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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Spannung - Anode - Kathode (VAK) (max) | Reglerstrom (max) | Spannung - Begrenzung (max) |
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![]() | CDll4930a | 79.1550 | ![]() | 7450 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | CDLL4930 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 12 V | 19,2 v | 36 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantXV1N5711UB/Tr | 66.3300 | ![]() | 7889 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/444 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Schottky | UB | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n5711ub/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 50 v | 1 V @ 15 mA | 200 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDS5518BUR-1 | - - - | ![]() | 2314 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS5518bur-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL4923/Tr | 23.8200 | ![]() | 3902 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4923/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 12 V | 19,2 v | 150 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DN3135K1-G | 0,6900 | ![]() | 8445 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DN3135 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 350 V | 72 Ma (TJ) | 0V | 35OHM @ 150 mA, 0V | - - - | ± 20 V | 120 PF @ 25 V. | Depletion -modus | 360 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 89100-01TXV | - - - | ![]() | 3166 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | To-66 (to-213aa) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N3821aur-1/Tr | 14.2310 | ![]() | 1557 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n3821aur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 3.3 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n3911ar | - - - | ![]() | 6713 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/308 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,4 V @ 50 a | 150 ns | -65 ° C ~ 150 ° C. | 50a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT30D100BHBG | 6.2900 | ![]() | 1309 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | Apt30 | Standard | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1000 v | 18a | 2,3 V @ 30 a | 290 ns | 250 µa @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4565AUR-1 | 85.8150 | ![]() | 5436 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantXV1N7047CCT3 | 143.6100 | ![]() | 1846 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/737 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-257-3 | Schottky | To-257 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 16a | 1,13 V @ 16 a | 500 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSF2N2906AUB/Tr | 157.4550 | ![]() | 2630 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 150-Jansf2N2906Aub/tr | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jan1N979B-1 | 1.7100 | ![]() | 9102 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N979 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 43 V | 56 v | 150 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N5550 | 81.1500 | ![]() | 1982 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/420 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | B, axial | Standard | B, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,2 V @ 9 a | 2 µs | -65 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N3022BUR-1 | - - - | ![]() | 8004 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 9,1 V | 12 v | 9 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N3821DUR-1/Tr | 45.2466 | ![]() | 7459 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n3821dur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 3.3 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5248B-1E3 | 2.4450 | ![]() | 5215 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5248b-1e3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 14 v | 18 v | 21 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JantXV1N5519C-1 | 23.3700 | ![]() | 8267 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5519 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µa @ 1 V | 3.6 V | 24 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSL2N2907AL | 99.0906 | ![]() | 6260 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 500 MW | To-18 (to-206aa) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansl2N2907Al | 1 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N3825A-1 | 8.6100 | ![]() | 94 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 3 µa @ 2 V | 4,7 v | 8 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N1362a | 44.3850 | ![]() | 9856 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | - - - | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N136 | 10 w | DO-203AA (DO-4) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n1362a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 30 v | 4 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6011ur | 3.5850 | ![]() | 2387 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N6011 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N5304-1 | 99.8700 | ![]() | 7833 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5304 | 500 MW | Do-7 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1,98 Ma | 1,75 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N758A-1/Tr | 2.0748 | ![]() | 7737 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n758a-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 8 V. | 10 v | 7 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5919A/TR13 | 1.5600 | ![]() | 8244 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5919 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 3 V | 5.6 v | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jankca1n4571a | - - - | ![]() | 8134 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1n4571a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UM4001CR | - - - | ![]() | 9675 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Um4000 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | Zucht | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-um4001Crtr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 25 w | 3PF @ 100V, 1 MHz | Pin - Single | 100V | 500mohm @ 100 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JantX1N4119C-1/Tr | 12.1695 | ![]() | 5510 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4119c-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 21.3 V. | 28 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jan1N967B-1 | 1.9050 | ![]() | 6754 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N967 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 na @ 14 v | 18 v | 21 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3335a | 49.3800 | ![]() | 7141 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3335 | 50 w | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µA @ 47,1 V | 62 v | 7 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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