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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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![]() | CDLL4135E3/Tr | 3.9600 | ![]() | 7780 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4135e3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 238 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 76 v | 100 v | 1500 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n3295r | - - - | ![]() | 2501 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/246 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | Standard | DO-205AA (DO-8) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1,55 V @ 310 a | 10 mA @ 1000 v | -65 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL6329/Tr | 13.1404 | ![]() | 4932 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 500 MW | Do-213ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll6329/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 na @ 12 v | 16 v | 12 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n5988c | 4.1550 | ![]() | 2783 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5988 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 25 µa @ 1 V | 3.3 v | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n5950a | 3.4050 | ![]() | 2965 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1n5950 | 1,25 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 83,6 V | 110 v | 300 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
1N5924BUR-1 | 4.0650 | ![]() | 5834 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 1N5924 | 1,25 w | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 7 V. | 9.1 v | 4 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N7049ur-1 | 10.4700 | ![]() | 1733 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4480 | 83.8650 | ![]() | 3766 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,5 w | Do-41 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 50 NA @ 34.4 V. | 43 v | 40 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
Jan1N4978us | 9.2100 | ![]() | 3293 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N4978 | 5 w | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 51,7 V | 68 v | 50 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5353BE3/TR8 | 2.6850 | ![]() | 2392 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5353 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 a | 1 µA @ 11,5 V. | 16 v | 2,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFS160GE3/TR13 | 0,8400 | ![]() | 6297 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | Standard, Umgekehrte Polarität | SMBG (Do-215AA) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-UFS160GE3/TR13TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,2 V @ 1 a | 60 ns | 20 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C3501-MSCL | 10.8750 | ![]() | 6981 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2C3501-MSCL | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ4751AE3/TR13 | 0,4350 | ![]() | 1382 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ4751 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 22,8 V. | 30 v | 40 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2N5002 | 416.0520 | ![]() | 2124 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/534 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Chassis, Stollenberg | To-210aa, to-59-4, Stud | 2n5002 | 2 w | To-59 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | 50 µA | Npn | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 30 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N6351 | 140.1300 | ![]() | 3369 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | B, axial | 500 MW | B, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 99 V | 130 v | 850 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N4099cur-1 | 22.3200 | ![]() | 8656 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4099 | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 5,2 V. | 6,8 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
Jan1n4491dus | 33.4500 | ![]() | 3641 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1N4491 | 1,5 w | D-5a | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 NA @ 96 V | 120 v | 400 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
JantX1N6491CUS/Tr | - - - | ![]() | 9364 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | Herunterladen | 150-Jantx1n6491cus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 500 na @ 2 v | 5.6 v | 5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
1N4693-1e3 | 3.6575 | ![]() | 9254 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4693-1e3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 µa @ 5,7 V | 7,5 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3676 | 30.6450 | ![]() | 6727 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 8 w | To-5aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N3676 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 90 v | 3 a | - - - | Npn | 800 mV @ 100 µA, 1 mA | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6655 | 316.1850 | ![]() | 8908 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-254-3, to-254aa | Standard | To-254aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6655 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 1 V @ 20 a | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 20a | 150pf @ 10v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4760AP/TR8 | 1.8900 | ![]() | 4807 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4760 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 51,7 V | 68 v | 150 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n5968us/tr | - - - | ![]() | 9846 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5968us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 5 µA @ 4,28 V. | 5.6 v | 1 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SG2004J-883B | - - - | ![]() | 2560 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | K. Loch | 16-CDIP (0,300 ", 7,62 mm) | SG2004 | - - - | 16-Cerdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-SG2004J-883B | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 50V | 500 mA | - - - | 7 NPN Darlington | 1,6 V @ 500 µA, 350 mA | 1000 @ 350 mA, 2V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | UFR8760 | 148.2150 | ![]() | 2782 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | DO-203AB (DO-5) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-UFR8760 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1 V @ 85 a | 140 ns | 30 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 85a | 155PF @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TP2640N3-G | - - - | ![]() | 2092 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tasche | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | MOSFET (Metalloxid) | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 400 V | 180 Ma (TJ) | 2,5 V, 10 V. | 15ohm @ 300 mA, 10V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 300 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N4101ur-1 | 8.7150 | ![]() | 6845 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4101 | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 6.3 V. | 8.2 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n3309b | - - - | ![]() | 3709 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/358 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 25 µA @ 6,7 V | 10 v | 0,6 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
JantX1N6337 | 12.4350 | ![]() | 2674 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6337 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 27 v | 36 v | 50 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4111ur-1 | 3.7950 | ![]() | 5449 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 1N4111 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 na @ 13 v | 17 v | 100 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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