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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Spannung - Anode - Kathode (VAK) (max) | Reglerstrom (max) | Spannung - Begrenzung (max) |
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![]() | Jansr2N3810 | 198.9608 | ![]() | 2356 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/336 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2N3810 | 350 MW | To-78-6 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 50 ma | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 250 mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1ma, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5302 | 18.6000 | ![]() | 9252 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C. | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5302 | 475 MW | Do-7 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5302 | 1 | 100V | 1,65 Ma | 1,6 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Jankca1n5546d | - - - | ![]() | 4506 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1n5546d | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 29.7 V. | 33 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4099UR-1 | 49.4550 | ![]() | 9100 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 5.17 V. | 6,8 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R5310 | 158.8200 | ![]() | 3760 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-R5310 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDS5304ur-1/Tr | - - - | ![]() | 7807 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | CDS53 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS5304ur-1/Tr | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
UTR40/Tr | 9.4350 | ![]() | 4042 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-UTR40/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 200 Ma | 350 ns | 3 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500 mA | 60pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
JANS2N6193 | 95.9904 | ![]() | 3439 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/561 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N6193 | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 5 a | 100 µA | PNP | 1,2 V @ 500 mA, 5a | 60 @ 2a, 2v | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N5302-1/Tr | 100.0200 | ![]() | 8174 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | Do-7 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N5302-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1,65 Ma | 1,6 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantXV1N3306RB | - - - | ![]() | 7036 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/358 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 125 µa @ 5 V | 7,5 v | 0,3 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5301/Tr | 25.2900 | ![]() | 4186 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | CDLL53 | 500 MW | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5301/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 1,54 Ma | 1,55 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N6636DUS/Tr | - - - | ![]() | 7248 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | E-Melf | - - - | 150-JantX1N6636DUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 20 µa @ 1 V | 4,7 v | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N7050-1 | 8.8950 | ![]() | 4361 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Janhca1n5529d | - - - | ![]() | 2054 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1n5529d | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 NA @ 8.2 V. | 9.1 v | 45 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT10M25BVRG | 9.8900 | ![]() | 6303 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power Mos V® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | APT10M25 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 100 v | 75a (TC) | 25mo @ 500 mA, 10V | 4v @ 1ma | 225 NC @ 10 V | 5160 PF @ 25 V. | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD4714 | 2.3408 | ![]() | 1080 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD4714 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 10 na @ 25 v | 33 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6514 | 78.7200 | ![]() | 4211 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-204aa, to-3 | 120 w | To-204ad (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N6514 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 7 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n6304 | - - - | ![]() | 6829 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,18 V @ 150 a | 60 ns | 25 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 70a | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6015B | 2.0700 | ![]() | 3014 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6015 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1N6015BMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 33 v | 43 v | 150 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N930UB | 21.5859 | ![]() | 1379 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2N930 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CDll4756a | 3.6150 | ![]() | 5336 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL4756 | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 NA @ 35.8 V. | 47 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL944/Tr | 27.8400 | ![]() | 7366 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll944/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 8 V | 11.7 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS2N3636UB | - - - | ![]() | 5752 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 1,5 w | UB | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 175 v | 10 µA | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS2N5416U4 | - - - | ![]() | 8985 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/485 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 2N5416 | 1 w | U4 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 1 a | 1ma | PNP | 2v @ 5ma, 50 mA | 30 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | HSM130JE3/TR13 | 0,8550 | ![]() | 6863 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | HSM130 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5832 | 57.4200 | ![]() | 7912 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N5832 | Schottky | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1n5832m | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 520 mv @ 40 a | 20 ma @ 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 40a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
1n5276b/tr | 2.9260 | ![]() | 8281 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5276b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 114 v | 150 v | 1500 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6373 | 60.6746 | ![]() | 2029 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | 40 w | To-66 (to-213aa) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 6 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4467d | 38.4450 | ![]() | 4713 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4467 | 1,5 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 200 NA @ 9.6 V. | 12 v | 7 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
Jan1N975D-1/Tr | 5.0008 | ![]() | 5551 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N975D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 na @ 30 v | 39 v | 80 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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