6290 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/124 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 10 w | Do-213aa (do-4) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 25 µa @ 7,6 V | 10 v | 3 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL963B/Tr | 3.4713 | ![]() | 2159 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 500 MW | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll963b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 9,1 V | 12 v | 11,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N2135 | 74.5200 | ![]() | 3357 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | DO-5 (DO-203AB) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n2135 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,25 V @ 200 a | 25 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 70a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL4923 | 23.6400 | ![]() | 8167 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | CDLL4923 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 12 V | 19,2 v | 150 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N5415 | 7.6350 | ![]() | 8930 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/411 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | B, axial | 1N5415 | Standard | B, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,5 V @ 9 a | 150 ns | 1 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5195ur/tr | - - - | ![]() | 2500 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/118 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Standard | Do-213aa | - - - | 150-Jantxv1n5195ur/tr | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 180 v | 1 V @ 100 mA | 1 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S504120Ts | 158.8200 | ![]() | 6647 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | Standard | DO-205AB (DO-9) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-S504120Ts | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,25 V @ 1000 a | 75 µa @ 1200 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 300a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
UPS540E3/TR13 | 0,5200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerMite®3 | UPS540 | Schottky | PowerMite 3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 540 mv @ 5 a | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 5a | 250pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6009ur-1 | 3.5850 | ![]() | 2982 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N6009 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JantX1N6621us | 14.4600 | ![]() | 9978 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/585 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1N6621 | Standard | D-5a | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 440 v | 1,4 V @ 1,2 a | 30 ns | 500 NA @ 440 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 10pf @ 10v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5819ur-1/tr | 23.9850 | ![]() | 2454 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/586 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | Schottky | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n5819ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 490 mv @ 1 a | 50 µa @ 45 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 70pf @ 5v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MNS1N4567DUR-1/Tr | 70.2150 | ![]() | 4414 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150 Mns1n4567dur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3823A-1/Tr | 6.7200 | ![]() | 7609 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n3823a-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 141 | 1,2 V @ 200 Ma | 25 µa @ 1 V | 3,9 v | 9 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2n2812 | - - - | ![]() | 8489 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 200 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud | To-61 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | 60 v | 10 a | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5372CE3/TR13 | 1.0800 | ![]() | 6792 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5372 | 5 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 44.6 V. | 62 v | 42 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n755dur-1 | 23.9550 | ![]() | 9651 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N755 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 5 V | 7,5 v | 6 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5931C/TR7 | 2.7600 | ![]() | 2901 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5931 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 13,7 V | 18 v | 12 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Jankca1n4371a | - - - | ![]() | 2012 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1n4371a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 60 µa @ 1 V | 2,7 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
APTC60HM70RT3G | 99.0200 | ![]() | 5180 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Coolmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SP3 | Aptc60 | MOSFET (Metalloxid) | 250W | SP3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n-kanal (Halbe Brücke) + Brückegleichrichter | 600V | 39a | 70 MOHM @ 39A, 10V | 3,9 V @ 2,7 mA | 259nc @ 10v | 7000PF @ 25v | - - - | |||||||||||||||||||||||
![]() | CD5252B | 1.4497 | ![]() | 8567 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5252b | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 Na @ 18 V. | 24 v | 33 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
1N991a | 11.3250 | ![]() | 9604 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N991 | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 136,8 V | 180 v | 2200 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6594 | 110.9100 | ![]() | 6383 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 100 w | To-204ad (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N6594 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 12 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - |
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