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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JANS1N6326US/Tr | 127.1706 | ![]() | 1089 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N6326us/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 1 µa @ 9 V | 12 v | 7 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | JantX1N645ur-1 | - - - | ![]() | 4682 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/240 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 1N645 | Standard | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 225 v | 1 V @ 400 mA | 50 na @ 225 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 400 ma | - - - | |||||||||||||||
JANS1N6322D | 350.3400 | ![]() | 3184 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N6322d | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 1 µa @ 6 V | 8.2 v | 5 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | Jan1N3049CUR-1 | - - - | ![]() | 1641 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2N5415UA | 229.5810 | ![]() | 9709 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/485 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 750 MW | Ua | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 200 v | 50 µA | 50 µA | PNP | 2v @ 5ma, 50 mA | 30 @ 50 Ma, 10 V | - - - | |||||||||||||||||
![]() | JantX1N3913R | - - - | ![]() | 3477 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/308 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | Do-5 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,4 V @ 50 a | 200 ns | -65 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - - - | ||||||||||||||||||
Jantxv2N4237 | 45.9249 | ![]() | 8944 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/581 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N4237 | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 100 mA, 1a | 30 @ 250 mA, 1V | - - - | |||||||||||||||
![]() | S30660 | 39.0750 | ![]() | 1544 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | S30660 | Standard | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 200 a | 25 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 85a | - - - | ||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5969c | - - - | ![]() | 3741 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 1 ma @ 4.74 v | 6.2 v | 1 Ohm | ||||||||||||||||||
Jantx1n4494us | 15.0600 | ![]() | 3372 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | A, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 250 NA @ 128 V. | 160 v | 1000 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N5349 | 157.9375 | ![]() | 3337 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2N5349 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDS5524B-1 | - - - | ![]() | 7909 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS5524B-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n4465dus/tr | 49.7250 | ![]() | 1186 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | 150-Jantx1n4465dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 300 na @ 8 v | 10 v | 5 Ohm | |||||||||||||||||||
1N4567A-1/Tr | 4.0800 | ![]() | 1298 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4567a-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | JantX1N4995dus/tr | - - - | ![]() | 6475 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | E-Melf | Herunterladen | 150-Jantx1n4995dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 274 V | 360 V | 1400 Ohm | |||||||||||||||||||
Jan1N6332 | 9.9000 | ![]() | 3164 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6332 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 17 v | 22 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | HSM835J/TR13 | 2.0100 | ![]() | 5825 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | HSM835 | Schottky | Do-214AB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 35 V | 620 mv @ 8 a | 250 µa @ 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | |||||||||||||||
![]() | Jan1N1615R | 66.0750 | ![]() | 1107 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/162 | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N1615 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AA (DO-4) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,5 V @ 15 a | 50 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - - - | |||||||||||||||
Jantxv2N4261 | - - - | ![]() | 7164 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/511 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | TO-72-3 Metalldose | 2N4261 | 200 MW | To-72 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 30 ma | 10 µA (ICBO) | PNP | 350 mV @ 1ma, 10 mA | 30 @ 10ma, 1V | - - - | |||||||||||||||
![]() | 1N6858ur1 | 259.3500 | ![]() | 8296 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Schottky | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6858ur1 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 50 v | 650 mv @ 15 mA | 200 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 75 Ma | 4.5PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||
![]() | Jan1n3021dur-1 | 40.7250 | ![]() | 4863 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N3021 | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 8,4 V | 11 v | 8 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | Jan1N6777 | - - - | ![]() | 6492 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-257-3 | Standard | To-257 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,15 V @ 15 a | 35 ns | 10 µa @ 800 mV | -65 ° C ~ 150 ° C. | 15a | 300PF @ 5V, 1 MHz | ||||||||||||||||
![]() | 1N823aur-1 | 4.7550 | ![]() | 1232 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N823 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.2 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||
Jan1N6344c | 39.6300 | ![]() | 1268 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N6344c | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 52 v | 68 v | 155 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | JantX1N5811 | 7.4800 | ![]() | 2786 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/477 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | B, axial | 1N5811 | Standard | B, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 875 mv @ 4 a | 30 ns | 5 µa @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||||
Jan1N4492d | 25.4550 | ![]() | 3926 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4492 | 1,5 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 104 v | 130 v | 500 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | SMBG5380CE3/TR13 | 1.4400 | ![]() | 8282 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMBG5380 | 5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 86.4 V. | 120 v | 170 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | Jan1N4122CUR-1/Tr | 19.9367 | ![]() | 3537 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N4122CUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 27,4 V. | 36 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | 1N3766 | 59.5650 | ![]() | 4240 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3766 | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N3766ms | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,4 V @ 110 a | 10 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 35a | - - - | |||||||||||||||
![]() | Jan2N3499L | 12.5818 | ![]() | 9241 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N3499 | 1 w | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 500 mA | 10 µA (ICBO) | Npn | 1,4 V @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus