SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
APT60GF60JU3 Microchip Technology APT60GF60JU3 - - -
RFQ
ECAD 9078 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg Isotop 378 w Standard SOT-227 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Einzel Npt 600 V 93 a 2,5 V @ 15V, 60a 80 µA NEIN 3,59 NF @ 25 V.
MSCDC200A70D1PAG Microchip Technology MSCDC200A70D1PAG 182.5200
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Kasten Aktiv Chassis -berg Modul MSCDC200 SIC (Silicon Carbide) Schottky D1p Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-MSCDC200A70D1PAG Ear99 8541.10.0080 1 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1 Paar Serie Verbindung 700 V 200a 1,8 V @ 200 a 0 ns 800 µA @ 700 V -40 ° C ~ 175 ° C.
JANTX2N2222AUBP/TR Microchip Technology JantX2N22222AUBP/Tr 12.5552
RFQ
ECAD 7372 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jantx2N22222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222AUBP/TR 100 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
S306010F Microchip Technology S306010f 49.0050
RFQ
ECAD 4639 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-S306010f 1
1N3023BUR-1/TR Microchip Technology 1N3023BUR-1/Tr 15.4500
RFQ
ECAD 9067 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) 1 w Do-213AB (Melf, LL41) - - - Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 10 µa @ 9,9 V 13 v 10 Ohm
1N5942B Microchip Technology 1n5942b 3.4050
RFQ
ECAD 2933 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch DO-204AL, DO041, Axial 1N5942 1,25 w Do-41 Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 1 µA @ 38,8 V. 51 v 70 Ohm
MQ1N5553US Microchip Technology MQ1N5553us - - -
RFQ
ECAD 9016 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/420 Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SQ-Melf, b Standard B, SQ-Melf - - - UnberÜHrt Ereichen 150-MQ1N5553us Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,3 V @ 9 a 2 µs 1 µa @ 800 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a - - -
1N5231A/TR Microchip Technology 1n5231a/tr 2.5669
RFQ
ECAD 1361 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-1n5231a/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 200 Ma 5 µa @ 1,9 V 5.1 v 17 Ohm
1N4495US Microchip Technology 1N4495us 15.8550
RFQ
ECAD 7640 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/406 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, a 1N4495 1,5 w A, SQ-Melf Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 1N4495USMS Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 a 250 na @ 144 v 180 v 1300 Ohm
UFR3280 Microchip Technology UFR3280 199.2450
RFQ
ECAD 7806 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv Bolzenhalterung DO-203AA, DO-4, Stud Standard DO-203AA (DO-4) - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 800 V 1,35 V @ 30 a 60 ns 175 ° C (max) 30a
JAN1N974CUR-1 Microchip Technology Jan1N974CUR-1 11.3850
RFQ
ECAD 5584 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/117 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) 1N974 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 500 NA @ 27 V. 36 v 70 Ohm
JANTX2N3440U4 Microchip Technology JantX2N3440U4 - - -
RFQ
ECAD 1725 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/368 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 800 MW U4 - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 250 V 2 µA 2 µA Npn 500mv @ 4ma, 50 mA 40 @ 20 mA, 10V - - -
1N5545B/TR Microchip Technology 1n5545b/tr 2.8861
RFQ
ECAD 1512 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW Do-35 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-1n5545b/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 na @ 27 v 30 v 112 Ohm
CDLL4109C/TR Microchip Technology CDLL4109C/Tr 7.7700
RFQ
ECAD 6327 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213aa 500 MW Do-213aa - - - UnberÜHrt Ereichen 150-cdll4109c/tr Ear99 8541.10.0050 122 1,1 V @ 200 Ma 50 na @ 11.4 v 15 v 100 Ohm
UFS105JE3/TR13 Microchip Technology UFS105JE3/TR13 0,9000
RFQ
ECAD 2719 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214ba UFS105 Standard Do-214ba Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 950 mv @ 1 a 30 ns 5 µa @ 50 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a - - -
JANTX1N992CUR-1/TR Microchip Technology JantX1N992CUR-1/Tr - - -
RFQ
ECAD 1058 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/117 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213aa 400 MW Do-213aa Herunterladen 150-Jantx1N992CUR-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,3 V @ 200 Ma 500 NA @ 152 V. 200 v 2500 Ohm
JANTX1N4472DUS Microchip Technology Jantx1n4472dus - - -
RFQ
ECAD 2051 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/406 Schüttgut Abgebrochen bei Sic ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung SQ-Melf, a 1,5 w D-5a Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 Ma 50 na @ 16 v 20 v 12 Ohm
JANTXV2N3440UA Microchip Technology Jantxv2N3440UA 189.7910
RFQ
ECAD 4928 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/368 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 800 MW Ua - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 250 V 2 µA 2 µA Npn 500mv @ 4ma, 50 mA 40 @ 20 mA, 10V - - -
JANTX1N6391 Microchip Technology JantX1N6391 - - -
RFQ
ECAD 3910 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/553 Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud 1N6391 Schottky DO-203AA (DO-4) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 45 V 680 mv @ 50 a 1,5 mA @ 45 V -55 ° C ~ 175 ° C. 22.5a 2000pf @ 5v, 1 MHz
1N5255/TR Microchip Technology 1n5255/tr 4.4100
RFQ
ECAD 6221 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-1n5255/tr Ear99 8541.10.0050 214 1,5 V @ 200 Ma 100 Na @ 20 V 28 v 44 Ohm
JANTXV1N6659 Microchip Technology Jantxv1N6659 328.4550
RFQ
ECAD 4344 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-254-3, to-254aa (Gerade Leads) Standard To-254 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1,2 V @ 20 a 35 ns 10 µA @ 200 V. - - - 15a 150pf @ 10v, 1 MHz
JANTX2N2222AUA Microchip Technology JantX2N2222AUA 22.2110
RFQ
ECAD 1127 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/255 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd 2N2222 650 MW 4-smd Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANTXV1N4495DUS/TR Microchip Technology Jantxv1n4495dus/tr 56.5650
RFQ
ECAD 8316 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/406 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, a 1,5 w D-5a - - - 150-Jantxv1n4495dus/tr Ear99 8541.10.0050 100 1,5 V @ 1 a 250 na @ 144 v 180 v 1300 Ohm
R34130 Microchip Technology R34130 49.0050
RFQ
ECAD 2711 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-R34130 1
JAN1N6334US/TR Microchip Technology Jan1n6334us/tr 13.5300
RFQ
ECAD 8573 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/533 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, b 500 MW B, SQ-Melf - - - 150-Jan1N6334us/Tr Ear99 8541.10.0050 100 1,4 V @ 1 a 50 na @ 21 v 27 v 27 Ohm
1N5946B Microchip Technology 1n5946b 3.4050
RFQ
ECAD 5308 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch DO-204AL, DO041, Axial 1N5946 1,25 w Do-41 Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 1N5946BMS Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 1 µA @ 56 V 75 V 140 Ohm
1N6658 Microchip Technology 1N6658 242.5050
RFQ
ECAD 4915 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/616 Schüttgut Aktiv K. Loch To-254-3, to-254aa 1N6658 Standard To-254 Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 150 v 15a 1 V @ 10 a 35 ns 10 µA @ 150 V - - -
APT60D20BG Microchip Technology APT60D20BG 3.6300
RFQ
ECAD 2833 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv K. Loch To-247-2 APT60D20 Standard To-247 [b] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1,3 V @ 60 a 31 ns 250 µa @ 200 V. -55 ° C ~ 175 ° C. 60a - - -
1N6664 Microchip Technology 1N6664 185.8500
RFQ
ECAD 6268 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-257-3 Standard To-257 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-1n6664 Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 1 V @ 10 a 35 ns 200 ° C 10a - - -
JAN1N4991DUS/TR Microchip Technology Jan1N4991DUS/Tr 174.3750
RFQ
ECAD 4212 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/356 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, b 5 w E-Melf - - - 150-Jan1n4991dus/tr Ear99 8541.10.0050 100 1,5 V @ 1 a 2 µa @ 182 V 240 V 650 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus